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公开(公告)号：CN100517662C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710108106.3
申请日：2007-05-30
IPC: H01L23/34 , H01L23/473 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/427 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01087 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够提高倒装片安装的半导体芯片的散热性。半导体装置(10)具有基板(20)、倒装片安装在基板(20)上的半导体芯片(30)、将半导体芯片(30)的周围密封的密封树脂层(40)、经由TIM层(80)接合的散热器(90)。进而，在形成于半导体芯片(30)的背面的密闭空间(95)中封入制冷剂(98)。
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公开(公告)号：CN101090098A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710110186.6
申请日：2007-06-18
IPC: H01L23/373 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/4275 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够以低成本将倒装片安装有半导体芯片的半导体装置的散热性提高。半导体装置包括：基板；在将表面倒装的状态下倒装片安装在基板上的半导体芯片；在半导体芯片的周围成型的密封树脂层；可与散热器、热导管等散热部件热连接地设置在半导体芯片的背面的相变部。通过利用半导体芯片的动作热量使相变部熔融，提高半导体芯片与散热部件的紧密贴合性，并且提高半导体芯片的散热性。
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公开(公告)号：CN101083235A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108106.3
申请日：2007-05-30
IPC: H01L23/34 , H01L23/473 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/427 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01087 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够提高倒装片安装的半导体芯片的散热性。半导体装置(10)具有基板(20)、倒装片安装在基板(20)上的半导体芯片(30)、将半导体芯片(30)的周围密封的密封树脂层(40)、经由TIM层(80)接合的散热器(90)。进而，在形成于半导体芯片(30)的背面的密闭空间(95)中封入制冷剂(98)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1672473A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818345.5
申请日：2003-06-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H05K3/20
CPC classification number: H05K1/187 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/49816 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/24 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16237 , H01L2224/24227 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K3/205 , H05K3/386 , H05K3/4614 , H05K3/4617 , H05K2201/0394 , H05K2201/10674 , H05K2203/063 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 披露了一种用于制造具有内置器件的板的方法、一种具有内置器件的板、一种用于制造印刷电路板的方法以及一种印刷电路板，其中，能够在绝缘层上精确地形成精细间距的导电图形，同时能够保证导电图形的尺寸稳定性，并且能够将转印薄片彻底去除。转印薄片(61)包括金属基底层(62)和将被溶解的金属层(64)。通过电镀在将被溶解的金属层(64)上形成导电图形(55)。在将具有形成的导电图形(55)的转印薄片(61)粘合到绝缘基底(51)上之后，通过将金属基底层(62)从将被溶解的金属层(64)上分离并且相对于导电图形(55)有选择地将将被溶解的金属层(64)溶解并去除的步骤，将转印薄片(61)去除。
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公开(公告)号：CN101728340B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910206627.1
申请日：2009-10-22
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 草野英俊
IPC: H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/16152 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置能够充分确保基板和散热板的粘合面积，同时能够消除因多余的粘合材料漏出所导致的不良情况。本发明的半导体装置包括：无芯基板(2)；倒装安装到无芯基板(2)上的半导体芯片(3)；以及通过TIM材料(17)与半导体芯片(3)连接同时通过密封环带材料(18)与密封树脂层(4)连接的盖(5)，并且，在盖(5)的与密封树脂层(4)连接的连接面上形成有多个凹陷(16a)。
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公开(公告)号：CN101090098B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710110186.6
申请日：2007-06-18
IPC: H01L23/373 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/4275 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够以低成本将倒装片安装有半导体芯片的半导体装置的散热性提高。半导体装置包括：基板；在将表面倒装的状态下倒装片安装在基板上的半导体芯片；在半导体芯片的周围成型的密封树脂层；可与散热器、热导管等散热部件热连接地设置在半导体芯片的背面的相变部。通过利用半导体芯片的动作热量使相变部熔融，提高半导体芯片与散热部件的紧密贴合性，并且提高半导体芯片的散热性。
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公开(公告)号：CN101728340A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910206627.1
申请日：2009-10-22
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 草野英俊
IPC: H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/16152 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置能够充分确保基板和散热板的粘合面积，同时能够消除因多余的粘合材料漏出所导致的不良情况。本发明的半导体装置包括：无芯基板(2)；倒装安装到无芯基板(2)上的半导体芯片(3)；以及通过TIM材料(17)与半导体芯片(3)连接同时通过密封环带材料(18)与密封树脂层(4)连接的盖(5)，并且，在盖(5)的与密封树脂层(4)连接的连接面上形成有多个凹陷(16a)。
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公开(公告)号：CN100452342C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN03818345.5
申请日：2003-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H05K1/187 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/49816 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/24 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16237 , H01L2224/24227 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K3/205 , H05K3/386 , H05K3/4614 , H05K3/4617 , H05K2201/0394 , H05K2201/10674 , H05K2203/063 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 披露了一种用于制造具有内置器件的板的方法，能够在绝缘层上精确地形成精细间距的导电图形，同时能够保证导电图形的尺寸稳定性，并且能够将转印薄片彻底去除。转印薄片(61)包括金属基底层(62)和将被溶解的金属层(64)。通过电镀在将被溶解的金属层(64)上形成导电图形(55)。在将具有形成的导电图形(55)的转印薄片(61)粘合到绝缘基底(51)上之后，通过将金属基底层(62)从将被溶解的金属层(64)上分离并且相对于导电图形(55)有选择地将将被溶解的金属层(64)溶解并去除的步骤，将转印薄片(61)去除。
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