公开(公告)号：CN103923573B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410012288.4

申请日：2014-01-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司

IPC: C09J7/40 ,  C09J7/25 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

公开(公告)号：CN106167683A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610329649.7

申请日：2016-05-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  高本尚英 ,  大西谦司

IPC: C09J7/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/26 ,  B32B27/36 ,  B32B27/30 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B3/04 ,  B32B3/14 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  B32B3/04 ,  B32B3/14 ,  B32B27/06 ,  B32B27/20 ,  B32B27/26 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2264/025 ,  B32B2264/102 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/538 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2467/006 ,  H01L24/02

Abstract: 本发明涉及胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的目的在于提供可以减少接合线周边的空隙、并且可以减少突出的胶粘薄膜。本发明的目的还在于提供包含所述胶粘薄膜的切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜等。本发明涉及一种胶粘薄膜等，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。

公开(公告)号：CN104946153A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510149705.4

申请日：2015-03-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供在低温下因拉伸应力而适宜地断裂的热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种热固型芯片接合薄膜，其在热固化前，0℃下的储能模量A为1GPa以上，0℃下的损耗模量B为500MPa以下，0℃下的损耗角正切C为0.1以下，玻璃化转变温度D超过0℃，并且前述玻璃化转变温度D的绝对值相对于前述损耗角正切C的绝对值的比E为600以上。

公开(公告)号：CN104946147A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510142546.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。

公开(公告)号：CN104733401A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410818588.1

申请日：2014-12-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于，提供能够成品率良好地制造高可靠性的半导体装置的粘接薄膜及其用途。本发明为一种粘接薄膜，其用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、并将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物，其在120℃下且剪切速度50s-1下的熔融粘度为50Pa·s以上且500Pa·s以下。热固化前的该粘接薄膜的25℃下的储能模量优选为10MPa以上且10000MPa以下。

公开(公告)号：CN104733400A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410818508.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置，具体来说，提供一种即使具备包埋用粘接薄膜也能够实现期望切割的切割/芯片接合薄膜和使用其的半导体装置的制造方法、以及利用该制造方法得到的半导体装置。本发明是一种切割/芯片接合薄膜，其具备：具有基材和在该基材上形成的粘合剂层的切割薄膜、以及层叠在前述粘合剂层上的粘接薄膜，前述粘接薄膜是用于包埋被固定在被粘物上的第一半导体元件并将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，前述粘接薄膜与前述粘合剂层之间的剥离力为0.03N/20mm以上且0.2N/20mm以下。

公开(公告)号：CN101901775B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201010188733.4

申请日：2010-05-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三隅贞仁 ,  高本尚英

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  Y10T428/2848 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于30重量％；所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量30重量％以上。

公开(公告)号：CN102934211A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180026558.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 井上刚一 ,  菅生悠树 ,  三隅贞仁 ,  松村健 ,  高本尚英

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/295 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供在通过热固型芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上时，可以防止通过填充材料对该半导体芯片施加局部的应力并由此减少半导体芯片的破损的热固型芯片接合薄膜以及具备该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固型芯片接合薄膜，含有胶粘剂组合物以及包含微粒的填充材料，其中，设所述热固型芯片接合薄膜的厚度为Y（μm）、设所述填充材料的最大粒径为X（μm）时，比率X/Y（-）为1以下。

公开(公告)号：CN102683562A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210039713.X

申请日：2012-02-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 伊藤久贵 ,  井上泰史 ,  三隅贞仁

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/13 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供发光二极管元件及发光二极管装置。该发光二极管元件包括：光半导体层；电极部，其与光半导体层相连接；密封树脂层，其密封光半导体层和电极部，含有光反射成分。

公开(公告)号：CN101103448A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680002255.5

申请日：2006-02-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三隅贞仁 ,  松村健

IPC: H01L21/52 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  H01L21/50 ,  C09J161/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C08L33/00 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/22 ,  C09J161/06 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1462 ,  Y10T428/2887 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/20752

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法、该方法中使用的粘合片以及根据该方法得到的半导体装置，上述半导体装置的制造方法可以防止由焊垫的污染引起无法进行引线接合，并且可以防止在基板、引线框或半导体元件等被粘物上产生翘曲，从而提高成品率且简化制造工序。本发明的特征在于包括如下工序：临时固定工序，通过粘合片(12)将半导体元件(13)临时固定在被粘物(11)上；和引线接合工序，不经过加热工序，在接合温度80～250℃的范围内进行引线接合，并且作为上述粘合片(12)，使用固化前的贮存弹性模量在80～250℃的温度范围内为1MPa以上，或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。