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公开(公告)号：CN1154182C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN98105297.5
申请日：1998-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/522 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/10161 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明揭示一种使半导体器件封装小型化，并且使信号端子电极其电气隔离性提高的半导体器件。半导体器件在封装1的中央部位配置引线框2，周边部位配置信号端子电极3至信号端子电极7，在引线框2上搭载半导体芯片8，在信号端子电极4和信号端子电极5之间配置具有接地电位的接地电极16，信号端子电极5和信号端子电极6之间配置具有接地电位的接地电极17。
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公开(公告)号：CN1151542C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98120107.5
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法是在基板上形成具有底部的介通孔后，在介通孔的至少侧壁上形成导电层。然后，为使导电层露出，将基板上介通孔形成侧的相反一侧的部分去除，对基板进行薄化处理。
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公开(公告)号：CN1487605A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155757.0
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发例如蓝光的InGaN基发光二极管，其作为半导体发光元件而被固定在载体基片上，并且透明薄膜固定在载体基片上，以覆盖半导体发光元件。图形电极形成在透明薄膜的上表面上，并且图形电极穿过例如通孔而电连接着半导体发光元件的终端电极。透明薄膜中可以含有可被半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。在将半导体发光元件与图形电极连接时不必再进行引线焊接和利用密封层密封。
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公开(公告)号：CN103201898B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201280003591.7
申请日：2012-05-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F38/14 , H01L23/48 , H01L23/645 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2224/32145 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/30107 , H01P1/20381 , H01P5/028 , H01P7/08 , H01P7/082 , H01P7/084 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种能够容易地集成化的电磁共振耦合器。具备传送基板（701）和反射基板（702），在传送基板（701）上设置有：第一共振布线（704），形成为环形状的一部分由第一开放部（726）开放的形状；第一输入输出布线（711），与第一共振布线（704）连接；第二共振布线（703），设置于第一共振布线（704）的内侧，形成为环形状的一部分由第二开放部（723）开放的形状；以及第二输入输出布线（710），与第二共振布线（703）连接；在反射基板（702）上设置有反射布线（707），该反射布线（707）形成为环形状的一部分由第三开放部（724）开放的形状；从与传送基板（701）的主面垂直的方向观察时，反射布线（707）和第一共振布线（704）及第二共振布线（703）重叠。
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公开(公告)号：CN102781845B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201180011522.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C02F1/043 , C02F1/14 , C02F2103/08 , Y02A20/128 , Y02A20/129 , Y02A20/142
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用淡水化装置淡化盐水的方法。淡水化装置在容器的内部具备通气性片、拨水颗粒层、槽层，槽层位于容器的下部，通气性片夹持在拨水颗粒层和槽层之间。通气性片具备贯通孔，拨水颗粒层由密集的多个拨水性颗粒构成，拨水性颗粒的表面具备拨水膜。通过如下工序来淡化盐水：向容器中注入盐水，使盐水配置在拨水颗粒层的表面上的工序；加热盐水，使得上述盐水蒸发形成水蒸气的工序；和将水蒸气液化，在槽层得到淡水的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003968A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180033845.5
申请日：2011-06-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/325 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 一种管形状的热发电器件，其具有：沿器件的轴方向的内部贯通孔；由金属构成的多个第一杯状部件；由热电转换材料构成的多个第二杯状部件；第一电极；和第二电极。第一、第二部件沿上述轴方向交替反复配置。第一、第二电极各自设置于器件的一端和另一端。第一部件具有第一内表面和第一外表面，在下端具有第一贯通孔，其截面积在其下端的方向上减少。第二部件具有第二内表面和第二外表面，在下端具有第二贯通孔，其截面积在其下端的方向上减少。内部贯通孔包含多个第一、第二贯通孔。以第一部件的第一外表面与相邻的一个第二部件的第二内表面紧贴的方式，第一部件被插入到该第二部件。以第一部件的第一内表面与相邻的另一个第二部件的第二外表面紧贴的方式，该第二部件被插入到第一部件。
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公开(公告)号：CN102822982A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065680.5
申请日：2010-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/1066 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路。双向开关元件具备：由氮化物半导体构成的半导体层叠层体(203)、形成在半导体层叠层体(203)之上的第一欧姆电极(211)以及第二欧姆电极(212)、第一栅电极(217)以及第二栅电极(218)。第一栅电极(217)被电位与第一欧姆电极(211)实质相等的第一屏蔽电极(221)覆盖。第二栅电极(218)被电位与第二欧姆电极(212)实质相等的第二屏蔽电极(222)覆盖。第一屏蔽电极(221)的端部位于比第一栅电极(217)更靠近第二栅电极(218)侧的位置，第二屏蔽电极(222)的端部位于比第二栅电极(218)更靠近第一栅电极(217)侧的位置。
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公开(公告)号：CN101523614B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200780038121.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号：CN101976684A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010273937.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号：CN100502176C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN03147458.6
申请日：2003-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L2224/95085 , H01L2224/95146 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/10329 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15165 , H01S5/02252 , H01S5/4031 , H01L2924/15153 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。
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