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公开(公告)号：WO2022145615A1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：PCT/KR2021/010231
申请日：2021-08-04
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/18 , H01L33/04 , H01L33/00 , H01L31/107
Abstract: 본 발명은 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하는 단계와, 상기 표면제어층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 이에 의한 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 및 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다.
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公开(公告)号：KR102161445B1
公开(公告)日：2020-10-06
申请号：KR1020180171762
申请日：2018-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR102150898B1
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：KR1020180170150
申请日：2018-12-27
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR1020160053178A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150213
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03529
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管。 使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管包括彼此分离的吸收层和倍增层。 吸收层被调制成电场吸收层和掺杂吸收层的组合。 掺杂吸收层形成在电场吸收层和非吸收层之间。 掺杂吸收层包括具有比电场施加的吸收层的掺杂浓度相对低的掺杂浓度的掺杂层。 因此，由于通过在现有的吸收层中添加掺杂层来形成调制的掺杂吸附层，所以可以在保持频率特性的同时提高效率。
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公开(公告)号：KR102246867B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020190057824
申请日：2019-05-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한세프리시젼(주)
Abstract: 본발명은, 접촉식선형센서의측정단자를측정대상물의측정대상영역에접촉시키는접촉식치수측정모듈; 측정대상물과측정단자의접촉상태를촬영한측정이미지를획득하고측정대상물에서측정대상영역의주변을촬영하는비접촉식치수측정모듈; 및접촉식치수측정모듈의전기신호로부터실제치수측정값과비접촉식치수측정모듈의측정이미지로부터예비치수측정값을구한후 비교해서, 예비치수측정값과실제치수측정값이서로다른때, 측정이미지를축적(scaling)시킨후 측정축적이미지를바탕으로측정대상영역의주변을이미지치수측정을수행하거나, 예비치수측정값과실제치수측정값이동일한때, 측정추가이미지를바탕으로측정대상영역의주변을이미지치수측정을수행하는제어부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101876728B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160183008
申请日：2016-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 제1실리콘층, 절연막과제2실리콘층이순차적으로적층된 SOI기판의제2실리콘층상부와제1실리콘층하부에제1상부보호막및 제1하부보호막을각각형성하는제1단계와, 상기제1상부보호막에캔틸레버아암의두께를조절하기위한제1패턴을형성하는제2단계와, 상기제1패턴으로상기제2실리콘층에캔틸레버아암의두께만큼제1식각영역을형성하는제3단계와, 상기제1패턴이형성된상기제1상부보호막에탐침의상부기울기를형성하기위한제2패턴을형성하는제4단계와, 상기제3단계의제1식각영역을기준으로상기절연막의상부면이노출될때까지상기제2패턴으로상기제2실리콘층을캔틸레버아암의두께만큼남도록제거함에따라상기제2패턴영역에상기캔틸레버아암영역이형성되고, 상기탐침의상부기울기를형성하는제5단계와, 상기제1상부보호막및 상기제1하부보호막을제거하고, 상기제2실리콘층상부전 영역및 상기제1실리콘층하부전 영역에제2상부보호막및 제2하부보호막을각각형성하는제6단계와, 상기제2하부보호막에상기탐침의하부기울기를형성하기위한제3패턴을형성하는제7단계와, 상기제3패턴으로상기제1실리콘층을일부제거하여상기제1실리콘층에제2식각영역을형성하는제8단계와, 상기제3패턴이형성된제2하부보호막에캔틸레버지지대를형성하기위한제4패턴을형성하는제9단계와, 상기제8단계에서의제2식각영역을기준으로상기절연막의하부면이노출될때까지상기제3패턴및 제4패턴으로상기제1실리콘층을제거하여상기캔틸레버지지대를형성하면서상기제1실리콘층을일부만을남기고제거하는제10단계와, 상기제10단계에서노출된상기절연막을제거하여제3식각영역을형성하고, 상기제3식각영역을이용하여상기제2실리콘층을탐침하부기울기를갖도록상기제1실리콘층일부와함께제거하는제11단계와, 상기제1실리콘층일부가제거되면노출된절연막과제2상부보호막및 제2하부보호막을제거하는제12단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는탐침의기울기조절이용이한원자간력현미경의캔틸레버제조방법및 이에의해제조된원자간력현미경의캔틸레버를기술적요지로한다. 이에의해탐침의기울기의조절을용이하게할 수있으며, 캔틸레버아암의선단부를기준으로바깥으로탐침이조절된각도로기울어져형성되도록하여 AFM 측정시 탐침의끝의위치를육안으로확인할수 있도록하여정확한시료정보에대한획득이가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020180078437A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：KR1020160183008
申请日：2016-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 제1실리콘층, 절연막과제2실리콘층이순차적으로적층된 SOI기판의제2실리콘층상부와제1실리콘층하부에제1상부보호막및 제1하부보호막을각각형성하는제1단계와, 상기제1상부보호막에캔틸레버아암의두께를조절하기위한제1패턴을형성하는제2단계와, 상기제1패턴으로상기제2실리콘층에캔틸레버아암의두께만큼제1식각영역을형성하는제3단계와, 상기제1패턴이형성된상기제1상부보호막에탐침의상부기울기를형성하기위한제2패턴을형성하는제4단계와, 상기제3단계의제1식각영역을기준으로상기절연막의상부면이노출될때까지상기제2패턴으로상기제2실리콘층을캔틸레버아암의두께만큼남도록제거함에따라상기제2패턴영역에상기캔틸레버아암영역이형성되고, 상기탐침의상부기울기를형성하는제5단계와, 상기제1상부보호막및 상기제1하부보호막을제거하고, 상기제2실리콘층상부전 영역및 상기제1실리콘층하부전 영역에제2상부보호막및 제2하부보호막을각각형성하는제6단계와, 상기제2하부보호막에상기탐침의하부기울기를형성하기위한제3패턴을형성하는제7단계와, 상기제3패턴으로상기제1실리콘층을일부제거하여상기제1실리콘층에제2식각영역을형성하는제8단계와, 상기제3패턴이형성된제2하부보호막에캔틸레버지지대를형성하기위한제4패턴을형성하는제9단계와, 상기제8단계에서의제2식각영역을기준으로상기절연막의하부면이노출될때까지상기제3패턴및 제4패턴으로상기제1실리콘층을제거하여상기캔틸레버지지대를형성하면서상기제1실리콘층을일부만을남기고제거하는제10단계와, 상기제10단계에서노출된상기절연막을제거하여제3식각영역을형성하고, 상기제3식각영역을이용하여상기제2실리콘층을탐침하부기울기를갖도록상기제1실리콘층일부와함께제거하는제11단계와, 상기제1실리콘층일부가제거되면노출된절연막과제2상부보호막및 제2하부보호막을제거하는제12단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는탐침의기울기조절이용이한원자간력현미경의캔틸레버제조방법및 이에의해제조된원자간력현미경의캔틸레버를기술적요지로한다. 이에의해탐침의기울기의조절을용이하게할 수있으며, 캔틸레버아암의선단부를기준으로바깥으로탐침이조절된각도로기울어져형성되도록하여 AFM 측정시 탐침의끝의위치를육안으로확인할수 있도록하여정확한시료정보에대한획득이가능한이점이있다.
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8.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR101783648B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170072681A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低暗电流雪崩光电二极管，其包括：放大层，其包括形成在所述放大层的中心处的倍增区和形成在所述倍增区周围的非多路复用区; 以及设置在放大层的上侧的光接收部分处的电极，其中电极被布置为包括倍增区域和非多路复用区域的一部分。
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