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公开(公告)号：CN113571458A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202011394615.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 公开一种真空吸盘及一种用于在半导体制造工艺期间稳固翘起的半导体衬底以在半导体制造工艺期间提高翘起的半导体衬底的平坦度的方法。举例来说，一种半导体制造系统包括真空吸盘，真空吸盘被配置成固持衬底，其中真空吸盘包括：多个真空凹槽以及多个柔性密封环，所述多个真空凹槽位于真空吸盘的顶表面上，其中顶表面被配置成面向衬底；所述多个柔性密封环设置在真空吸盘上且从顶表面向外延伸，其中所述多个柔性密封环被配置成直接接触衬底的底表面且与所述多个真空凹槽相邻，以在衬底与真空吸盘之间形成真空密封，且其中所述多个柔性密封环中的每一者具有锯齿形横截面。
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公开(公告)号：CN113247855A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010332779.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。
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公开(公告)号：CN109205548B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711269755.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。
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公开(公告)号：CN107026090A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611195926.6
申请日：2016-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L24/09 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/036 , H01L2224/0361 , H01L2224/03618 , H01L2224/03826 , H01L2224/03827 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05541 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05686 , H01L2224/11334 , H01L2224/13007 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48228 , H01L2224/49109 , H01L2224/49173 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05341 , H01L2924/0535 , H01L2924/05432 , H01L2924/14 , H01L2924/206 , H01L2224/05599 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/053 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L21/4853
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，该方法包括在半导体器件上方形成接触焊盘。在接触焊盘上方形成钝化材料。所述钝化材料的材料类型和厚度允许穿过所述钝化材料与所述接触焊盘建立电连接。
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公开(公告)号：CN103204456B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210351047.3
申请日：2012-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法。该方法包括在第一衬底上方形成MEMS结构，其中，该MEMS结构包括活动元件；在第一衬底上方形成接合结构；以及在第一衬底上方形成支撑结构，其中，该支撑结构从接合结构突出。该方法另外包括将MEMS结构与第二衬底相接合；以及在第二衬底的背面上形成衬底通孔(TSV)，其中，上面的TSV与接合结构以及支撑结构对准。本发明提供用于MEMS结构中的TSV的支撑结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102745638B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN102815659B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103579114A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310173218.2
申请日：2013-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张贵松 , 郑钧文 , 亚历克斯·卡尔尼茨基 , 朱家骅
IPC: H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/06
CPC classification number: H01L24/09 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/64 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/08145 , H01L2224/13022 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24145 , H01L2224/80896 , H01L2224/81 , H01L2224/821 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1205 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/4661 , H01L2224/05552 , H01L2224/8203 , H01L2224/80001 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。
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公开(公告)号：CN112978673B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010994735.6
申请日：2020-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)器件包括：微机电系统衬底；至少一个可移动元件，在侧向上限定在上覆在所述微机电系统衬底之上的矩阵层内；以及顶盖衬底，通过接合材料部分接合到所述矩阵层。选自所述至少一个可移动元件的第一可移动元件位于第一腔室内部，所述第一腔室在侧向上以所述矩阵层为界且在垂直方向上以上覆在所述第一可移动元件之上的第一顶盖表面为界。所述第一顶盖表面包括多个朝下突出凸块的阵列，所述多个朝下突出凸块包括介电材料层的相应部分。所述多个朝下突出凸块中的每一者具有倒丘形垂直横截面轮廓。所述微机电系统器件可包括例如加速度计。
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公开(公告)号：CN113044800B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011265692.4
申请日：2020-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对包括复合弹簧的微电子机械系统(MEMS)结构。第一衬底位于第二衬底下面。第三衬底位于第二衬底上面。第一衬底、第二衬底和第三衬底至少部分地限定腔。第二衬底包括位于腔中并且位于第一衬底和第三衬底之间的可移动块。复合弹簧从第二衬底的外围区域延伸至可移动块。复合弹簧配置为将可移动块悬置在腔中。复合弹簧包括第一弹簧层和第二弹簧层，第一弹簧层包括第一晶体取向，第二弹簧层包括与第一晶体取向不同的第二晶体取向。本发明的实施例还涉及MEMS结构的形成方法、集成芯片。
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