公开(公告)号：CN117917765A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311334031.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  山下润一 ,  田中香次 ,  寺岛知秀 ,  出尾晋一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H02P27/08 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。对半导体装置的生产成本增高进行抑制，并且实现可靠性的提高及延长寿命。半导体装置(100)具有：半导体元件(41)；上表面电极，其形成于该半导体元件(41)的上表面；以及以铜为主成分的导电性金属板(22)，其接合于半导体元件(41)的上表面电极之上。导电性金属板(22)以铜为主成分，与半导体元件(41)的上表面电极之上进行固相扩散接合。

公开(公告)号：CN117438386A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310864292.2

申请日：2023-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  新井规由 ,  鹿野武敏

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40 ,  H01L21/50 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/08

Abstract: 提供改善了可靠性的半导体装置及使用了该半导体装置的电力转换装置。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有半导体元件(2)、第1散热基板(4)、第2散热基板(5)和散热块(6)。半导体元件(2)具有电极(3)。在第1散热基板(4)搭载有半导体元件(2)。散热块(6)以与电极(3)相对的方式配置。在从散热块(6)进行观察时，第2散热基板(5)配置于与电极(3)相反侧。接合材料(13)将散热块(6)的侧面覆盖，与半导体元件(2)的电极(3)及第2散热基板(5)接触。

公开(公告)号：CN106098573A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283784.2

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  川端大辅

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83053 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大，且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：工序(a)，在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a)；工序(b)，在工序(a)之后，在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1)；以及工序(c)，一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结，接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒，微粒被有机膜包裹。

公开(公告)号：CN104637910A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410645842.2

申请日：2014-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/482 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有接合强度高、高寿命的配线连接部的半导体模块及其制造方法。本发明的半导体模块具有：半导体元件(1)，其具有第1主面和与第1主面相对的第2主面，分别在第1主面具有表面电极，在第2主面具有背面电极；金属板(4)，其隔着使用了金属纳米颗粒的烧结接合材料(2)而与半导体元件(1)的背面电极电连接；以及平板状的导体(5)，其隔着使用了金属纳米颗粒的烧结接合材料(2)而与半导体元件(1)的表面电极电连接，在金属板(4)以及导体(5)设置有从与半导体元件(1)进行接合的接合区域连通至该接合区域的外部的槽(6)。

公开(公告)号：CN110828409A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910650002.8

申请日：2019-07-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  田中阳 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置的制造方法。抑制端子接合的接合强度的波动，提高装置的可靠性。半导体装置具备：绝缘基板(3)，其形成有电路面(3b)；以及外部端子(7B)，其与电路面接合。电路面的上表面与外部端子的下表面的一部分接触而接合，在电路面的上表面与外部端子的下表面接触的部位的至少一部分形成电路面和外部端子的熔融部(11)，在电路面的上表面与外部端子的下表面之间产生的间隙的尺寸小于或等于20μm，电路面以及外部端子均为铜或者铜合金。

公开(公告)号：CN104637832A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410645110.3

申请日：2014-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32055 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置利用烧结性接合材料，使半导体元件和基板之间的接合部的高温耐久性、品质以及可靠性提高。本发明的半导体装置制造方法的特征在于，具备以下工序：(a)准备绝缘性或导电性基板；(b)在基板(即，绝缘基板)主面的接合区域(3a)配置烧结性接合材料；(c)一边使半导体元件的用于接合的面即接合面与接合材料加压接触，一边对接合材料进行烧结，从而经由接合材料将基板(即，绝缘基板)和半导体元件接合，工序(b)中的接合区域在俯视观察时位于半导体元件的接合面(即，区域(3b))内侧，并且，在工序(c)后，接合材料在俯视观察时也没有向半导体元件的接合面外侧溢出。

公开(公告)号：CN102136472A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010571357.7

申请日：2010-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  新井规由

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/40 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/40 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2023/4056 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供可高温动作并且可实现小型化、轻量化的半导体装置模块。半导体元件具有用硅或环氧等树脂来树脂密封的P侧封装单元(21)及N侧封装单元(22)，P侧封装单元(21)及N侧封装单元(22)在金属的散热板(4)的主表面上配置成使散热板(3)的主表面垂直。P侧封装单元(21)及N侧封装单元(22)构成为散热板(3)的端缘部被夹在配置于散热板(4)的主表面上的导轨状的单元安装部(50)而固定。

公开(公告)号：CN1290183C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03178713.4

申请日：2003-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中岛泰 ,  多田和弘 ,  鹿野武敏 ,  日野泰成

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/02 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49537 ,  H01L21/565 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/00012

Abstract: 形成一种由金属层(7)和未硬化的绝缘树脂层(6)构成的模塑树脂封装型功率半导体装置用绝缘层。该绝缘树脂层(6)含有例如鳞片形颗粒的填充物并具有触变性，同时其外形尺寸(6L)比金属板底面(8B)大。将上述绝缘层配置在金属模空腔的底面，再将金属板(8)设置于树脂层的上表面(6US)。在金属板的主面(8T)上，装载与支架(1A)连接并经由导线(4)与支架(1B)连接的功率半导体芯片(2)。在此状态下，用液状模塑树脂(5)完全填充空腔。然后，与模塑树脂(5)的硬化同步地硬化绝缘树脂层(6)，从而将绝缘树脂层(6)和金属板(8)粘结固定。绝缘树脂层(6)和金属板(8)之间的界面包含在绝缘树脂层上表面(6US)内。由此，改善绝缘树脂层的适用性和可靠性。

公开(公告)号：CN110828409B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910650002.8

申请日：2019-07-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  田中阳 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置的制造方法。抑制端子接合的接合强度的波动，提高装置的可靠性。半导体装置具备：绝缘基板(3)，其形成有电路面(3b)；以及外部端子(7B)，其与电路面接合。电路面的上表面与外部端子的下表面的一部分接触而接合，在电路面的上表面与外部端子的下表面接触的部位的至少一部分形成电路面和外部端子的熔融部(11)，在电路面的上表面与外部端子的下表面之间产生的间隙的尺寸小于或等于20μm，电路面以及外部端子均为铜或者铜合金。

公开(公告)号：CN109727960A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811261366.9

申请日：2018-10-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  佐藤祐司

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H02M7/44

Abstract: 本发明得到高可靠性且长寿命的半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。导体板(14、16)经由接合材料(13、15)接合至半导体元件(2、3)的上表面电极(5、7)。作为导线或者带状连接件的配线(17、18)与导体板(14、16)键合。接合材料(13、15)是向金属的烧结材料的间隙加入了树脂而成的。