公开(公告)号：FR2987168B1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1300612

申请日：2013-03-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

公开(公告)号：DE102013019851A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013019851

申请日：2013-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Halbleiterbauelement umfassend einen Halbleiterkörper eines ersten Leitungstyps und eine Metallschicht an dem Halbleiterkörper, wobei die Metallschicht mit dem Halbleiterkörper einen Schottkykontakt entlang einer Kontaktfläche ausbildet. Eine Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps variiert an der Kontaktfläche entlang einer Richtung der Kontaktfläche.

公开(公告)号：FR3002081A1

公开(公告)日：2014-08-15

申请号：FR1400204

申请日：2014-01-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  RUHL GUENTHER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS JOACHIM

IPC: H01L21/58

Abstract: Plaquette (10) composite qui comprend : - un substrat (11) comprenant un cœur (12) en carbone poreux et une couche (14) d'encapsulation, et - une couche (18) fonctionnelle à base de SiC liée sur le substrat (11), la couche (18) fonctionnelle comprenant, à une région (17) d'interface avec la couche (14) d'encapsulation, au moins un carbure formé par la réaction d'une partie de la couche (18) fonctionnelle sur un métal formant du carbure, la quantité de métal formant du carbure intégrée sur l'épaisseur de la couche (18) fonctionnelle allant de 10-4 mg/cm2 à 0,1 mg/cm2.

公开(公告)号：DE102007009227B4

公开(公告)日：2009-01-02

申请号：DE102007009227

申请日：2007-02-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TREU MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  RUEB MICHAEL

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: A semiconductor component is proposed which has a semiconductor body having a first semiconductor zone of the first conduction type, at least one first rectifying junction with respect to the first semiconductor zone, at least one second rectifying junction with respect to the first semiconductor zone, wherein the three rectifying junctions each have a barrier height of different magnitude.

公开(公告)号：DE10220396B4

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：DE10220396

申请日：2002-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAPELS HOLGER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Semiconductor component (10) has a semiconductor area (20) with a comparatively high heat conductivity and a Schottky contact area (30) and connects to a contact/heat-extractor element (40). The Schottky contact area makes a direct electrical and mechanical contact with the contact/heat extractor element.

公开(公告)号：DE10022268A1

公开(公告)日：2001-11-29

申请号：DE10022268

申请日：2000-05-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HERFURTH MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  ZVEREV ILIA

IPC: H01L23/13 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48

Abstract: The invention relates to a semiconductor component comprising two semiconductor bodies (3, 11), which are spatially separated from one another and electrically interconnected. According to the invention, a compensation MOS field effect transistor (23) is provided as the first semiconductor body (3), and a silicon carbide Schottky diode is provided as the second semiconductor body (11).

公开(公告)号：DE10004983C1

公开(公告)日：2001-09-13

申请号：DE10004983

申请日：2000-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L23/62 ,  H02M3/28 ,  H02H7/20

Abstract: A protection device for a Schottky diode is described. The protection device has a cascade circuit with at least two Si-PIN diodes provided parallel to the Schottky diode. The protection device protects against momentary over-current pulses reliably and without a high outlay in terms of cost and necessary materials for forming the protection device.

公开(公告)号：DE102018106670B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102018106670

申请日：2018-03-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SPULBER OANA ,  RUPP ROLAND

IPC: H10D30/60 ,  H10D12/00 ,  H10D62/832

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer Vorderseite in einen Siliziumcarbidbereich (100) erstrecken;ein Sourcegebiet (110), das in einem oberen Bereich eines Mesaabschnitts (180) des Siliziumcarbidbereichs (100) zwischen den Graben-Gatestrukturen (150) ausgebildet ist; undein gate-gesteuertes Kanalgebiet (120) in dem Mesaabschnitt (180), wobei das gate-gesteuerte Kanalgebiet (120) an das Sourcegebiet (110) grenzt und dafür konfiguriert ist, innerhalb absoluter maximaler Nennwerte der Halbleitervorrichtung (500) vollständig zu verarmen, wobeii) das gate-gesteuerte Kanalgebiet (120) einen ersten Übergang (j1) mit dem Sourcegebiet (110) bildet und der erste Übergang (j1) ein n+/n-Übergang oder ein p+/p-Übergang ist; oderii) das gate-gesteuerte Kanalgebiet (120) einen ersten Übergang (j1) mit dem Sourcegebiet (110) bildet und der erste Übergang (j1) ein n+/i-Übergang oder ein p+/i-Übergang ist; oderiii) das gate-gesteuerte Kanalgebiet (120) einen ersten Übergang (j1) mit dem Sourcegebiet (110) bildet und der erste Übergang (j1) ein pn-Übergang ist, wobei eine obere Grenze einer Breite des Mesaabschnitts (180) durch eine Verarmungsbreite Wdepwie folgt festgelegt ist:Wdep=4εSiCε0kTln(NA/ni)e2NAwobei εSiCdie relative Permittivität des Siliziumcarbidbereichs (100), ε0die Vakuum-Permittivität, e die Elementarladung, nidie intrinsische Trägerdichte von SiC, NAdie Dotierkonzentration in dem gate-gesteuerten Kanalgebiet (120), und T die Temperatur sind.

公开(公告)号：DE102016100565B4

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102016100565

申请日：2016-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L29/739

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Wafers, wobei das Verfahren aufweist:Einführen von Fremdstoffen in einen Teil eines Halbleitersubstrats (101) an einer ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (101) durch Ionenimplantation, wobei die Fremdstoffe geeignet sind, um elektromagnetische Strahlung einer Energie kleiner als eine Bandlückenenergie des Halbleitersubstrats zu absorbieren (S100), danachBilden einer Halbleiterschicht (103) auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (101) durch einen epitaktischen Prozess (S110),Bestrahlen des Halbleitersubstrats (101) mit elektromagnetischer Strahlung (105), die geeignet ist, um durch die Fremdstoffe absorbiert zu werden, und geeignet ist, um eine lokale Schädigung (107) eines Kristallgitters des Halbleitersubstrats (101) zu erzeugen (S120), undTrennen der Halbleiterschicht (103) als Wafer vom Halbleitersubstrat (101) durch thermisches Prozessieren des Halbleitersubstrats (101) und der Halbleiterschicht (103), geeignet, um eine Trennung durch Rissbildung längs der lokalen Schädigung (107) des Kristallgitters durch thermomechanische Spannung zu verursachen (S130).

公开(公告)号：DE102016116499B4

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE102016116499

申请日：2016-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden von Halbleiterbauelementen, umfassend:Anbringen (10) einer Glasstruktur an einem Halbleiterwafer mit breitem Bandabstand, umfassend eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen;Bilden (20) von zumindest einer Anschlussflächenstruktur, die mit zumindest einer Dotierungsregion eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die Glasstruktur erstreckt;Anbringen einer weiteren Glasstruktur an einer Rückseite des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand; undBilden von zumindest einer elektrisch leitfähigen Struktur, die mit einer Rückseite des Halbleitersubstrats elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die weitere Glasstruktur erstreckt,wobei die Halbleiterbauelemente der Mehrzahl von Halbleiterbauelementen jeweils ein Halbleitersubstrat, das Teil eines Halbleitersubstrats des Halbleiterwafers mit breitem Bandabstand ist, und eine Glasteilstruktur der Glasstruktur umfassen, wobei die Glasteilstruktur mit einer vertikalen Oberfläche eines Randes des Halbleitersubstrats in Kontakt ist.