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公开(公告)号：KR1020100059364A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080118110
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element, a thermoelectric element module and a formation method of the thermoelectric element are provided to reduce costs and mass-produce the thermoelectric element by forming the thermoelectric element on a substrate plane with a lamination type. CONSTITUTION: A first semiconductor nanowire(110) of a first challenge type includes a first barrier region(112). A second semiconductor nanowire(120) of a second challenge type includes a second barrier region. A first electrode(130) is connected to one phase of the first semiconductor nanowire. A second electrode(140) is connected to one phase of the second semiconductor nanowire. A common electrode(150) is connected to the other terminal of the first semiconductor nanowire and the second semiconductor nanowire. A thermal conductivity of the first barrier region is greater than the thermal conductivity of the first semiconductor nanowire.
Abstract translation: 目的：提供热电元件，热电元件模块和热电元件的形成方法，以通过在层叠型基板平面上形成热电元件来降低成本并大量生产热电元件。 构成：第一种类型的第一半导体纳米线（110）包括第一阻挡区（112）。 第二挑战型的第二半导体纳米线（120）包括第二阻挡区域。 第一电极（130）连接到第一半导体纳米线的一相。 第二电极（140）连接到第二半导体纳米线的一相。 公共电极（150）连接到第一半导体纳米线和第二半导体纳米线的另一个端子。 第一阻挡区域的热导率大于第一半导体纳米线的热导率。
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132.发明公开
公开(公告)号：KR1020100056072A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020080115049
申请日：2008-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02M1/08 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: PURPOSE: A switching circuit using a dynamic threshold voltage device and a low area high efficiency DC-DC converter for a mobile unit including the same uses are provided to minimize a conduction loss in action mode by using a DT-CMOS transistor in which has threshold voltage it dynamics as the switching element. CONSTITUTION: A switching circuit(200) comprises a normal mode action unit(210) acting in normal mode and a standby mode operation unit(230) acting in hold mode. The normal mode action unit includes a first DT-CMOS transistor(Q1) and a second DT-CMOS transistor(Q2) with dynamic threshold voltage, and a first MOS transistor(M21) and a second MOS transistor(M22) in which are connected to diode. The standby mode operation unit comprises the first, second inverter and a third, and a forth MOS transistor. In a gate of the first DT-CMOS transistor, the source of the first MOS transistor is connected.
Abstract translation: 目的：提供使用动态阈值电压装置和低面积高效率DC-DC转换器的开关电路，用于包含相同用途的移动单元，以通过使用具有阈值的DT-CMOS晶体管来最小化动作模式下的导通损耗 将其动态电压作为开关元件。 构成：切换电路（200）包括作用于正常模式的正常模式动作单元（210）和作用于保持模式的待机模式操作单元（230）。 正常模式动作单元包括具有动态阈值电压的第一DT-CMOS晶体管（Q1）和第二DT-CMOS晶体管（Q2），以及连接有第一MOS晶体管（M21）和第二MOS晶体管（M22）的第一MOS晶体管 到二极管。 待机模式操作单元包括第一，第二反相器和第三和第四MOS晶体管。 在第一DT-CMOS晶体管的栅极中，连接第一MOS晶体管的源极。
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公开(公告)号：KR100943173B1
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020070118064
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0086 , Y02E10/542
Abstract: 에너지 효율을 높일 수 있는 염료감응 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 서로 대향하고 있는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하되, 상기 제1 전극은 투명한 다공성 전도층 및 상기 다공성 전도층의 공극과 상기 다공성 전도층의 상기 제2 전극을 향한 표면에 형성되어 있는 나노입자 반도체 산화물 및 상기 나노입자 반도체 산화물층에 흡착되어 있는 염료분자를 포함한다.
염료감응 태양전지, 다공성 전도층, 공극, 나노입자 반도체 산화물, 염료분자-
公开(公告)号：KR100932903B1
公开(公告)日：2009-12-21
申请号：KR1020070098886
申请日：2007-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5206 , H01L51/442 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: The present invention provides a conductive substrate structure with controlled nanorod density so that the contact between a conductive substrate and an active layer can be expanded, and a method of manufacturing the conductive substrate structure. The conductive substrate structure includes: a base substrate (100), and a conductive substrate (200) formed on the base substrate (100), and surface treated with an organic molecule; and nanorods (300) grown from a seed layer applied on the conductive substrate, wherein the seed layer is applied only on a predetermined region of the conductive substrate by using the self-assembling characteristics of the organic molecule, and thus, controlling the density of the nanorods (300). Furthermore, the method of manufacturing the substrate structure includes: treating a conductive substrate (200), formed on top of a base substrate (100), with an organic molecule; applying the seed layer only to a predetermined region of the conductive substrate by using the self-assembling characteristics of the organic molecules: and growing nanorods (300) with a controlled density from the seed layer.
Abstract translation: 本发明提供一种具有可控纳米棒密度的导电衬底结构，从而可以扩大导电衬底和有源层之间的接触，以及制造该导电衬底结构的方法。 导电基板结构包括：基底基板（100）和形成在基底基板（100）上并用有机分子表面处理的导电基板（200） 以及从施加在导电基板上的种子层生长的纳米棒（300），其中通过使用有机分子的自组装特性仅将种子层施加到导电基板的预定区域上，并且因此控制 纳米棒（300）。 此外，制造衬底结构的方法包括：用有机分子处理在基础衬底（100）的顶部上形成的导电衬底（200） 通过使用有机分子的自组装特征，仅将种子层施加到导电基底的预定区域;以及从种子层以受控的密度生长纳米棒（300）。
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公开(公告)号：KR100931578B1
公开(公告)日：2009-12-14
申请号：KR1020070133464
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04R17/00
CPC classification number: H04R17/025 , H04R17/10
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판의 상부에 증착되는 절연막, 상기 절연막의 상부에 형성되는 압전판 및 상기 압전판의 상부에 형성되는 맞물림 전극을 포함하되 상기 맞물림 전극은 극성이 직렬로서 배치되도록 패턴 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 소자 마이크로폰, 마이크로 스피커 및 마이크로폰-스피커 일체형 디바이스를 제공할 수 있다.
압전 소자, 마이크로폰, 마이크로 스피커Abstract translation: 提供压电式麦克风，扬声器，麦克风 - 扬声器集成装置及其制造方法。 该麦克风 - 扬声器集成装置包括硅衬底和沉积在硅衬底上的绝缘层; 形成在绝缘层上的压电板; 以及形成在压电板上的配合电极。 配合电极被图案化为具有串联排列的极性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100919642B1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020070132735
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04R1/323 , H04R3/12 , H04R2201/403 , H04R2499/11
Abstract: 본 발명은 기준 신호를 적어도 3 종류 이상의 크기와 위상을 가지는 신호로 분리하여 발생시키는 신호 제어부, 상기 신호 제어부에서 발생시키는 신호 중 서로 상쇄되는 크기와 위상을 가지는 제1 신호 및 제2 신호를 제어하는 제1 신호 처리부 및 제2 신호 처리부, 상기 신호 제어부에서 발생시키는 신호 중 기준 신호와 동일한 크기와 위상을 가지는 신호를 제어하는 중앙 신호 처리부, 상기 제1 신호 처리부 및 제2 신호 처리부에서 출력되는 신호를 음향 신호로 변환하여 출력하는 제1 스피커 배열 및 제2 스피커 배열 및 상기 중앙 신호 처리부에서 출력되는 신호를 음향 신호로 변환하여 출력하고 상기 제1 스피커 배열 및 제2 스피커 배열의 사이에 위치하는 중앙 스피커를 포함하는 지향성 음향 생성 장치를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100919236B1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020070115825
申请日：2007-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06T15/005 , G06T2210/52
Abstract: 본 발명은 복수의 연산소자(PE)를 구비하는 병렬 프로세서를 이용하여 3차원 그래픽 기하 변환을 수행하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은, 상기 병렬 프로세서를 이용하여 제1 그룹의 정점 벡터들에 대한 모델 변환 및 투영 변환을 수행하는 단계와, 범용 프로세서를 이용하여 상기 제1 그룹의 정점 벡터들에 대한 사원수 보정에 이용되는 값을 계산함과 동시에, 제2 그룹의 정점 벡터들에 대한 모델 변환 및 투영 변환을 수행하는 단계와, 상기 제1 그룹의 정점 벡터들에 대한 사원수 보정 및 화면 매핑을 수행함과 동시에, 상기 제2 그룹의 정점 벡터들에 대한 사원수 보정에 이용되는 값을 상기 범용 프로세서를 이용하여 계산하는 단계와, 상기 제2 그룹의 정점 벡터들에 대한 사원수 보정 및 화면 매핑을 수행하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100898914B1
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070077314
申请日：2007-08-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1245 , H03M1/002 , H03M1/44
Abstract: 본 발명은 파이프라인 아날로그-디지털 변환기(Pipeline analog to digital converter, 이하 '파이프라인 ADC'라 한다)를 제어하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전단 샘플-앤-홀드 증폭기(Front-end sample-and-hold amplifier, 이하 '전단 SHA'라 한다)를 사용하지 않는 파이프라인 ADC에서 발생하는 샘플링 부정합(Sampling mismatch)을 최소화하기 위해 샘플링 시점을 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 파이프라인 아날로그-디지털 변환기 제어 방법은, 제 1 스테이지에 포함된 아날로그-디지털 변환기 및 잔류신호 생성기가 아날로그 입력신호를 동시에 샘플링하여 각각 제 1 샘플링 값 및 제 2 샘플링 값을 생성하는 단계; 상기 잔류신호 생성기가 상기 제 2 샘플링 값을 홀딩하는 동시에 상기 아날로그-디지털 변환기는 상기 제 1 샘플링 값을 증폭하여 대응하는 디지털 코드로 변환하는 단계; 및 상기 잔류신호 생성기가 상기 디지털 코드를 이용하여 잔류신호를 생성하는 단계로 구성된다. 본 발명은 파이프라인 ADC에서 전단 SHA를 제거함에 따라 발생하는 샘플링 부정합을 최소화함으로써, 전단 SHA를 사용하지 않고도 안정적인 성능을 보장할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 전단 SHA를 사용하지 않음으로써 칩 면적 및 전력 소모를 절감하고, 전체 파이프라인 ADC의 성능을 향상시킬 수 있다.
아날로그-디지털 변환기, ADC, MDAC, 샘플링 부정합, SHA-
公开(公告)号：KR1020090051596A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070118064
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0086 , Y02E10/542
Abstract: 에너지 효율을 높일 수 있는 염료감응 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 서로 대향하고 있는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하되, 상기 제1 전극은 투명한 다공성 전도층 및 상기 다공성 전도층의 공극과 상기 다공성 전도층의 상기 제2 전극을 향한 표면에 형성되어 있는 나노입자 반도체 산화물 및 상기 나노입자 반도체 산화물층에 흡착되어 있는 염료분자를 포함한다.
염료감응 태양전지, 다공성 전도층, 공극, 나노입자 반도체 산화물, 염료분자-
公开(公告)号：KR1020090034645A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070100004
申请日：2007-10-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/20
CPC classification number: H03F3/005
Abstract: A gain amplifier of a switched capacitor structure is provided to improve an operation speed and performance and to reduce a slewing time by previously resetting an output terminal to an expected output voltage value. An input voltage is applied from the input terminal to a first switch(SW1). A sampling capacitor(Cs) stores an input voltage in a first clock. An N stage amplifier(111,112) amplifies and outputs the input voltage stored in a sampling capacitor in a second clock which is not overlapped with the first clock. A second switch(SW2) and a third switch(SW3) apply the common mode voltage to the N stage amplifier. A feedback capacitor(CF) is connected between an input and an output of the N stage amplifier. One side of an input capacitor is connected to the input terminal. A fourth switch connects the other terminal of the input capacitor between the (N-1)-th amplifier and the N-th amplifier in the first clock. A fifth switch(SW5) connects the (N-1)-th amplifier and the N-th amplifier of the N stage amplifier in the second clock.
Abstract translation: 提供开关电容器结构的增益放大器以通过预先将输出端子复位到期望的输出电压值来提高操作速度和性能并减少回转时间。 输入电压从输入端施加到第一开关（SW1）。 采样电容器（Cs）将输入电压存储在第一时钟中。 N级放大器（111,112）以与第一时钟不重叠的第二时钟放大并输出存储在采样电容器中的输入电压。 第二开关（SW2）和第三开关（SW3）将共模电压施加到N级放大器。 反馈电容器（CF）连接在N级放大器的输入和输出端之间。 输入电容器的一侧连接到输入端子。 第四开关将第（N-1）放大器和第N放大器之间的输入电容器的另一端连接在第一时钟。 第五开关（SW5）在第二时钟连接N级放大器的第N-1放大器和第N放大器。
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