公开(公告)号：CN102256430B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110075718.3

申请日：2011-02-15

Applicant: FEI公司

Inventor： A·格劳佩拉 ,  S·克罗格 ,  T·米勒 ,  D·劳尔 ,  S·张 ,  A·B·W·迪里瓦希特

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/24 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/36

Abstract: 本发明涉及用于感应耦合等离子体离子源的等离子体点燃器。公开了一种聚焦离子束(FIB)系统，该系统包括：感应耦合等离子体离子源；包含等离子体的绝缘等离子体室；传导源偏置电极，与等离子体接触并偏置到高压以控制样品和多个孔处的离子束能量。等离子体室内的等离子体用作包括一个或多个透镜的离子镜筒的虚拟源，所述透镜把聚焦离子束形成在待被成像和/或FIB处理的样品的表面上。等离子体由装配在镜筒附近或在镜筒处的等离子体点燃器启动，所述等离子体点燃器在源偏置电极上诱导高压振荡脉冲。通过在镜筒附近装配等离子体点燃器，连接源偏置电极到偏置电源的电缆的电容性影响被最小化。通过合适的孔材料选择，使孔的离子束溅射最小化。

公开(公告)号：CN103733296B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201280040502.6

申请日：2012-05-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 武藤博幸 ,  川浪义实

IPC: H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J37/28 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/31749

Abstract: 在现有的气体离子化室中，存在为了避免辉光放电，只使气压下降，无法通过提高气体导入压力，增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力，增大离子电流，并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体，不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外，通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气，优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。

公开(公告)号：CN102842474B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110175692.X

申请日：2011-06-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所

Inventor： 刘华荣

IPC: H01J9/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/06

CPC classification number: C23F4/02 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J27/26 ,  H01J37/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2237/0807

Abstract: 本发明提供了一种用于制造粒子源的方法，包括：将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体，对金属丝的温度进行调节，并对金属丝施加正高压V，使得金属丝表面的活性气体离解，在金属丝头部侧面产生刻蚀带，在该刻蚀带内发生场致刻蚀；场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强，直到大于金属丝材料的场致蒸发电场，使得此处的金属原子被蒸发出去；在场致刻蚀触发了场致蒸发之后，场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成，其中场致刻蚀发生在侧面，形成了底座，而场致蒸发发生在顶端，形成了针尖；以及当获得具有预定形状的金属丝头部时，停止场致刻蚀和场致蒸发。

公开(公告)号：CN102804328B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN102598195B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080041464.7

申请日：2010-09-20

Applicant: FEI公司 ,  美国商务部国家标准和科技研究所

Inventor： J.J.麦克莱兰 ,  B.J.克努夫曼 ,  A.V.斯蒂尔 ,  J.H.奥尔洛夫

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/04

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31749

Abstract: 离子束系统使用诸如阻性管的单独加速电极来在保持扩展、亦即分布式离子源处的低电场的同时将离子加速，从而改善分辨率。可以使用磁光陷阱作为离子源。

公开(公告)号：CN104900470A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510006559.X

申请日：2015-01-07

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： W·德维尔吉欧 ,  S·萨瓦斯 ,  S·费尔奇 ,  盛天予 ,  陈皞

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 一种用于工件的材料改性的基于等离子体的材料改性系统可包括耦接至工艺腔的等离子体源腔。被配置成支撑工件的支撑结构可布置在工艺腔内。等离子体源腔可包第一多个磁体、第二多个磁体和第三多个磁体，第三多个磁体围绕等离子体源腔内的等离子体产生区域。等离子体源腔可被配置成在等离子体产生区域内产生具有离子的等离子体。第三多个磁体可被配置成限制等离子体产生区域内能量大于10eV的等离子体的大多数电子同时允许来自等离子体的离子穿过第三多个磁体而进入处理腔以用于工件的材料改性。

公开(公告)号：CN104885186A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380049073.3

申请日：2013-08-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  艾德沃·W·比尔 ,  玛尼·斯尔达斯奇

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31706

Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。

公开(公告)号：CN102934195B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180027850.5

申请日：2011-04-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  杰·舒尔 ,  约瑟·欧尔森 ,  法兰克·辛克莱 ,  丹尼尔·迪斯塔苏

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/0815 ,  H05H1/30

Abstract: 揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。

公开(公告)号：CN104752127A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410822189.2

申请日：2014-12-25

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 佐藤正辉

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082

Abstract: 本发明提供一种能够减少反射极的绝缘性降低的支承结构及离子发生装置。离子发生装置(10)具备：电弧室(12)；反射极(62)，具有设置于电弧室内的反射板(64)、及插通于连通电弧室(12)内外的贯穿孔(60)的反射极延长部(66)；以及支承结构(70)，设置于电弧室(12)的外侧，并以确保反射极延长部(66)与贯穿孔(60)的内壁之间的间隙(60a)的方式支承反射极。支承结构(70)具有：罩部件(80)，在电弧室(12)的外部划分与间隙(60a)连通的小室(88)；以及绝缘部件(72)，将电弧室(12)与反射极(62)之间电绝缘。

公开(公告)号：CN104576270A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310507651.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 高升

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/36 ,  H01J37/10

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/10 ,  H01J37/36 ,  H01J2237/1035

Abstract: 一种质量分析器与平行透镜等电位装置，包括：1气缸、2气缸支架、3放电棒、4放电板、5螺母、6接近开关、7连接电缆、8直通接头，9接近开关安装组件等。其特征在于，放电棒在气缸活塞杆的带动下可靠地与放电板接触，实现质量分析器与平行透镜电位相同。本发明的结构稳定可靠，通过接近开关可以检测气缸是否运动，从而通知上位机该装置是否运动。