热可靠性能改善的半导体装置

    公开(公告)号:CN1160783C

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN98119314.5

    申请日:1998-09-11

    Abstract: 一种半导体装置包括彼此平行地设置于发热区内的欧姆源板极,栅板极和漏板极,采用不同设计使半导体装置内产生的热量均匀分布。第一例中在各个源板极和漏板极上形成平行于欧姆板极的镀金板极,在发热区中心部分的镀金板极最宽且从发热区中心朝向周边部分设置的镀金板极逐渐变窄。第二例中采用了垂直于欧姆板极的多个条状板极,这些板极间距是变化的。第三例中相对于与发热区中心的距离成反比例地变化半导体衬底的厚度。

    光学半导体器件
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1153306C

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN99100844.8

    申请日:1999-02-25

    Abstract: 一种光学半导体器件,包括:壳体;固定在腔体中的散热片;安装在腔体中的光学元件;裸光纤导向槽;裸光纤气密密封凹陷;光纤固定凹陷;光纤,光纤包括裸光纤部分和具有罩的光纤部分,裸光纤部分从裸光纤导向槽延伸到裸光纤气密密封凹陷,而具有罩的光纤部分设置在光纤固定凹陷内,在每个裸光纤导向槽、裸光纤气密密封凹陷、及光纤固定凹陷内填充紫外线处理树脂;能够传输紫外线的玻璃片设置于紫外线处理树脂的表层上,以覆盖裸光纤导向槽和裸光纤气密密封凹陷,并且能够传输紫外线的玻璃片与被处理后的紫外线处理树脂形成整体;以及气密密封玻璃帽,其通过紫外线处理树脂与壳体的上表面固定,并且气密密封玻璃帽在覆盖腔体的区域形成有遮光膜。

Patent Agency Ranking