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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR101862076B1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
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14.发明公开진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积形成纳米结构图案的方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及由此制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012385A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/58 , G01N27/4141 , H01L21/0337 , H01L29/0665 , H01L29/78
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 用于形成使用真空沉积工艺形成纳米结构图案的本发明中，形成掩模图案层的第一步骤，以暴露一部分衬底上，在曝光区域和掩模图案层，基体材料的上部 设定真空沉积条件满足用于纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，使得由真空沉积工艺以在暴露的区域和掩模图案层生长纳米结构，所述基体材料的上部的第二步骤 第三步和通过利用真空蒸镀法去除掩模图案层，纳米包括在所述基板的暴露区域上形成纳米结构的第四步骤，以形成于基板顶部上的纳米结构图案 结构图案形成方法，使用其的传感器元件制造方法以及通过该方法制造的传感器元件。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR101673965B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020140193672
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160083256A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020140193672
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66431
Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.
Abstract translation: 本发明提供一种单片式多通道功率半导体器件及其制造方法，该单片式多通道功率半导体器件包括能够以简单的工艺制造且结构简单，电流密度高，内部高压的E型HEMT结构。 根据本发明，单片多通道功率半导体器件包括：基板; 形成在所述基板上的第一HEMT结构; 以及形成在所述基板上的第二HEMT结构。 第一和第二HEMT结构单独地包括四氮化硅半导体层。 第一HEMT结构和第二HEMT结构在同一基板上的水平方向的不同位置处在垂直方向上的不同层上形成，并且被阻挡层电隔离。 第一HEMT结构包括：依次在阻挡层上外延生长的第一GaN缓冲层，第一InAlGaN层和第一GaN覆盖层。 第一InAlGaN层包含具有预定组成比的In和Al，因此对第一InAlGaN层施加压应力。 因此，极化朝向上部反转，并且执行增强模式（E模式）运动。 第二HEMT结构包括依次在衬底上外延生长的第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层。 In和Al具有预定的组成比，因此施加压应力。 因此，在第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层之间形成2EDG，进行耗尽模式（D模式）运动。
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公开(公告)号：KR101672396B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020140165305
申请日：2014-11-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본발명에따른갈륨면 4원계질화물전력반도체소자는기판위에형성된질화갈륨버퍼층, 질화갈륨버퍼층위에형성된 4원계질화물층, 상기 4원계질화물층위에형성된질화갈륨캡층을포함하고, 4원계질화물층의조성비를조절함으로써분극방향이 4원계질화물층의상면을향하도록형성하여 2차원전자가스가상기 4원계질화물층의상단에형성되는것을특징으로한다. 상기 4원계질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의원소로이루어지고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기 4원계질화물층에압축응력이작용하여상기 4원계질화물층의분극이상부방향을향하도록조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓覆盖层，其中通过调节所述第四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶表面的方式，在所述第四氮化物层的顶端上形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到第四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
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公开(公告)号：KR1020160062795A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140165305
申请日：2014-11-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/812
Abstract: 본발명에따른갈륨면 4원계질화물전력반도체소자는기판위에형성된질화갈륨버퍼층, 질화갈륨버퍼층위에형성된 4원계질화물층, 상기 4원계질화물층위에형성된질화갈륨캡층을포함하고, 4원계질화물층의조성비를조절함으로써분극방향이 4원계질화물층의상면을향하도록형성하여 2차원전자가스가상기 4원계질화물층의상단에형성되는것을특징으로한다. 상기 4원계질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의원소로이루어지고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기 4원계질화물층에압축응력이작용하여상기 4원계질화물층의분극이상부방향을향하도록조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的第四氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓覆盖层。 通过控制四氮化物层的组成比，形成了与氮化物层的上表面相对的极化方向，使得在氮化物层的上端形成二次电子气。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，由此对氮化物层施加压缩应力，使得氮化物层的极化 被控制以面向上方向。
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