公开(公告)号：CN102623361B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110381718.6

申请日：2011-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  郭彦良 ,  董志航 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/085 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法，包括：将包含第一工件和第二工件的封装结构加热，以熔化第一工件和第二工件之间的多个焊料凸块；以及在加热步骤之后，将多个焊料凸块凝固；在凝固步骤期间，将封装结构的第一侧保持在第一温度，第一温度高于多个焊料凸块的熔化温度，其中，利用加热源实施保持步骤；在凝固步骤期间，利用冷却源将封装结构的第二侧保持在第二温度，第二温度低于熔化温度，其中，第二侧于第一侧相对。

公开(公告)号：CN102468248B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110242342.0

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  郭彦良 ,  许明松 ,  蔡侑伶 ,  陈承先 ,  普翰屏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种管芯具有第一表面，位于第一表面对面的第二表面，和包括第一部分和第二部分的侧壁，其中相比于第二部分，第一部分更接近于第一表面。填角接触管芯的侧壁的第一部分并且包围管芯。工件通过焊料凸块与管芯接合，其中第二表面面向工件。第一底部填充胶填充管芯和工件之间的间隙，其中第一底部填充胶接触填角，并且其中第一底部填充胶和填角由不同的材料形成。

公开(公告)号：CN102456653B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110243071.0

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  郭彦良 ,  张志鸿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/535 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

公开(公告)号：CN103515314A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210377778.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  吕文雄 ,  陈宪伟 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1405

Abstract: 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。

公开(公告)号：CN102623361A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110381718.6

申请日：2011-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志鸿 ,  郭彦良 ,  董志航 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/085 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法，包括：将包含第一工件和第二工件的封装结构加热，以熔化第一工件和第二工件之间的多个焊料凸块；以及在加热步骤之后，将多个焊料凸块凝固；在凝固步骤期间，将封装结构的第一侧保持在第一温度，第一温度高于多个焊料凸块的熔化温度，其中，利用加热源实施保持步骤；在凝固步骤期间，利用冷却源将封装结构的第二侧保持在第二温度，第二温度低于熔化温度，其中，第二侧于第一侧相对。

公开(公告)号：CN102456653A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110243071.0

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  郭彦良 ,  张志鸿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/535 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

公开(公告)号：CN222354102U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202420971058.X

申请日：2024-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋梁 ,  黄钰昇 ,  蔡宗甫 ,  余振华

IPC: G02B6/42

Abstract: 公开光学装置与其制造方法，其贴合光学装置与其他装置如激光晶粒的步骤，早于接合光学装置与激光晶粒至其他装置的步骤。光学装置与激光晶粒分隔的距离不大于约10微米。

公开(公告)号：CN222354101U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202420923606.1

申请日：2024-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  卢思维 ,  蔡宗甫 ,  王朝仁

IPC: G02B6/42

Abstract: 一种光学装置，包括基板材料以及从基板材料的第一侧延伸至基板材料的第二侧的光纤开口，其中在基板材料的第一侧的光纤开口从基板材料的第二侧水平地或垂直地偏移。

公开(公告)号：CN220121823U

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202321140534.5

申请日：2023-05-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢思维 ,  蔡宗甫 ,  陈启祥

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供一种集成电路封装，包括：封装衬底；中介层，具有键合至封装衬底的第一侧；第一管芯，键合至中介层的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；环，位于封装衬底上，其中所述环环绕第一管芯及中介层；模制化合物，设置于所述环与第一管芯之间，其中模制化合物与所述环实体接触；以及多个导热层，位于模制化合物及第一管芯之上且与模制化合物及第一管芯实体接触，其中模制化合物设置于所述多个导热层与所述环之间。

公开(公告)号：CN221486483U

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202322919563.8

申请日：2023-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  余振华 ,  卢思维

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体装置包括底部半导体晶粒，含有底部半导体晶粒侧壁；顶部半导体晶粒，接合至底部半导体晶粒，并含有顶部半导体晶粒侧壁；以及成型材料层，形成于底部半导体晶粒的上表面之上、顶部半导体晶粒侧壁之上、与底部半导体晶粒侧壁之上。