公开(公告)号：CN101606217A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004331.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 三井造船株式会社

Inventor： 辻康之

IPC: H01J37/317 ,  C23C14/48 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明的离子注入装置(10)包括：离子源(22)，产生离子束；离子束整形部(20)，将产生的离子束整形为带状离子束；射束输送部(30)，在使带状离子束的厚度方向上的厚度变薄并使其收敛后，使带状离子束照射到处理基板(62)上；处理部(60)，将带状离子束照射到处理基板(62)上；透镜单元(40)，对带状离子束的电流密度分布进行调整，在该电流密度分布中带状离子束的射束厚度方向的电流密度的和值是以射束宽度方向的分布来表示的，其中，所述透镜单元(40)按照在离子束的收敛位置(52)附近区域调整对离子束的电流密度分布进行调整的方式设置。根据该构成，将带状离子束的一部分在带状离子束的内面稍微弯曲，从而能够精度良好地调整电流密度分布。

公开(公告)号：CN101151700A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010661.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： A·芮

IPC: H01J37/304

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30405 ,  H01J2237/30411 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31703

Abstract: 提供了一种用以确定离子束到工件表面的二个入射角的系统、装置及方法。具有细长第一及第二传感器的测量装置被耦接至平移机构，其中，第一传感器以垂直于平移的第一方向进行延伸，而第二传感器以倾斜于第一传感器的角度延伸。第一及第二细长传感器在其分别于相应的第一时间及第二时间通过离子束时感测一个或多个离子束特性，并且控制器可运作以根据，至少部分地根据第一及第二传感器在第一及第二时间所感测的一个或多个离子束特性来确定离子束的第一及第二入射角。

公开(公告)号：CN103811248B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410083953.9

申请日：2011-03-17

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 万志民 ,  约翰·D·波拉克 ,  唐·贝瑞安 ,  任克川

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31711

Abstract: 本发明提供一种利用一离子束以及一可变孔隙在一衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。

公开(公告)号：CN105723247A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480062577.3

申请日：2014-11-20

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀

IPC: G01T1/34

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30472

Abstract: 提供了一种离子注入系统和方法，其中，离子源产生离子，质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束，其中，束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流，其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流，其中限定与时间相关的离子束电流，以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓，其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。

公开(公告)号：CN103715073B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310717393.3

申请日：2013-12-23

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 田慧 ,  皇甫鲁江

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种改善离子注入的方法，属于离子注入技术领域，其可解决现有的离子注入设备离子束的稳定性和均匀性差的问题。本发明的离子注入设备离子束的稳定性和均匀性差的问题，通过检测不同减速电压下束流密度和束流分布不均匀度，获得工作减速电压，使离子注入设备在工作减速电压下工作，保证了离子束的均匀性和稳定性，从而保证每个批次和不同批次之间处理的基材的性能保持相对一致。

公开(公告)号：CN103000481B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210191876.X

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧琳 ,  黃至鸿 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265

Abstract: 一种监测晶圆离子分布的装置，包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外，控制器调节离子束的扫描频率或晶圆的移动速度以实现晶圆上的离子均匀分布。本发明还提供了一种离子注入监测装置。

公开(公告)号：CN102124538B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200980123989.2

申请日：2009-06-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀 ,  曼尼·谢拉兹基 ,  爱德华·艾伊斯勒

IPC: G01T1/29 ,  H01J37/317 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明公开一种离子束一致性控制系统，其中，该一致性控制系统系包含：差动泵送室，其围绕单独的控制的气体喷射器的阵列，其中，单独控制的气体喷射的气体压力由控制器所驱动以改变电荷交换离子的比率，且于气体与离子之间的电荷交换反应改变了具有一宽离子束的原始电荷状态的离子的比率，其中，宽离子束的电荷交换部分系利用其产生磁场的一偏转器而移除；法拉第杯轮廓仪，用于测量宽离子束轮廓；且，基于提供至控制器的反馈而调整单独控制的气体喷射以得到期望的宽离子束。

公开(公告)号：CN101952942B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200980105055.6

申请日：2009-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约瑟·C·欧尔森 ,  阿塔尔·古普塔

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种侦测粒子束特性的装置及其方法。在一实施例中，装置可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。装置可以具有透明度状态，也就是进入装置的一部分的粒子可以通过装置的状态。装置也可以具有最小透明度状态，也就是进入装置的实质上所有粒子可以避免通过装置且被侦测的状态。可以通过转动装置或包含于装置中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此装置来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。

公开(公告)号：CN103119688A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180045304.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  法兰克·辛克莱 ,  马太·P·麦卡伦

IPC: H01J37/10 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/21 ,  H01J2237/216 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点。一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。

公开(公告)号：CN102047391B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200980115538.4

申请日：2009-03-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。