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公开(公告)号：KR1020170075899A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150185323
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴이형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴이형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기타측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及的制造方法，因此通过将第一压模通过热形成具有微结构图案到所述第一压模与聚合物基体的聚合物基体的微结构图案由双面图案制造的双面模式，和 通过将第一印模与其上印有第一图案的聚合物基材分离而在聚合物基材上形成第一图案的第二步骤和在聚合物基材上形成第一图案的第二步骤， 在释放聚合物基底上施加流体材料以在流体材料的下侧上形成反相降低图案的第三步骤，在施加的流体材料上形成微结构图案的第二步骤， 第四步骤，通过在第二印模的侧面上进行固化处理，在流体材料的相对侧上用第二印模的微结构图案浸渍第二印模， 第五步，在聚合物基片上分离并形成由流体材料制成的双面图案。本发明还提供了一种制造双面图案的方法和由此制造的双面图案。 本发明可以通过简单的工艺同时形成双面图案，并且可以容易地转移到不同类型的衬底或薄膜上，从而可以应用于各种领域。
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12.发明授权
公开(公告)号：KR101711551B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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公开(公告)号：KR101663629B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020160084965A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR1020150141915A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101486712B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130166261
申请日：2013-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명의 일 측면에 의하면, 플렉서블한 기판 상에 금속 시드층을 형성하는 제1단계; 상기 금속 시드층 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist; 이하 DFR층)를 적층하는 제2단계; 상기 DFR층의 패터닝에 의해 1차 패턴을 형성하여 상기 금속 시드층의 일부를 노출시키는 제3단계; 상기 일부 노출된 금속 시드층 상에 도금 공정을 통한 제1금속패턴을 형성하는 제4단계; 상기 제1금속패턴 및 상기 DFR층 상에 PR(Photoresist)층을 코팅하고, PR층의 패터닝에 의해 2차 패턴을 형성하여 상기 제1금속패턴의 일부 영역을 노출시키는 제5단계; 상기 제1금속패턴 상의 노출된 영역 상에 도금 공정을 통해 제2금속패턴을 형성하는 제6단계; 상기 DFR층 및 PR층을 동시에 제거하여, 플렉서블 기판 상에 상기 제1금속패턴과 제2금속패턴으로 이루어진 금속 구조체를 형성하는 제7단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판 상에 입체형 금속 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 높은 단차가 필요한 구성에 감광필름(Dry Film Resist; DFR)을 사용함으로써, 플렉서블 기판에 금속 구조체를 제작할 때, 고열이 기판에 작용하지 않도록 하는 효과가 있다.Abstract translation: 本发明实施例提供的在柔性基板上制造三维金属结构的方法包括：在柔性基板上形成金属种子层的第一步骤; 在金属种子层上堆叠干膜抗蚀剂（DFR）层的第二步骤; 第三步骤，通过形成DFR层的图形来形成初级图案来暴露金属种子层的一部分; 通过电镀工艺在所述部分暴露的金属种子层上形成第一金属图案的第四步骤; 第五步骤，用光致抗蚀剂（PR）层涂覆第一金属图案和DFR层，并通过PR层的图案形成二次图案来曝光第一金属图案的部分区域; 在通过电镀工艺从第一金属图案露出的区域上形成第二金属图案的第六步骤; 以及通过同时去除DFR层和PR层在柔性基板上形成由第一金属图案和第二金属图案形成的金属结构的第七步骤。 因此，本发明能够通过使用DFR用于需要高高差的组合物在柔性基板上制造金属结构时，能够防止在基板上施加高热。
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公开(公告)号：KR1020140081202A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120150720
申请日：2012-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y30/00 , G03F7/11 , G03F7/2002 , H01L21/0274 , H01L21/288
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a nano-patterned metal film. In terms of a method for manufacturing a nano-patterned metal film, the method for manufacturing a nano-patterned metal film using a nano-imprint lithography and a plating process comprises: a first step where a resin layer is formed on the upper layer of a substrate; a second step where nano-pattern is formed on the resin layer by an imprinting and a hardening process after locating a stamp for imprinting on the resin layer; a third step where a seed layer is vapour-deposited on the nano-patterned resin layer; a fourth step where a metal layer is formed on the seed layer by a plating process; and a fifth step where a nano-patterned metal film is produced by separating the seed and metal layers from the substrate after removing the resin layer. Hence, the present invention uses a nano-imprint lithography and a plating process which reduces cost and time for processing by simplifying the processes. Also, a nano-patterned metal film can simply be produced.
Abstract translation: 本发明涉及一种纳米图案化金属膜的制造方法。 关于纳米图案化金属膜的制造方法，使用纳米压印光刻法和电镀法制造纳米图案化金属膜的方法包括：第一步骤，在上层形成树脂层 底物; 第二步，其中在定影用于压印的印模在树脂层上之后通过压印和硬化处理在树脂层上形成纳米图案; 第三步骤，将种子层气相沉积在纳米图案化树脂层上; 第四步骤，通过电镀工艺在种子层上形成金属层; 以及第五步骤，其中通过在除去树脂层之后从晶片和金属层中分离晶种和金属层来制造纳米图案化的金属膜。 因此，本发明使用纳米压印光刻和电镀工艺，其通过简化工艺来降低处理的成本和时间。 此外，可以简单地制造纳米图案化金属膜。
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公开(公告)号：KR1020130053121A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110118674
申请日：2011-11-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A method for growing a nitride semiconductor with high quality and a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device using the same are provided to reduce manufacturing costs by manufacturing a vertical LED without a surface texturing process. CONSTITUTION: A dielectric mask layer(20) is formed on a substrate(10) or a thin film. A polymer layer is formed on the dielectric mask layer. A pattern layer made of resins or metal organic precursors is formed on the polymer layer. The polymer layer is etched on the lower side of the pattern layer by a dry etching process. A pattern of the dielectric mask layer is formed to expose a part of the substrate or the thin film. The polymer layer and the pattern layer are removed from the upper side of the pattern of the dielectric mask layer. A nitride semiconductor layer(60) is laterally grown on the upper side of the partially exposed substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有高质量的氮化物半导体的方法和使用其的氮化物半导体发光器件的制造方法，以通过制造没有表面纹理化处理的垂直LED来降低制造成本。 构成：在基板（10）或薄膜上形成介电掩模层（20）。 在介电掩模层上形成聚合物层。 在聚合物层上形成由树脂或金属有机前体制成的图案层。 通过干式蚀刻工艺在聚合物层的下侧蚀刻聚合物层。 形成介电掩模层的图案以暴露基板或薄膜的一部分。 聚合物层和图案层从电介质掩模层的图案的上侧去除。 氮化物半导体层（60）在部分曝光的衬底的上侧横向生长。
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公开(公告)号：KR1020130015091A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020110076919
申请日：2011-08-02
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/0002 , G03F7/2012
Abstract: PURPOSE: A micro-nano hybrid stamp using a micro patterned stamp for imprint lithography and a manufacturing method thereof are provided to remove an additional stamp by easily changing the linewidth, depth or shape of a multilevel pattern through the thermal process of a metal-organic precursor layer. CONSTITUTION: A substrate(105) for a stamp is made of polymer. A UV curable resin(106) is deposited or coated on the upper side of the substrate for the stamp. A micro-nano hybrid stamp(107) is obtained by forming a multilevel stamp on the upper side of the UV curable resin. A micro patterned stamp for imprint lithography is formed by thermally processing a metal-organic precursor layer buried in a pattern region. An engraved or embossed multilevel pattern(108) is formed by an imprint lithography process.
Abstract translation: 目的：提供使用用于压印光刻的微图案印模的微纳米混合印模及其制造方法，以通过容易地通过金属有机物的热过程改变多层图案的线宽，深度或形状来移除附加印模 前体层。 构成：用于印章的基板（105）由聚合物制成。 紫外线固化树脂（106）沉积或涂覆在用于印模的基板的上侧。 通过在UV固化树脂的上侧形成多层印模获得微纳米混合印模（107）。 用于压印光刻的微图案印模通过热处理掩埋在图案区域中的金属有机前体层形成。 通过压印光刻工艺形成雕刻或压花多层图案（108）。
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公开(公告)号：KR1020130005353A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110066691
申请日：2011-07-06
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/0002 , G03F7/2012 , H01L21/0275
Abstract: PURPOSE: A patterning method using an imprint lithography and a multilayer thin film and a semiconductor device manufactured by the same are provided to reduce a patterning process by forming a pattern of a nanosize once. CONSTITUTION: A pattern is formed on the upper side of a substrate(102) for a mold. A sacrificial layer is deposited and coated on the upper side of a substrate. Resin for imprint is coated on the upper side of the sacrificial layer. A multistage pattern is formed on the upper side of the resin for the imprint. A metal layer(105) is deposited on the surface of the resin for imprint.
Abstract translation: 目的：提供使用压印光刻和多层薄膜的图案形成方法及其制造的半导体器件，以通过形成纳米尺寸图案来减少图案化过程一次。 构成：在用于模具的基板（102）的上侧形成图案。 牺牲层被沉积并涂覆在基板的上侧。 用于印记的树脂涂覆在牺牲层的上侧。 在用于印记的树脂的上侧形成多级图案。 金属层（105）沉积在用于印记的树脂的表面上。
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