公开(公告)号：CN102934529A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180028499.1

申请日：2011-05-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  赤羽良启 ,  松原秀树

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18

CPC classification number: H05K1/0207 ,  H05K1/028 ,  H05K1/189 ,  H05K3/0058 ,  H05K2201/0999 ,  H05K2201/10106

Abstract: 本发明的课题在提供一种柔性印刷配线板，其在经由焊料安装有发光元件的柔性印刷配线板中，可以同时实现高散热性和良好的弯曲性。柔性印刷配线板（1）在基板层（11）的上表面侧，层叠具有电路部（12a）的导电层（12），并且，在所述基板层（11）的下表面侧，层叠由热传导率高的金属材料构成的散热层，该柔性印刷配线板（1）在所述电路部（12a）的一部分上经由焊料安装发光元件部（40），并且将多个散热层（13、23）隔着树脂层而层叠。

公开(公告)号：CN102906857A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025487.3

申请日：2011-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  吉田浩章 ,  山本喜之 ,  八乡昭广 ,  松原秀树

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种III族氮化物复合衬底(1)，其包含支持衬底(10)；在所述支持衬底(10)上形成的氧化物膜(20)；和在所述氧化物膜(20)上形成的III族氮化物层(30a)。所述氧化物膜(20)可以为选自由TiO2膜和SrTiO3膜组成的组中的膜，并且在所述氧化物膜中可添加有杂质。因此，提供其中支持衬底和III族氮化物层之间的结合强度高的III族氮化物复合衬底。

公开(公告)号：CN101369714B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810210649.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

Abstract: 含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板(W2)设置在生长炉(13)中，使载气(氮)流动的同时，将生长炉(13)的温度上升到生长温度TG。在升温过程中，形成了图案的InGaN层(17a)的开口(17b)受到影响，开口(17b)中的AlX2Ga1-X2N生长及迁移和AlX2Ga1-X2N的表面相比被抑制。将氮化镓系半导体层(23)(例如GaN层)形成在InGaN层(17a)上。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1-X2N)(23)以形成和开口(17b)对应的空孔(25)的方式生长。由此形成二维光子晶体的二维衍射光栅(26)。

公开(公告)号：CN101821915A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200980100642.6

申请日：2009-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田村充章 ,  樱井涉 ,  松原秀树 ,  年冈英昭 ,  中次恭一郎 ,  足立真宽 ,  奥田泰弘

IPC: H01S5/022 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/0203 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4249 ,  G02B6/4253 ,  G02B6/4255 ,  G02B6/4292 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01S5/02284 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是获得一种可以在将插芯安装到电路基板上之后插入光纤的组件。本发明提供一种光电转换组件(100)，其中，至少插芯(33)和电气部件(57)安装到已经安装有外部电极(63)的电路基板(35)上；在所述插芯(33)中在安装光电转换器件(31)的一个端面上的与光电转换器件(31)的活性层对应的位置形成光纤插孔；以及将插芯(33)的光电转换器件(31)电连接至电气部件(57)。在插芯(33)中，光纤插孔的面对光电转换器件(31)的一个端面的开口被透明物质(61)堵塞，并且光纤插孔的除了另一端面的部分被成型树脂(55)一体地覆盖。

公开(公告)号：CN101040409A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580034733.6

申请日：2005-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  三崎贵史 ,  中西文毅 ,  森大树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。

公开(公告)号：CN1137690A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96104423.3

申请日：1996-03-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  松原秀树 ,  松岛政人 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm～80nm；形成在缓冲层上的包括Al Ga N(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括In Ga N(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。

公开(公告)号：CN103155102A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201280003355.5

申请日：2012-02-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  吉田浩章 ,  山本喜之 ,  八乡昭广 ,  松原秀树

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种具有保护膜的复合衬底(2Q)，其包含支持衬底(10)、布置在所述支持衬底(10)上的氧化物膜(20)、布置在所述氧化物膜(20)上的半导体层(30a)、和保护膜(40)，所述保护膜(40)通过覆盖作为所述氧化物膜(20)的一部分且未被所述支持衬底(10)和所述半导体层(30a)覆盖的部分(20s、20t)来保护所述氧化物膜(20)。本发明还提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的步骤；和在所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的所述半导体层(30a)上外延生长至少一层功能半导体层的步骤，所述至少一层功能半导体层使得呈现半导体器件的必要功能。由此，提供了一种具有保护膜的复合衬底，其具有其中可以外延生长高品质功能半导体层的大的有效区域；和一种制造半导体器件的方法，其中使用所述具有保护膜的复合衬底。

公开(公告)号：CN103140946A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201280002986.5

申请日：2012-03-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  石原邦亮

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于GaN基半导体器件（5）的制造方法包括以下步骤：使用离子注入分离方法制备复合衬底（1），其包括：支撑衬底（10），其具有相对于GaN的热膨胀系数的比率不小于0.8且不大于1.2的热膨胀系数；和GaN层（21），其结合到支撑衬底（10）；在复合衬底（1）中的GaN层（21）上，生长至少单层GaN基半导体层（40）；以及通过溶解支撑衬底（10）去除复合衬底（1）的支撑衬底（10）。因此，提供了一种用于GaN基半导体器件的制造方法，其使得能够以高良率制造具有优良特性的GaN基半导体器件。

公开(公告)号：CN102893707A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180019703.3

申请日：2011-06-07

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工印刷电路株式会社

Inventor： 赤羽良启 ,  松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  松村裕之 ,  鬼头和宏 ,  奥山浩

IPC: H05K1/02 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H05K1/028 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/0061

Abstract: 本发明的课题在于提供一种挠性基板模块，其使用挠性基板，且对搭载的热源的散热性十分优良，并且柔软性、集成性也非常优良。挠性基板模块（1），作为在挠性绝缘基材（11）的表面侧层叠的表面层，形成印刷配线层（12），并且在该印刷配线层（12）上搭载热源（14），面接触地安装于作为安装对象的框体K上，其特征在于，作为在前述挠性绝缘基材（11）的背面侧层叠的背面层，其层叠多层由高导热材料构成的热扩散促进层（21、23），用于促进从前述热源（14）向印刷配线层（12）传热的热点面积朝向前述作为安装对象的框体K而扩大。

公开(公告)号：CN101641847B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880009498.0

申请日：2008-01-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  松原秀树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。