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公开(公告)号：CN104460221A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410499354.5
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/50
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
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公开(公告)号：CN103424984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182559.6
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/352 , G03F1/00 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co-Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
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公开(公告)号：CN103123442A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210543966.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN102453862A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110322364.8
申请日：2011-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/564 , G03F1/54
Abstract: 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950125A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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公开(公告)号：CN101852984A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010158168.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
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公开(公告)号：CN119493328A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411118547.1
申请日：2024-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 作为包括含有钌(Ru)的保护膜的反射型掩模坯料，通过包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收膜和在保护膜和吸收膜之间的含有铌(Nb)且不含钌(Ru)的蚀刻阻止膜的反射型掩模坯料来提供反射型掩模坯料，其中保护膜难以受损并可抑制厚度的降低。
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公开(公告)号：CN111308851B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201911264530.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造光掩模的方法。该光掩模坯料用于在通过具有波长为至多250nm的曝光光的图案转印中使用的光掩模的材料，包括透明衬底、在衬底上直接形成的或者以在透明衬底和含铬膜之间插入光学膜的方式形成的含铬膜。含铬膜包括区域(A)，所述区域(A)由含有铬、氧和碳的铬化合物组成，其中在铬化合物中含有的每种元素的含量在区域(A)的厚度方向上连续变化，并且朝向衬底，铬含量提高并且碳含量降低。
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