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公开(公告)号：KR101357046B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 전자 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드 또는 반도체 소자에 포함된 접합층 및 금속층 사이에 금속 확산 방지층을 형성하여, 외부 압력 또는 열에 의해 금속층의 금속 이온이 접합층으로 확산되거나, 접합층의 이온이 금속층으로 확산되는 것을 막아주는 금속 확산 방지층이 구비된 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 단일 금속 또는 합금으로 이루어지는 금속층, 금속층 하면에 형성되는 그래핀(graphene) 층, 그래핀 층 하면에 형성되는 접합층(bonding layer)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 금속층 상면에 m개의 접합층 및 m개의 금속층이 반복 형성될 경우, 상기 접합층 및 상기 금속층 사이에 m-1개의 상기 그래핀 층이 형성되는 것을 특징으로 하고, 금속층 상면에 m개의 접합층 및 m개의 금속층이 반복 형성될 경우, 상기 접합층 및 상기 금속층 사이에 m개의 상기 그래핀 층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 접합 층과 금속층 사이에 금속 확산 방지용 그래핀 층을 형성함으로써, 금속층에 포함된 금속 이온이 접합층으로 확산되거나, 접합층에 포함된 금속 이온이 금속층으로 확산되는 것을 방지한다.
나아가, 접합층과 금속층 사이에 흑연에서 가장 얇게 한 겹을 떼어낸 구조의 그래핀 층을 형성함으로써, 금속 확산 방지층의 두께와 공정 난이도를 감소시키고, 전자 소자의 제조 원가를 절감하며, 재현성을 증가시킨다.-
公开(公告)号：KR101319824B1
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020120001307
申请日：2012-01-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 본 발명은 냉각장치가 구비된 웨이퍼 클램프에 관한 것으로서, 중앙부에 개구부를 가지며, 테두리를 따라 냉매 이동관을 삽입하기 위한 상부 삽입홈이 형성된 상부 웨이퍼 클램프와, 상부 웨이퍼 클램프와 대응되는 형상으로 이루어지고, 상부 삽입홈에 대응되는 하부 삽입홈이 형성된 하부 웨이퍼 클램프와, 상부 삽입홈 및 하부 삽입홈에 삽입되어 상부 웨이퍼 클램프 및 하부 웨이퍼 클램프를 냉각시키기 위한 냉매 이동관과, 냉매 이동관에 냉매(냉각수, 냉각 가스)를 공급하고 배출하기 위한 냉매 공급장치와, 상부 웨이퍼 클램프와 하부 웨이퍼 클램프를 결합하기 위한 결합수단을 포함함으로써, 냉매 공급장치를 통한 냉매 이동관의 냉매 순환으로 웨이퍼 클램프 냉각시키는 효과가 있고, 웨이퍼 클램프와 냉매 이동관의 결함이나 노후로 인한 부품 교체가 필요할 경우, 웨이퍼 클램프와 냉매 이동관 분리를 통해 해당 부분에 대한 개별적인 수리 및 교체 가능한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101105250B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 pn 접합을 형성하는 pn 터널 다이오드와, pn 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020110053728A
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020090110388
申请日：2009-11-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode using a metal protection layer is provided to prevent the property deterioration of an LED device by forming a protection layer without plasma damages. CONSTITUTION: A metal protection layer(250) is formed on an n-type nitride semiconductor layer(240). A part of the surface of the n type nitride semiconductor is exposed by patterning the metal protection layer. The surface of the n type nitride semiconductor layer is roughened by treating the exposed surface of the n type nitride semiconductor layer. The n type nitride semiconductor layer is an isolated n-GaN formed on a Cu plating.
Abstract translation: 目的：提供一种使用金属保护层制造发光二极管的方法，通过形成没有等离子体损伤的保护层来防止LED器件的特性劣化。 构成：在n型氮化物半导体层（240）上形成金属保护层（250）。 通过图案化金属保护层，使n型氮化物半导体的表面的一部分露出。 通过处理n型氮化物半导体层的暴露表面，使n型氮化物半导体层的表面粗糙化。 n型氮化物半导体层是在Cu电镀上形成的分离的n-GaN。
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公开(公告)号：KR101775982B1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：KR1020150182202
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은은 나노와이어를이용한나노패턴메탈메쉬구현공정방법및 이를이용한하이브리드메탈메쉬에관한것으로서, 상기방법은, 기판상에은 나노와이어를분산하고, 제1 임프린트레진을이용하여상기은 나노와이어의패턴을본 뜨는패턴형성단계; 상기제1 임프린트레진에형성된상기패턴을제2 임프린트레진으로찍어내상기패턴을포함한메탈몰드를형성하는단계; 및제3 임프린트레진을포함한투명기판상에, 상기메탈몰드의상기패턴을찍어패턴을형성하고, 스퀴징(Squeezing) 및열 경화(Thermal Curing) 공정을거쳐메탈메쉬를형성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150073645A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B29C67/00
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不对称金属或金属氧化物纳米结构体的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基板或薄膜上形成压印层的第一工序; 用于在压印层上定位可变压印印模的第二步骤，以适于转换可变印记印模图案的压力和方向按压可变印记印模，并在其上进行固化处理以形成不对称图案层; 用于去除所述不对称图案层的残留膜以暴露所述衬底或所述薄膜的一部分的第三步骤; 第四步，用于在基板或薄膜的暴露部分上去除金属或金属氧化物; 以及用于去除所述不对称图案层以在所述基板或所述薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。 因此，可以制造大面积不对称金属或金属氧化物纳米结构。 此外，可以根据可变印记印模的压力或方向来调整图案的不对称程度，由此本发明可以用于各种领域。
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公开(公告)号：KR101528558B1
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020140030449
申请日：2014-03-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61B5/0484 , A61B5/0478
Abstract: 본발명은마이크로칩이모놀리식으로집적된탐침의제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판상의일부영역에마이크로칩을형성하는제2단계와, 상기기판상에형성하며, 상기마이크로칩과전기적으로연결된금속배선전극을형성하는제3단계와, 상기마이크로칩과, 상기기판상의전 영역및 상기금속배선전극을감싸도록절연막을형성하는제4단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하는제5단계와, 상기기판의두께를낮추기위해폴리싱또는에칭하는제6단계와, 상기기판상에서탐침모양의패턴을분리하는제7단계를포함하여이루어진것을특징으로하는마이크로칩이모놀리식으로집적된탐침의제조방법및 그에의해제조된마이크로칩이모놀리식으로집적된탐침을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은기판상에마이크로칩을모놀리식집적화하여탐침을기판화하여제작함으로써탐침의두께가줄어들어의학적효용성이높아지고, 따로기판소재가소모되지않고공정이단순하여제품의단가를낮출수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明提供一种具有单片集成微芯片的探针和由其制造的微芯片的制造方法。 本发明的制造方法包括：准备基板的第一工序; 在所述基板上的区域中形成微芯片的第二步骤; 形成与所述基板上的所述微芯片电连接的金属布线电极的第三工序; 形成绝缘膜以包裹微芯片，基板的所有区域和金属布线电极的第四步骤; 在衬底上形成用于形成探针的图案的第五步骤; 用于减小基板的厚度的第六步骤; 以及将探针形状的图案与基板分开的第七步骤。 因此，本发明通过将微芯片整体集成在基板上来使探针成为基板，以减小探针的厚度，并增加医疗用途。 本发明还可以通过简单的工艺降低产品的单价，而不消耗单独的基材。
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公开(公告)号：KR101303005B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120029106
申请日：2012-03-22
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67069
Abstract: PURPOSE: A cooling apparatus for a wafer and a wafer cover using a gas is provided to prevent thermal damage to a wafer by forming a through hole in a tray for mounting a wafer. CONSTITUTION: A through hole (130) is formed in a tray. The tray transfers a low temperature gas to a wafer and a wafer cover. A tray body (110) is formed around a tray central part (120). An O-ring is in contact with the lower part of the wafer cover. An O-ring accommodating groove is formed along the cylindrical surface of the tray body.
Abstract translation: 目的：提供一种用于晶片的冷却装置和使用气体的晶片盖，以通过在用于安装晶片的托盘中形成通孔来防止对晶片的热损伤。 构成：在托盘中形成通孔（130）。 托盘将低温气体传送到晶片和晶片盖。 托盘主体（110）围绕托盘中心部分（120）形成。 O形圈与晶片盖的下部接触。 沿托盘体的圆筒面形成有O形环容纳槽。
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公开(公告)号：KR101156635B1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020100059924
申请日：2010-06-24
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 기계적 강도가 우수하면서도 다공성 구조를 가져 내부 응력을 조절하기 쉬운 제올라이트 진동판을 채택해 감도 조절이 용이한 정전용량형 MEMS 마이크로폰 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 정전용량형 MEMS 마이크로폰은 관통홀이 형성된 기판, 상기 관통홀을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 제올라이트 진동판, 상기 제올라이트 진동판 상에 형성된 하부 전극, 및 상기 기판에 지지되어 상기 하부 전극 위로 부상되며 복수의 공기유입구를 가지는 상부 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110081385A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06
Abstract: PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.
Abstract translation: 目的：提供具有pn隧道二极管的太阳能电池，以通过使用与P型衬底相比具有小缺陷的N型衬底来降低串联电阻，并形成具有正欧姆接触电极的上电极和下电极 。 构成：在具有p-n隧道二极管的太阳能电池中，通过依次层叠n型半导体和p型半导体以形成p-n结，在n型衬底（210）上形成p-n二极管隧道（220）。 通过依次层叠n型半导体和p型半导体将光信号转换为电信号，在p-n二极管隧道上形成光伏电池（230）。 底部电极（270）形成在N型衬底上。 顶电极（260）形成在光伏电池上。
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