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公开(公告)号：CN113998660B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111418125.2
申请日：2021-11-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种六轴传感器的封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器的驱动电路、第一金属焊盘和第一空腔；第二半导体圆片，其包括位于芯片边缘的固定结构以及位于芯片中间的可移动结构，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，且第一半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第一空腔；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，且第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本发明通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
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公开(公告)号：CN113998660A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111418125.2
申请日：2021-11-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种六轴传感器的封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器的驱动电路、第一金属焊盘和第一空腔；第二半导体圆片，其包括位于芯片边缘的固定结构以及位于芯片中间的可移动结构，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，且第一半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第一空腔；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，且第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本发明通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
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公开(公告)号：CN113629023A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110956303.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有磁传感器、第一金属焊盘和与第一金属焊盘连接的第一再布线层，其背面设置有第一腔体和第二腔体；第二半导体圆片，其正面设置有第二金属焊盘、加速度传感器和陀螺仪，第二半导体圆片与第一半导体圆片的背面相键合，其中，第二半导体圆片位于第一半导体圆片的上方，第二半导体圆片的正面与第一半导体圆片的背面相对，且第二半导体圆片正面的加速度传感器和陀螺仪分别与第一半导体圆片背面的第一腔体和第二腔体相对。与现有技术相比，本发明通过将磁传感器，加速度传感器和陀螺仪集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
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公开(公告)号：CN108574042A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810597724.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。
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公开(公告)号：CN108363025A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810454238.X
申请日：2018-05-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置-重置导线组，所述设置-重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置-重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本发明的磁场传感器，其设置-重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置-重置磁电阻条的磁矩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108279391A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810257100.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向方法和装置，磁电阻传感器包括：设置于基板上的斜坡，斜坡包括底面和倾斜表面，且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α；磁场传感单元，其具有磁易轴和与磁易轴垂直的磁敏感轴，磁场传感单元包括形成于斜坡的倾斜表面的第二磁电阻条和位于第二磁电阻条上并与第二磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第二短路条，第二磁电阻条和第二短路条之间的夹角为γ，所述掩模板包括位于所述掩模板平面内的第一磁电阻条和与所述第一磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第一短路条，其特征在于，所述方法包括：将所述第一磁电阻条和第一短路条之间的夹角设置为β，其中，tan(β)＝tan(γ)cos(α)。
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公开(公告)号：CN103323643B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210075017.4
申请日：2012-03-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种单芯片电流传感器及其制造方法，其中单芯片电流传感器是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流，其包括流过所述被测定电流的导体，以及位于导体周围的两个磁传感器，所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本发明不仅能够消除外界磁场干扰，提高性能稳定性和灵敏度，还能够提高产品集成度，减小产品体积，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105329850A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510686666.1
申请日：2015-10-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C1/00896 , B81C1/00904 , B81C99/004 , G01R1/0466 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/32 , H01L23/3114 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54433 , H01L2223/54453 , B81C99/0045
Abstract: 本发明提供一种圆片级芯片尺寸封装的测试方法，其包括：将一张圆片级芯片尺寸封装的圆片划片切割为多个圆片条带，每个圆片条带包括有多个未划片的芯片尺寸封装器件；将每个圆片条带放置于对应的条带载具上；利用测试设备对放置于所述条带载具上的圆片条带中的各个芯片尺寸封装器件进行测试；和将测试完成后的圆片条带划片分割成单个的芯片尺寸封装器件。由于不是将众多分割后的芯片一个一个装入插座，而是将有限的几个圆片条带放入条带载具，这样流程阻塞得以避免。
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公开(公告)号：CN103376810B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210118366.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明涉及一种热源模块，其包括有电路以及连接在电路中的热源器件，其中电路包括有第一支路以及第二支路，第一支路和第二支路共用热源器件。第一支路与第二支路通电时，两者通过热源器件的电流方向相反；且第一支路和第二支路之间不会同时处于导通状态。如此，使得热源器件的电流方向根据设定实现方向翻转，进而降低电迁移发生的几率，提高热源模块的有效性。
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公开(公告)号：CN102798832A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110139844.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种磁传感器测试方法及其系统，其为将待测磁传感器的X轴与地磁场方向平行，使用校准过的磁传感器测试装置读出待测磁传感器的X轴的输出，然后根据测试获得的输出数据计算得出待测磁传感器X轴的偏置输出和灵敏度。本发明涉及的磁传感器测试方法及其系统，利用地球磁场进行测试，极大地降低了磁传感器的生产成本，同时还提高了测试效率，有利于磁传感器的大规模生产和普及。
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