公开(公告)号：CN102169849B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201010623081.2

申请日：2010-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 村田修平 ,  松村健 ,  水野浩二 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  C09J7/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B32B7/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。

公开(公告)号：CN102408845A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110293930.7

申请日：2011-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 村田修平 ,  松村健 ,  柳雄一朗

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: C09J133/14 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明的目的在于提供切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法。所述切割/芯片接合薄膜可以在保持切割时的保持力的同时提高拾取时的剥离性，并且可以抑制切割/芯片接合薄膜从切割环上剥离。一种切割/芯片接合薄膜，其中，粘合剂层含有特定的异氰酸酯化合物与特定的丙烯酸类聚合物进行加成反应而得到的聚合物以及特定的交联剂，粘合剂层的粘贴切割环的部分的特定剥离粘合力为1.0N/20mm带宽以上且10.0N/20mm带宽以下，粘贴切割环的部分的23℃下的拉伸储能弹性模量为0.05MPa以上且低于0.4MPa，芯片接合薄膜粘贴到紫外线照射后的粘合剂层上。

公开(公告)号：CN101855711B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880115181.5

申请日：2008-10-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 ,  神谷克彦 ,  村田修平

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/14 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J133/066 ,  C08L63/00 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2475/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31511 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，粘合剂层包含使包含10～30摩尔％含羟基单体的丙烯酸类聚合物与相对于含羟基单体为70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应而得到的聚合物、及分子中具有两个以上对羟基显示反应性的官能团并且相对于所述聚合物100重量份含量为2～20重量份的交联剂，芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

公开(公告)号：CN101740353B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910224844.3

申请日：2009-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 ,  大竹宏尚 ,  松村健 ,  村田修平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  C09J133/08 ,  B32B7/12

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B3/08 ,  B32B5/18 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B23/04 ,  B32B25/12 ,  B32B25/14 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/22 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B29/002 ,  B32B2255/205 ,  B32B2307/21 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/3065 ,  B32B2307/516 ,  B32B2307/518 ,  B32B2307/54 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249984 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的方法。本发明涉及切割模片接合膜，其包括：具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜；和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜，其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种用于生产半导体器件的方法，其包括使用上述切割模片接合膜。

公开(公告)号：CN101911260A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880125003.0

申请日：2008-12-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 ,  神谷克彦 ,  村田修平

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/14

CPC classification number: C09J133/066 ,  C08F8/30 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2810/50 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/22 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2463/006 ,  C09J2475/00 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/31551 ,  C08F2220/281 ,  C08F220/28 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有使包含10～40摩尔％含羟基单体的丙烯酸类聚合物与相对于所述含羟基单体为70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应而得到的聚合物、及分子中具有两个以上对羟基显示反应性的官能团且相对于所述聚合物100重量份含量为2～20重量份的交联剂，并且，通过预定条件下的紫外线照射固化而成；所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成，并且粘贴在紫外线照射后的粘合剂层上。

公开(公告)号：CN101911259A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880125002.6

申请日：2008-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 ,  松村健 ,  村田修平 ,  大竹宏尚

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08F8/30 ,  C08F2220/1858 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J133/066 ,  C09J133/08 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/2809 ,  C08F2220/281 ,  C08F220/18 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物的聚合物而构成，并且通过在基材上成膜后在预定条件下照射紫外线而得到；所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成，并且粘贴在紫外线照射后的粘合剂层上。

公开(公告)号：CN1458703B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN03123620.0

申请日：2003-05-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 萨摩道夫 ,  喜井敬介 ,  植谷庆裕 ,  岸井丰 ,  山口睦子 ,  村田修平

IPC: H01M2/14 ,  H01M2/16

CPC classification number: H01M2/1673 ,  H01M2/0222 ,  H01M2/168 ,  H01M10/0525 ,  Y10T29/49108

Abstract: 公开了一种电池用的承载粘合剂组合物的隔板，其含有承载其上的可热交联粘合剂组合物的多孔基材，该粘合剂组合物含有多功能异氰酸酯和具有能与多功能异氰酸酯反应的功能基的反应性聚合物；一种电极/隔板层压品，其通过朝向电极挤压电池用的承载粘合剂组合物的隔板而制得；和一种具有交联粘合剂组合物的电极/隔板的粘合材料，其通过加热电极/隔板层压品从而使反应性聚合物反应以引起交联而制得。

公开(公告)号：CN101640191A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910160247.9

申请日：2009-07-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 ,  神谷克彦 ,  村田修平 ,  菅生悠树

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  C09J133/04

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/1833 ,  C08F2220/281 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供即使在半导体芯片为薄型或芯片尺寸小的情况下，能够防止切割时芯片飞散的保持力与将该半导体芯片和其芯片接合薄膜一起剥离时的剥离性之间的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明提供一种切割/芯片接合薄膜，具有在紫外线透过性的基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层是通过在由丙烯酸类聚合物形成的粘合剂层前体上层压所述芯片接合薄膜后从所述基材侧照射紫外线进行固化而形成的，所述丙烯酸类聚合物由作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。

公开(公告)号：CN104946147A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510142546.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。

公开(公告)号：CN101645427B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910161129.X

申请日：2009-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 ,  松村健 ,  村田修平 ,  大竹宏尚

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  C09J133/04

CPC classification number: H01L21/6835 ,  C08F220/18 ,  C08F220/34 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/1833 ,  C08F2220/281 ,  C09J7/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片拉合薄膜。本发明涉及一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类粘合剂形成，所述丙烯酸类粘合剂由丙烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物100重量份的比例在10～60重量份的范围内的分子内具有2个以上自由基反应性碳碳双键的化合物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在所述粘合剂层上。