-
公开(公告)号：KR1020140078179A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020120147236
申请日：2012-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: The present invention relates to a method for forming surface unevenness of a semiconductor light emitting diode, capable of improving light extraction efficiency by forming surface unevenness. The method for forming surface unevenness of a semiconductor light emitting diode according to the present invention includes the steps of: forming a resist layer on an upper layer of a semiconductor thin film; performing an imprinting process; performing a dry etching process and a wet etching process; and performing surface texturing of the semiconductor thin film, or includes the steps of: forming a resist layer on an upper layer of a semiconductor thin film; patterning the resist layer by a KrF stepper/scanner or an i-line stepper/i-line scanner; performing a dry etching process and a wet etching process; and performing surface texturing of the semiconductor thin film. According to the present invention, the method can remarkably reproduce to form the surface unevenness, and the surface of the semiconductor thin film is deeply etched to have uniform roughness in the large area. Therefore, the semiconductor thin film can have the maximized surface area, thereby improving optical extraction efficiency of a light emitting diode.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够通过形成表面凹凸来提高光提取效率的半导体发光二极管的表面凹凸形成方法。 根据本发明的形成半导体发光二极管的表面不均匀的方法包括以下步骤：在半导体薄膜的上层上形成抗蚀剂层; 执行印记过程; 进行干蚀刻处理和湿蚀刻处理; 并且执行半导体薄膜的表面纹理化，或者包括以下步骤：在半导体薄膜的上层上形成抗蚀剂层; 通过KrF步进/扫描仪或i线步进/ i线扫描仪对抗蚀剂层进行图案化; 进行干蚀刻处理和湿蚀刻处理; 并执行半导体薄膜的表面纹理化。 根据本发明，该方法可以显着地再现以形成表面凹凸，并且半导体薄膜的表面被深刻蚀刻以在大面积上具有均匀的粗糙度。 因此，半导体薄膜可以具有最大化的表面积，从而提高发光二极管的光学提取效率。
-
公开(公告)号：KR101357065B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 기판 또는 박막 상에 형성된 고분자 층의 상부에 임프린트 리소그래피로 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하고, 박막의 식각 선택비에 따른 식각으로 고분자 층에 언더컷(Undercut)을 형성하며, 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 다층 나노 구조체를 제조하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 고분자 층을 형성하는 단계, 고분자 층 상부에 Si(Silicon) 또는 금속산화물(Metal Oxide) 나노입자(Nanoparticle)가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계, 임프린트용 스탬프를 제거하고, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층, 금속 산화박막 패턴 층 또는 고분자 층 중 어느 하나 이상을 식각하여, 기판 또는 박막이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층, 금속 산화박막 패턴 층, 기판 또는 박막 중 어느 하나 이상의 상부에 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 중 어느 하나 이상의 막을 형성하는 단계 및 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 패턴 중 어느 하나 이상을 용매를 이용해 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노 구조체를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR101357046B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 전자 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드 또는 반도체 소자에 포함된 접합층 및 금속층 사이에 금속 확산 방지층을 형성하여, 외부 압력 또는 열에 의해 금속층의 금속 이온이 접합층으로 확산되거나, 접합층의 이온이 금속층으로 확산되는 것을 막아주는 금속 확산 방지층이 구비된 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 단일 금속 또는 합금으로 이루어지는 금속층, 금속층 하면에 형성되는 그래핀(graphene) 층, 그래핀 층 하면에 형성되는 접합층(bonding layer)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 금속층 상면에 m개의 접합층 및 m개의 금속층이 반복 형성될 경우, 상기 접합층 및 상기 금속층 사이에 m-1개의 상기 그래핀 층이 형성되는 것을 특징으로 하고, 금속층 상면에 m개의 접합층 및 m개의 금속층이 반복 형성될 경우, 상기 접합층 및 상기 금속층 사이에 m개의 상기 그래핀 층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 접합 층과 금속층 사이에 금속 확산 방지용 그래핀 층을 형성함으로써, 금속층에 포함된 금속 이온이 접합층으로 확산되거나, 접합층에 포함된 금속 이온이 금속층으로 확산되는 것을 방지한다.
나아가, 접합층과 금속층 사이에 흑연에서 가장 얇게 한 겹을 떼어낸 구조의 그래핀 층을 형성함으로써, 금속 확산 방지층의 두께와 공정 난이도를 감소시키고, 전자 소자의 제조 원가를 절감하며, 재현성을 증가시킨다.-
公开(公告)号：KR101220421B1
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020100056267
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020120054153A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115397
申请日：2010-11-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F1/80 , G03F7/0163 , G03F7/2047 , G03F7/7045 , G03F7/70875 , H01L21/0337 , H01L21/32139
Abstract: PURPOSE: A method for forming patterns based on a nano-imprint technique is provided to simplify manufacturing processes by forming layers to be etched of various shapes based on one imprint process. CONSTITUTION: Metal-organic precursor compositions are coated on a layer to be etched(S1). A mold with concave-convex patterns pressurizes the metal-organic precursor compositions(S2). The pressurized metal-organic precursor compositions are heated, ultraviolet ray-irradiated, or simultaneously heated and ultraviolet ray-irradiated to form a cured first metal oxide thin film pattern(S3). The mold is eliminated from the first metal oxide thin film pattern(S4). A part of the layer to be etched is etched by using the first metal oxide thin film pattern as a mask(S5). The first metal oxide pattern is heated and microwave, X-ray, gamma-ray, or ultraviolet-ray irradiated, or plasma treated to change the side of the first metal oxide thin film pattern and to form a second metal oxide thin film pattern(S6). The second metal oxide thin film pattern is used as an etching mask to secondarily etch the layer to be etched(S7).
Abstract translation: 目的：提供一种基于纳米压印技术形成图案的方法，以通过基于一个压印工艺形成各种形状的蚀刻层来简化制造工艺。 构成：将金属 - 有机前体组合物涂覆在待蚀刻的层上（S1）。 具有凹凸图案的模具对金属 - 有机前体组合物（S2）加压。 将加压的金属 - 有机前体组合物加热，紫外线照射或同时加热并进行紫外线照射以形成固化的第一金属氧化物薄膜图案（S3）。 从第一金属氧化物薄膜图案中去除模具（S4）。 通过使用第一金属氧化物薄膜图案作为掩模蚀刻要蚀刻的层的一部分（S5）。 加热第一金属氧化物图案并照射微波，X射线，γ射线或紫外线，或进行等离子体处理，以改变第一金属氧化物薄膜图案的侧面并形成第二金属氧化物薄膜图案 S6）。 将第二金属氧化物薄膜图案用作蚀刻掩模以二次蚀刻待蚀刻的层（S7）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120054152A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115396
申请日：2010-11-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0032 , G03F7/2039 , G03F7/2059 , G03F7/36
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing for a nano-pattern stamp for nano-imprint lithography is provided to reduce the destruction possibility of the stamp and to obtain the various shapes and sizes of the stamp by varying the shape and the line width of patterns. CONSTITUTION: Metal-organic precursor compositions are coated on a substrate for a stamp(S1). Either electronic beam or X-ray is locally irradiated to the compositions to form a metal oxide thin film pattern through a developing agent washing process(S2). The compositions include metallic elements and organic ligand bonded to the metallic elements. The organic ligand is decomposed by either the electronic beam or the X-ray. The metal oxide thin film pattern is the form of linear, circular, ellipse, square, pentagon, hexagon, polygon, or lamellar. At least one of the shape, the line width, and the height of the pattern is changed by heating or microwave, x-ray, gamma-ray, or ultraviolet ray irradiating(S3).
Abstract translation: 目的：提供用于纳米压印光刻的纳米图案印模的制造方法，以减少印模的破坏可能性，并通过改变图案的形状和线宽来获得印模的各种形状和尺寸。 构成：将金属 - 有机前体组合物涂覆在用于印模的基材上（S1）。 电子束或X射线通过显影剂洗涤方法局部照射到组合物上以形成金属氧化物薄膜图案（S2）。 组合物包括与金属元素结合的金属元素和有机配体。 有机配体被电子束或X射线分解。 金属氧化物薄膜图案是线形，圆形，椭圆形，方形，五边形，六边形，多边形或层状的形式。 通过加热或微波，x射线，γ射线或紫外线照射来改变图案的形状，线宽和高度中的至少一个（S3）。
-
公开(公告)号：KR101105250B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 pn 접합을 형성하는 pn 터널 다이오드와, pn 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.
-
公开(公告)号：KR1020110136341A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020100056268
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B29C33/38 , B29C33/424 , B29C2033/426 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is provided to manufacture new size and patterns of a stamp by varying a line width of a pattern without complex lithography. CONSTITUTION: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is as follows. An inorganic material resin(20) including metal-organic precursor is coated in a substrate(10) for a stamp. A first stamp(30) having patterns(31) is prepared. The inorganic material resin is pressurized with the first stamp. The irradiation of ultraviolet rays at same time with heating is performed at the same time of a pressurized inorganic material resin heating time and an ultraviolet irradiating time. A hardened metal oxide thin film pattern(21) is formed. The first stamp is removed from a metal oxide thin film pattern.
Abstract translation: 目的：提供通过使用另一印章制作具有改变的图案和尺寸的印章的方法，以通过改变图案的线宽而无需复杂的光刻来制造印模的新尺寸和图案。 构成：通过使用另一个邮票制作具有改变的图案和尺寸的邮票的方法如下。 将包含金属 - 有机前体的无机材料树脂（20）涂覆在用于印模的基板（10）中。 准备具有图案（31）的第一印章（30）。 无机材料树脂用第一印模加压。 在加压无机材料树脂加热时间和紫外线照射时间的同时进行加热的同时照射紫外线。 形成硬化的金属氧化物薄膜图案（21）。 从金属氧化物薄膜图案中去除第一印模。
-
公开(公告)号：KR1020110081387A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001528
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/04 , H01L21/306
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A solar cell having window layer with oxidation resistance is provided to implement a window with desired thickness by allowing a second window and a cap to have different etch selectivity to prevent the second window from being etched. CONSTITUTION: In a solar cell having window layer with oxidation resistance, a photovoltatic conversion cell(720) is formed on a substrate and converts an optical signal into an electrical signal. A first window layer(731) is formed on the photovoltatic conversion cell and is comprised of a compound semiconductor containing aluminum. A second window layer(732) is formed on the first window and is made of a fire resistance material. The cap layer is formed on the second window layer. The top electrode is formed on the bottom electrode and the cap layer. The second window layer has a different etch selectivity from the cap layer.
Abstract translation: 目的：提供具有耐氧化性的窗口层的太阳能电池，以通过允许第二窗口和盖具有不同的蚀刻选择性以防止第二窗口被蚀刻来实现具有期望厚度的窗口。 构成：在具有耐氧化窗口的太阳能电池中，在基板上形成光电转换元件（720），并将光信号转换为电信号。 第一窗口层（731）形成在光电转换单元上，并由包含铝的化合物半导体构成。 在第一窗口上形成第二窗口层（732）并由耐火材料制成。 盖层形成在第二窗口层上。 顶部电极形成在底部电极和盖层上。 第二窗口层具有与盖层不同的蚀刻选择性。
-
20.发明公开플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈 有权一种柔性太阳能电池的制造方法，由此制造的柔性太阳能电池以及使用该柔性太阳能电池的柔性太阳能电池模块
公开(公告)号：KR1020170113797A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160036143
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0445 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1892
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에경화성수지층을형성하는제2단계와, 상기경화성수지층을패터닝하고경화하여, 홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기홀패턴내부에후면전극을형성시키는제4단계와, 상기벌크기판을제거하는제5단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제6단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을적용하여플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시킬수 있도록하였으며, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种生产由此制造方法的柔性太阳能电池和所述柔性太阳能电池，在形成体衬底上的半导体层的第一步骤，以及形成在半导体层上的可固化树脂层的第二步骤，上 ，图案化的第五步骤和固化该可固化树脂层，以及第三步骤，以形成具有孔图案的柔性基片，以及形成在孔图案的内部的背面电极的第四步骤中，去除所述体衬底 并且，包含该步骤6和使用该太阳能电池的柔性柔性太阳能电池模块，所述柔性太阳能电池的第一制造方法和它产生由此形成下面的技术要旨的半导体层中的前电极。 这种做发明是应用具有孔图案的柔性基板，所述柔性基板以改进电性能和热性能使用时的问题是这样可提高太阳能电池的性能，采用设置有这种孔图案的柔性基板的柔性太阳能电池 具有串联连接时要使用的模块化的，可以提供灵活的重量轻的太阳能电池或挠性重量轻的太阳能电池模块，其能够显着减轻重量能够更正背面电极连接问题的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.026 seconds)
