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    GRABENELEKTRODENANORDNUNG
    131.
    发明专利
    GRABENELEKTRODENANORDNUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014104108A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：DE102014104108

    申请日：2014-03-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Verfahren umfasst das Herstellen eines Grabens, der sich von einer ersten Oberfläche eines Halbleiterkörpers derart in den Halbleiterkörper erstreckt, der einen ersten Grabenabschnitt und wenigstens einen an den ersten Grabenabschnitt angrenzenden zweiten Grabenabschnitt aufweist, wobei der erste Grabenabschnitt weiter als der zweite Grabenabschnitt ist. Eine erste Elektrode wird in dem wenigstens zweiten Grabenabschnitt hergestellt und ist dielektrisch von Halbleitergebieten des Halbleiterkörpers durch eine erste Dielektrikumsschicht isoliert. Eine Zwischenelektrodendielektrikumsschicht wird in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der ersten Elektrode hergestellt. Eine zweite Elektrode wird in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der Zwischenelektrodendielektrikumsschicht und in dem ersten Grabenabschnitt derart hergestellt, dass die zweite Elektrode wenigstens in dem ersten Grabenabschnitt durch eine zweite Dielektrikumsschicht dielektrisch von dem Halbleiterkörper isoliert ist.

    Integrierte Schaltung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    132.
    发明专利
    Integrierte Schaltung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102014100877A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：DE102014100877

    申请日：2014-01-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  THIELE STEFFEN

    IPC: H01L27/06 ,  G01R19/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine integrierte Schaltung mit einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Leistungskomponente (200) mit einer Vielzahl von Trenches (3001, ..., 300n) in einem Zellarray, wobei die Vielzahl von Trenches (3001, ..., 300n) in einer ersten Richtung (x) verlaufen, und eine Sensorkomponente (250), die in das Zellarray der Leistungskomponente (200) integriert ist und eine Sensorzelle mit einer Fläche aufweist, die kleiner ist als eine Fläche des Zellarrays der Leistungskomponente (200). Die integrierte Schaltung umfasst außerdem Isolationstrenches (205), die zwischen der Sensorkomponente (250) und der Leistungskomponente (200) angeordnet sind, wobei ein isolierendes Material in den Isolationstrenches (205) vorgesehen ist. Die Isolationstrenches (205) verlaufen in einer zweiten, von der ersten Richtung (x) verschiedenen Richtung (y).

    Strom-Sense-Transistor mit Einbettung von Sense-Transistorzellen
    134.
    发明专利
    Strom-Sense-Transistor mit Einbettung von Sense-Transistorzellen 未知

    公开(公告)号：DE102013213734A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：DE102013213734

    申请日：2013-07-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L29/78 ,  G01R19/00 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement ein Feld von in einen Halbleiterkörper integrierten Transistorzellen. Eine Anzahl der Transistorzellen, die einen Leistungstransistor bildet, und mindestens eine der Transistorzellen, die einen Sense-Transistor bildet. Eine erste Source-Elektrode ist auf dem Halbleiterkörper aufgebracht, mit der/den Transistorzelle(n) des Sense-Transistors elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Leistungstransistors elektrisch isoliert. Eine zweite Source-Elektrode ist auf dem Halbleiterkörper aufgebracht und bedeckt die Transistorzellen sowohl des Leistungstransistors als auch des Sense-Transistors und bedeckt die erste Source-Elektrode mindestens teilweise derart, dass die zweite Source-Elektrode nur mit den Transistorzellen des Leistungstransistors elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Sense-Transistors elektrisch isoliert ist.

    Chiprandversiegelung
    135.
    发明专利
    Chiprandversiegelung 未知

    公开(公告)号：DE102012018611B3

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：DE102012018611

    申请日：2012-09-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BRASE GABRIELA ,  NELLE PETER ,  SCHINDLER GUENTHER ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

    Abstract: Die Beschreibung bezieht sich auf Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolation an dem Halbleiterkörper und einem Zellenfeld, welches zumindest teilweise in dem Halbeleiterkörper angeordnet ist. Das Zellenfeld weist zumindest einen p-n Übergang und zumindest eine Kontaktierung auf. Die Isolation ist in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers von einer umlaufenden Diffusionsbarriere begrenzt. Die Diffusionsbarriere umfasst einen Graben, welcher die Isolation durchschneidet und in den Zellenbereich der Isolation und eine Randisolation teilt.

    140.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007041885A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：DE102007041885

    申请日：2007-09-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

    Abstract: A method for dividing a semiconductor substrate involves providing a semiconductor substrate. At least one separating trench is produced at a front side of the semiconductor substrate. A layer is produced at least at the bottom of the at least one separating trench. The semiconductor substrate is thinned at a rear side of the semiconductor substrate at least as far as the layer at the bottom of the at least one separating trench. The layer is severed in order to divide the semiconductor substrate into individual pieces.

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