公开(公告)号：DE10211359A1

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：DE10211359

申请日：2002-03-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNOTT BERNHARD ,  TEMPEL GEORG

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/822 ,  H01L23/544 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/66

Abstract: The invention relates to a detector arrangement (100), a method for the detection of electrical charge carriers and use of an ONO field effect transistor for detection of an electrical charge. The detector arrangement (100) has an ONO field effect transistor embodied on and/or in a substrate (101), for the detection of electrical charge carriers, such that the electrical charge carrier (103) for detection may be introduced into die ONO field effect transistor layer sequence (102), a recording unit (104), coupled to the ONO field effect transistor, for recording an electrical signal characteristic of the amount and/or the charge carrier type for the electrical charge carrier (103) introduced into the ONO layer sequence (102) and an analytical unit for determining the amount and/or the charge carrier type of the electrical charge carrier (103) introduced into the ONO layer sequence (102) from the characteristic electrical signal.

公开(公告)号：DE102016102152A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016102152

申请日：2016-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER SEBASTIAN ,  WIETSCHORKE HELMUT ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  THEUSS HORST ,  KNOTT BERNHARD ,  MUELLER THOMAS ,  ALLMEIER ANDREAS

IPC: H01L23/28 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18

Abstract: Ein Form-Halbleitergehäuse umfasst ein Substrat, das entgegengesetzte erste und zweite Hauptoberflächen, einen an die erste Hauptoberfläche des Substrats angebrachten Halbleiternacktchip, ein Haftanpassstück, das an der zweiten Hauptoberfläche des Substrats oder einer dem Substrat abgewandten Oberfläche des Halbleiternacktchips angebracht ist, und eine Formmasse aufweist, die den Halbleiternacktchip, das Haftanpassstück und zumindest einen Teil des Substrats einkapselt. Das Haftanpassstück ist konfiguriert, um Hafteigenschaften der Formmasse an Hafteigenschaften des Substrats oder Halbleiternacktchips, an dem das Haftanpassstück angebracht ist, derart anzupassen, dass die Formmasse am Haftanpassstück stärker haftet als direkt am Substrat oder Halbleiternacktchip, an dem das Haftanpassstück angebracht ist. Das Haftanpassstück weist ein Oberflächenmerkmal auf, das die Haftung zwischen dem Haftanpassstück und der Formmasse festigt.

公开(公告)号：DE102013114155B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102013114155

申请日：2013-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  KNOTT BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: H01F41/02 ,  H01F17/04 ,  H01L21/98 ,  H01L25/00 ,  H01L27/08 ,  H01L27/24

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Chipanordnung geschaffen, wobei das Verfahren aufweist: Anordnen zumindest eines Chips mit zumindest einem Kontaktpad auf einem ersten Teil eines Carriers; Herstellen eines Induktorkerns gemäß folgenden Verfahren: Ausbilden eines ersten elektrischen Leiters auf einer ersten Oberfläche eines plattenförmigen Magnetkerns; Ausbilden eines zweites elektrischen Leiters auf einer zweiten Oberfläche des plattenförmigen Magnetkerns, welche der ersten Oberfläche gegenüberliegt; und Ausbilden des Induktorkerns mittels Zerteilens des plattenförmigen Magnetkerns quer zu dem ersten elektrischen Leiter und dem zweiten elektrischen Leiter, wobei der Induktorkern nur auf zwei Seiten elektrische Leiter aufweist, Anordnen des Induktorkerns auf einem zweiten Teil des Carriers derart, dass die erste Oberfläche des zumindest einen Induktorkerns senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Carriers angeordnet ist; Kontaktieren des zumindest einen Kontaktpads mit einem von dem ersten oder zweiten elektrischen Leiter des Induktorkerns.

公开(公告)号：DE102013111163A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102013111163

申请日：2013-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  DEHE ALFONS ,  KNOTT BERNHARD ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Ein Verfahren zum Fertigen eines MEMS-Bauelements wird offenbart. Ferner werden ein MEMS-Bauelement und ein Modul, das ein MEMS-Bauelement aufweist, offenbart. Eine Ausführungsform weist ein Verfahren zum Fertigen von MEMS-Bauelementen auf, das Bilden eines MEMS-Stapels (120) auf einer ersten Hauptoberfläche (111) eines Substrats (110), Bilden einer Polymerschicht (140) auf einer zweiten Hauptoberfläche (112) des Substrats (110) und Bilden einer ersten Öffnung (118; 154) in der Polymerschicht (140) und dem Substrat (110), sodass die erste Öffnung (118; 154) an den MEMS-Stapel angrenzt, aufweist.

公开(公告)号：DE102011010248B3

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：DE102011010248

申请日：2011-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FRANK MANFRED ,  BERGER RUDOLF DR ,  HOECKELE UWE ,  KNOTT BERNHARD ,  KRUMBEIN ULRICH ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SCHUDERER BERTHOLD ,  WAGNER JUERGEN DR ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbausteins mit einer Seitenwandisolation weist folgende Merkmale auf: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer der ersten Seite (11) gegenüberliegenden zweiten Seite (12), – Erzeugen von mindestens zwei mit Isolationsmaterial (13) zumindest teilweise gefüllten ersten Gräben (14) ausgehend von der ersten Seite (11) in Richtung zur zweiten Seite (12) in den Halbleiterkörper (10) hinein, wobei die mindestens zwei ersten Gräben (14) zwischen einem ersten Halbleiterkörperbereich (10a) für einen ersten Halbleiterbaustein (20) und einem zweiten Halbleiterkörperbereich (10b) für einen zweiten Halbleiterbaustein (30) erzeugt werden, – Erzeugen eines Trenngrabens (15) ausgehend von der ersten Seite (11) des Halbleiterkörpers (10) in Richtung zur zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) zwischen zwei dieser ersten Gräben und zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterkörperbereich (10a, 10, 17) des Trenngrabens (15) mindestens ein Teil des Isolationsmaterials zumindest einer der ersten Gräben (14) angrenzt, – Zumindest teilweises Entfernen der zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) bis zum Trenngraben (15).

公开(公告)号：DE102008047395B4

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：DE102008047395

申请日：2008-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNOTT BERNHARD ,  HOEGLAUER JOSEF ,  JANSEN UWE

IPC: H01L27/08 ,  H01F17/00 ,  H01L21/822

公开(公告)号：DE102013111163B4

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102013111163

申请日：2013-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  DEHE ALFONS ,  KNOTT BERNHARD ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Verfahren zum Fertigen von MEMS-Bauelementen (105; 205; 305), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Dünnen eines Halbleitersubstrats (110; 210; 310) auf eine Dicke von 50 µm bis 200 µm;Bilden eines MEMS-Stapels (120; 220; 320) auf einer ersten Hauptoberfläche (111; 211; 311) des Halbleitersubstrats (110; 210; 310);Bilden einer Polymerschicht (140; 250; 340) mit einer Dicke in einem Bereich von 50 µm bis 300 µm auf einer zweiten Hauptoberfläche (112; 212; 312) des Halbleitersubstrats (110; 210; 310); undBilden einer ersten Öffnung (154; 254; 344) in der Polymerschicht (140; 250; 340) und dem Halbleitersubstrat(110; 210; 310), sodass die erste Öffnung (154; 254; 344) an den MEMS-Stapel (120; 220; 320) angrenzt.

公开(公告)号：DE102017123175A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：DE102017123175

申请日：2017-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VAUPEL MATHIAS ,  KNOTT BERNHARD ,  THEUSS HORST

IPC: H01L21/56 ,  B81C1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils. Das Verfahren beinhaltet ein Bereitstellen eines Gehäuses. Zumindest ein Halbleiter-Chip ist in einem Hohlraum des Gehäuses angeordnet. Weiterhin ist ein elektrischer Kontakt des Halbleiter-Chips über einen Bonddraht mit einem elektrischen Kontakt des Gehäuses verbunden. Das Verfahren beinhaltet ferner ein Aufbringen eines Schutzmaterials auf den elektrischen Kontakt des Halbleiter-Chips sowie einen an den elektrischen Kontakt des Halbleiter-Chips anschließenden Bereich des Bonddrahts und/oder auf den elektrischen Kontakt des Gehäuses sowie einen an den elektrischen Kontakt des Gehäuses anschließenden Bereich des Bonddrahts. Zudem beinhaltet das Verfahren noch ein Verfüllen zumindest eines Teilbereichs des Hohlraums mit einem Gel.

公开(公告)号：DE102012100027A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102012100027

申请日：2012-01-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  KNOTT BERNHARD ,  STRASSER ANDREAS ,  WAHL UWE ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L25/065

Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein Verfahren zur Übertragung eines Signals offenbart. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Halbleiterbauelement einen ersten Halbleiterchip (100), der eine erste Spule (130) aufweist, einen zweiten Halbleiterchip (200), der eine zweite Spule (240), die induktiv mit der ersten Spule (130) gekoppelt ist, aufweist, und eine isolierende Zwischenschicht (270) zwischen dem ersten Halbleiterchip (100) und dem zweiten Halbleiterchip (200) auf.

公开(公告)号：DE102013114155A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102013114155

申请日：2013-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  KNOTT BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: H01F17/04 ,  H01L25/00 ,  H01L27/08 ,  H01L27/24 ,  H01L41/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Induktorkerns geschaffen, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden eines ersten elektrischen Leiters auf einer ersten Oberfläche eines plattenförmigen Magnetkerns; Ausbilden eines zweites elektrischen Leiters auf einer zweiten Oberfläche des plattenförmigen Magnetkerns, welche der ersten Oberfläche gegenüberliegt; und Ausbilden des Induktorkerns mittels Zerteilens des plattenförmigen Magnetkerns quer zu dem ersten elektrischen Leiter und dem zweiten elektrischen Leiter.