公开(公告)号：CN103247600B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310042094.4

申请日：2013-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  姜泌圭 ,  李圭夏 ,  朴炳律 ,  郑显秀 ,  崔吉铉

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。

公开(公告)号：CN104854694B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201380064197.9

申请日：2013-10-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 库纳尔·R·帕雷克 ,  凯尔·K·柯比

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014

Abstract: 本文揭示制造半导体装置的方法。根据特定实施例配置的方法包含：在所述半导体装置的正面中形成一或多个开口；及在所述开口中形成部分填充所述开口的牺牲插件。所述方法进一步包含使用导电材料来进一步填充所述部分填充的开口，其中个别牺牲插件通常处于所述导电材料与所述半导体装置的衬底之间。在所述半导体装置的背面处暴露所述牺牲插件。可通过移除所述牺牲插件而在所述背面处形成接触区域。

公开(公告)号：CN108091563A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711457463.0

申请日：2013-06-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN108074912A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710569111.8

申请日：2017-07-13

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 郑然丞 ,  朴津佑 ,  洪周妧

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/538 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311

Abstract: 包括互连器的半导体封装。可提供一种半导体封装和/或制造半导体封装的方法。该半导体封装可包括封装基板。该半导体封装可包括通过第一互连器联接至封装基板的第一半导体晶片。该半导体封装可包括通过第二互连器联接至第一半导体晶片的第二半导体晶片。第二半导体晶片可联接至封装基板。

公开(公告)号：CN108062501A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201610986753.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 南昌欧菲生物识别技术有限公司

Inventor： 吴伟

IPC: G06K9/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: G06K9/0002 ,  H01L23/481 ,  H01L24/17

Abstract: 本发明公开了一种指纹识别模组。指纹识别模组包括超声波指纹传感器及盖板。超声波指纹传感器包括基板、指纹识别探头及硬板。基板包括设置在基板上表面的多个第一焊盘。指纹识别探头包括设置探头上表面上的多个第二焊盘。硬板包括设置在硬板下表面且与第一焊盘分别电性连接的多个第三焊盘及与第二焊盘分别电性连接的多个第四焊盘。此外，本发明还公开了一种电子装置。本发明实施方式的超声波指纹传感器及指纹识别模组，通过将指纹识别探头的焊盘首先通过与硬板连接，进而通过硬板与基板连接，间接增大了焊盘间的间隙，降低了焊盘的密度，使得指纹传感器探头易于准确地与基板导通，减少焊盘之间的短路，提高封装质量。

公开(公告)号：CN104319239B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201410339712.6

申请日：2014-04-16

Applicant: 天工方案公司

Inventor： A·J·洛比安科 ,  H·E·陈 ,  R·F·达维奥克斯 ,  H·M·古延 ,  M·S·里德 ,  L·A·德奥里奥

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H05K1/0218 ,  B23K26/361 ,  B23K26/362 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H03H9/64 ,  H04B1/3833 ,  H04B1/3838 ,  H04B1/40 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/181 ,  H05K1/183 ,  H05K3/288 ,  H05K3/30 ,  H05K3/303 ,  H05K9/0022 ,  H05K2201/1006 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2201/10098 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/1056 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1327 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49016 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了涉及射频(RF)模块的共形覆膜的设备及方法。在一些实施例中，模块可包括在安装在封装基板的RF组件之上形成的包覆膜。包覆膜也可以覆盖表面贴装器件(SMD)，诸如实施为管芯尺寸表面声波(SAW)器件(CSSD)的RF滤波器。模块还可以包括在包覆模之上形成并且配置成为模块提供RF屏蔽功能的导电层。导电层可以穿过SMD电连接到封装基板的接地平面。可以在SMD之上的包覆膜中形成开口；并且导电层可以与开口相符以将导电层和SMD的上表面电连接，由此有助于接地连接。

公开(公告)号：CN108022884A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710894998.8

申请日：2017-09-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 关野裕介

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L23/053 ,  H01L23/32 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3511 ,  H01R4/01 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/562 ,  H01L23/481

Abstract: 本发明的半导体装置能够抑制半导体装置的可靠性的下降。在半导体装置(1)中，外部连接端子(80a、80b)的另一端部(82a、82b)与壳体盖部(70)的正面抵接，利用外部连接端子(80a、80b)的弹性部(83a、83b)的弹性力，将壳体盖部(70)向层叠基板(30)侧不断地推靠。由此，即使半导体装置(1)伴随着传导了来自于发热的半导体元件(10a、10b)的热的层叠基板(30)的变形而发生变形，也维持外部连接端子(80a、80b)的一端部(81a、81b)与电路板(32)的接合端子(40a、40b)之间的接合。

公开(公告)号：CN103886911B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201310208410.0

申请日：2013-05-30

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金大石

IPC: G11C29/08

CPC classification number: H01L23/49827 ,  G11C29/26 ,  G11C29/40 ,  H01L23/481 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置包括测试单元，所述测试单元包括：数据判断单元，所述数据判断单元被配置成接收多个数据，判断多个数据是否相同，以及将判断结果输出为压缩信号；以及输出控制单元，所述输出控制单元被配置成响应于测试模式信号和裸片激活信号，而将压缩信号输出作为测试结果。

公开(公告)号：CN107958914A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710954261.0

申请日：2017-10-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 ,  PMD科技股份有限公司

Inventor： R·罗斯勒 ,  H·菲克 ,  M·弗兰克 ,  D·奥芬贝格 ,  S·帕拉斯坎德拉 ,  J·普里玛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  G01S17/89

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G01S7/4914 ,  G01S17/08 ,  G01S17/36 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/02024 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/101 ,  H01L27/14603 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0232

Abstract: 本文提供了光学传感器器件及制造光学传感器器件的方法。一种光学传感器器件包括：包括用于将电磁信号转换为光生电荷载流子的转换区域的半导体衬底；被配置为读出光生电荷载流子的第一部分的读出节点；形成在延伸到半导体衬底中的沟槽中的控制电极；以及在半导体衬底中的掺杂区域，其中掺杂区域邻近于沟槽，并且其中掺杂区域的掺杂类型不同于读出节点，其中掺杂区域的掺杂浓度使得掺杂区在操作期间保持耗尽。

公开(公告)号：CN105390455B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510511079.9

申请日：2015-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘重希

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种器件封装件包括：多个管芯；模塑料，沿着多个管芯的侧壁延伸；和聚合物层，位于模塑料上方并且接触模塑料。模塑料包括非平坦的顶面，并且聚合物层的顶面的总厚度变化(TTV)小于模塑料的非平坦的顶面的TTV。该器件封装件还包括位于聚合物层上的导电部件，其中，导电部件电连接至多个管芯中的至少一个。本发明实施例涉及用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法。