-
公开(公告)号：KR1020160075968A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020140184731
申请日：2014-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은반사광을이용한집광형태양전지모듈에관한것으로서, 태양광을집광하는광학시스템과, 상기광학시스템에의해집광된태양광이입사되는태양전지셀을포함하여구성되어, 태양광발전을일으키는태양전지모듈에있어서, 내부에반사공간이형성되고, 내측면에복수개의태양전지셀이장착되는케이스와, 상기케이스의일측이오픈형성되어, 상기광학시스템에의해집광된태양광이상기케이스내부로입사되도록형성된광입사부와, 상기케이스의내부저면부에형성되어, 상기광입사부에의해입사된태양광을상기반사공간으로반사시키도록형성된반사부및 상기케이스의내부표면에형성되어, 상기반사부에의해반사광을확산반사시켜태양전지셀에제공하는확산반사부를포함하여구성되는것을특징으로하는반사광을이용한집광형태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해단일광학시스템외에별도의광학시스템이필요하지않으며, 트래킹시스템의오차에의해초점이어긋나는경우에도입사하는태양광을반사시켜태양전지셀로제공하도록하며, 다수의태양전지셀을단일모듈로제공하여장치의구성이간단하고, 설치가편리한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用包含收集太阳光的光学系统和由光学系统收集的太阳光入射的太阳能电池单元的反射光的集光太阳能电池模块，其包括：形成有反射空间的壳体 并且允许多个太阳能电池单元安装在其内表面上; 光入射部分，通过打开壳体的一侧并允许由光学系统收集的阳光入射到壳体的内部; 反射部分形成在壳体内的下表面部分上，并且允许入射部分的入射太阳光反射到反射空间; 以及形成在壳体的内表面上的扩散和反射部分，并且漫射和反射由反射部分反射的光，以向太阳能电池单元提供漫射和反射的光。 根据本发明，不需要除了单一光学系统之外的任何额外的光学系统，并且即使由于跟踪系统的误差而导致误聚焦的情况下，入射的太阳光也可被反射并提供给太阳能电池单元 。 此外，由于多个太阳能电池单元被提供为单个模块，因此简化了设备配置并且其安装容易。
-
公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR101576471B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기감광성금속유기물전구체층을상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기감광성금속유기물전구체층을경화하여금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기 Pillar-type 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를상기금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR101564710B1
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020140063619
申请日：2014-05-27
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61N5/06 , A61B5/0478 , C12M1/42
Abstract: 본발명은발광소자가집적된탐침의제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판상의일부영역에발광소자형성을위한정렬키를형성하고, 제1전극층을형성하는제2단계와, 상기정렬키를기준으로하여발광파장이다른복수개의발광소자를상기기판상에형성하는제3단계와, 상기기판상에형성되며, 상기발광소자와전기적으로연결된금속배선전극을형성하는제4단계와, 상기발광소자와, 상기기판상의전 영역및 상기금속배선전극을감싸도록절연막을형성하는제5단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하는제6단계와, 상기기판의두께를낮추기위해폴리싱또는에칭하는제7단계와, 상기기판상에서탐침모양의패턴을분리하는제8단계를포함하여이루어진것을특징으로하는파장제어가가능한탐침의제조방법및 이에의해제조된탐침을기술적요지로한다. 이에의해, 단일의탐침(기판) 상에발광파장이다른복수개의발광소자를형성함으로써, 한개의탐침으로다양한파장영역대의발광이가능하도록하여, 선택적으로신경의활성과억제의제어가가능하여의학적효용성이매우높으며, 제품의단가를낮추고, 공정의간단화로제품수율을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造与发光二极管集成的探针的方法，更具体地，涉及一种用于制造能够控制波长的探针的方法以及由此制造的探针，其包括：制备基底的第一步骤 ; 形成用于在所述基板的一些区域上形成发光二极管的对准键以形成第一电极层的第二步骤; 基于对准键在基板上形成具有不同发射波长的多个发光二极管的第三步骤; 在与所述发光二极管电连接的基板上形成金属配线电极的第四工序; 形成绝缘膜以覆盖发光二极管，基板上的整个区域和金属互连电极的第五步骤; 在衬底上形成图案以形成探针的第六步骤; 抛光或蚀刻基板以减小基板的厚度的第七步骤; 以及从基板分离探针形图案的第八步骤。 因此，在单个探针（基板）上形成具有不同发射波长的多个发光二极管，以允许单个探针发射各种波长带的光并选择性地控制神经的激活或抑制，从而提供非常高的临床效用，减少 单位产品成本，并简化了提高产量的过程。
-
95.发明公开습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 ＩｎＧａＡｌＰ계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의한 혼합패턴이 형성된 ＩｎＧａＡｌＰ계 발광 다이오드 无效因此，采用InGaAlP发光二极管的复合图案的制造方法使用湿式蚀刻和InGaAlP发光手电筒
公开(公告)号：KR1020150033318A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020130113166
申请日：2013-09-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22 , H01L21/3063
Abstract: 본발명은습식식각을통한혼합패턴의제조방법및 이를이용한광전자소자에관한것으로, 발광다이오드의제조방법에있어서, 기판상에제1도전형 InGaAlP층을형성하는단계, 상기제1도전형 InGaAlP층상에 InGaAlP 다중양자우물층을형성하는단계, 상기 InGaAlP 다중양자우물층상층에제2도전형 InGaAlP층을형성하는단계, 상기제2도전형 InGaAlP층상에포토레지스트패턴을형성하여 1차패턴을결정짓는마스크패턴층을형성하는단계, 상기마스크패턴층을마스크로하여습식식각을진행하여상기 1차패턴의모양에대응하여 2차패턴을형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는습식식각을통한혼합패턴이형성된 InGaAlP계발광다이오드의제조방법및 이에의해제조된혼합패턴이형성된 InGaAlP계발광다이오드를기술적요지로한다. 이에의해일반적인사진공정방법과습식식각으로두 가지이상의혼합된혼합패턴을제조함으로써, 하나의패턴또는표면거칠기로이루어지는광추출구조에비해우수한광추출구조를매우단순한공정으로제조할수 있어, 발광다이오드분야에널리용이하게적용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过湿蚀刻制造混合物图案的方法和使用其的光电子元件。 更具体地说，本发明涉及通过湿蚀刻制造具有混合图案的InGaAlP基发光二极管（LED）的方法和由其制造的混合图案的InGaAlP基LED。 通过湿蚀刻制造具有混合图案的InGaAlP基LED的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一导电型InGaAlP层; 在第一导电型InGaAlP层上形成InGaAlP多量子阱层; 在所述InGaAlP多量子阱层上形成第二导电型InGaAlP层，在所述第二导电型InGaAlP层上形成光致抗蚀剂图案，以形成确定第一图案的掩模图案层，并使用所述掩模图案层进行湿蚀刻 掩模，以形成对应于第一图案的形状的第二图案。 通过通过一般的光刻法和湿式蚀刻制造包括两种或更多种图案的混合图案，与包括单一图案或表面粗糙度的光提取结构相比，可以通过非常简单的工艺制造出优异的光提取结构，因此 ，本发明可广泛应用于LED领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101450518B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130119823
申请日：2013-10-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: The present invention relates to an electron beam lithography apparatus adjusting an electron beam focus in accordance to the type of substrate, and to a method to adjust focus of the same. According to the present invention, the method to adjust a focus of the electron beam lithography apparatus comprises the steps of: measuring the height of a substrate; regarding a height map showing measurement error of the measured height to adjust the measured height; and adjusting a focus of an electron beam irradiated in accordance to the adjusted height.
Abstract translation: 本发明涉及一种根据衬底的类型调整电子束聚焦的电子束光刻设备及其调整焦点的方法。 根据本发明，调整电子束光刻设备的焦点的方法包括以下步骤：测量衬底的高度; 关于高度图显示测量高度的测量误差，以调整测量的高度; 以及调整根据调节高度照射的电子束的焦点。
-
97.发明授权글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权因此，用于玻璃基座探针卡的空间变压器和玻璃基座探针卡的空间变压器的制造方法
公开(公告)号：KR101441632B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020120156763
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것으로서, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법에 있어서, 글라스 기판을 준비하는 제1단계와, 상기 글라스 기판 상에 비아홀 형성을 위한 마스크 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 글라스 기판에 상기 마스크 패턴층의 설정패턴에 따라 비아홀을 형성하는 제3단계와, 상기 비아홀에 도전재를 채우는 제4단계와, 상기 비아홀과 전기적으로 연결되며, 상기 글라스 기판 표면에 금속배선전극을 형성하는 제5단계 및 상기 글라스 기판 상에 금속배선전극 간 절연을 위한 절연막을 형성하는 제6단계포함하며, 상기 제1단계에서 제6단계를 반복하여 형성되는 제1층의 글라스 기판 스페이스 트랜스포머를 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것이다. 이에 의해 본 발명은, 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 사용하지 않기 때문에 수축 및 팽창으로 인한 스페이스 트랜스포머의 변형이 발생하지 않아 수율을 향상시킴으로써 생산성을 향상 시키고 제조비용이 절감시키는 이점이 있다.
-
公开(公告)号：KR101419531B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120152813
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정 또는 KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 있어서, 기판에 금속산화물 시드층을 형성한 후 임프린팅 공정에 의한 레진패턴층을 형성한 후 건식 식각 공정을 거쳐 상기 금속산화물 시드층을 노출시키거나, KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 레진패턴층을 형성하여 상기 금속산화물 시드층을 노출시켜, 수열 합성법을 이용하여 상기 금속산화물 시드층으로부터 금속산화물 나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 다양한 형상, 크기 및 패터닝의 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있고, 비교적 저가로 제공할 수 있으며, 대면적의 금속산화물 나노구조체의 정렬을 용이하게 하며, 금속산화물 나노구조체의 유착 또는 변형을 방지하고, 균일한 나노구조체의 형성 및 배열이 가능한 이점이 있다.
-
99.发明授权
公开(公告)号：KR101419524B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120153420
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 발광 다이오드 소자에 있어서, 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상층에 레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 레지스트층을 패터닝하여 3차원 블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계, 상기 3차원 블락킹 마스크 상층 및 기판 상층에 블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계, 상기 3차원 블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 블락킹 패턴을 형성하는 제4단계 및 상기 3차원 블락킹 패턴 형성 후 반도체층을 증착하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판 상에 3차원 블락킹 패턴을 형성하여 반도체층 형성시 발생하는 결함을 줄여서 발광 다이오드 소자의 효율을 개선시키는 이점이 있다.
-
公开(公告)号：KR1020140087253A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120156765
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to a method of forming an electrode of an electric power generation device using self-generated electricity of the electric power generation device. The method of forming the electrode of the electric power generation device includes a first step of immersing a substrate of the electric power generation device, which generates electron-hole pairs when energy is applied, into a plating solution; a second step of transmitting energy by changing an energy transmitting condition required when the electric power generation device generates the electricity; and a third step of plating with the self-generated electricity of the electric power generation device to form the electrode of the electric power generation device. Since a seed metal is not necessary, different from the conventional electrode forming method of a solar cell or the like using a light induced plating process, process time and costs can be shortened. The characteristic of the electric power generation device is improved by the simplified process. In addition, since the light source transmitting condition to generate the electricity is changed to adjust characteristics, such as plating speed, density and structure of the plating electrode, thereby forming the high quality electrode suitable for the characteristic of the electric power generation device to be used.
Abstract translation: 本发明涉及一种利用发电装置的自发电形成电力发电装置的电极的方法。 形成发电装置的电极的方法包括：将施加能量时产生电子 - 空穴对的发电装置的基板浸渍在电镀液中的第一工序; 通过改变发电装置产生电力所需的能量传递条件来发送能量的第二步骤; 以及第三步骤，利用发电装置的自发电电镀以形成发电装置的电极。 由于不需要种子金属，因此与使用光诱导电镀工艺的太阳能电池等的常规电极形成方法不同，可以缩短处理时间和成本。 通过简化的过程改善了发电装置的特性。 此外，由于改变发光的光源发送条件，能够调整电镀速度，电镀电极的密度，结构等特性，从而形成适合于发电装置特性的高品质电极为 用过的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.031 seconds)
