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公开(公告)号：KR1020170074296A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150183086
申请日：2015-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물반도체발광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른질화물반도체발광소자의제조방법은, 기판의상면에금속층을형성한후, 금속층위에금속층의일정영역을노출하는개구를가지는소정패턴의마스크층을형성하는단계와; 마스크층의개구에복수의 n-질화물나노막대구조물을형성하는단계와; 복수의 n-질화물나노막대구조물위에 n형클래드층, 활성층을포함한다중양자우물디스크구조체또는다중양자우물동축구조체, 및 p형클래드층을차례로적층형성하는단계와; p형클래드층위에 p-질화물을소정높이로형성하는단계와; 마스크층을제거하여금속층을노출시키는단계와; 노출된금속층의표면과복수의나노막대구조물사이의공간에절연물질을충전하고경화시키는단계; 및복수의나노막대구조물의상단면및 절연물질의상단면에걸쳐금속콘택층을형성및 금속콘택층위에전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 기판상에형성된금속층또는금속재질의기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의 n-전극을용이하게형성할수 있고, 발광소자에의한광방출시나노막대하부의금속층또는금속기판에의한반사로광추출효율을증진시킬수 있다.
Abstract translation: 氮化物半导体发光器件及其制造方法本发明涉 制造氮化物半导体发光根据本发明的发光器件中，形成在所述基板的上表面上的金属层之后，形成具有开口的金属层和上暴露所述金属层的预定区域中的预定图案的掩模层的方法; 在掩模层中的开口中形成多个n型氮化物纳米棒结构; 对所述多个正氮化物纳米棒结构的n型包覆层，以形成层叠的多量子阱结构或者多量子阱盘同轴结构，并包括有源层，进而在p型覆层; 在p型覆层上形成p氮化物至预定高度; 去除掩模层以暴露金属层; 在暴露的金属层的表面和多个纳米棒结构之间的空间中填充和固化绝缘材料; 并且在多个纳米结构结构和绝缘材料的顶表面上形成金属接触层，并在金属接触层上形成电极。 这样，根据本发明，通过在金属层或形成在基板上的金属材料制成的基板上形成氮化物纳米棒结构的发光元件，并且可以容易地形成光的光发射的正电极的发光元件汉王信浓 光提取效率可以通过棒下的金属层或金属衬底的反射来改善。
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公开(公告)号：KR101936060B1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：KR1020160184219
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/02 , H01L29/51 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L29/775
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公开(公告)号：KR1020180079601A
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160184219
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/02 , H01L29/51 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L29/775
Abstract: 본발명은반도체소자제작용레이저리프트오프방법에관한것으로서, 레이저에의해제1대상체로부터제2대상체를분리시키는레이저리프트오프방법에있어서, 제1대상체및 제2대상체사이에희생분리층을형성하되, 상기희생분리층은상기제1대상체및 제2대상체의밴드갭보다상대적으로작은밴드갭을가지는것을특징으로하는반도체소자제작용레이저리프트오프방법및 그에의해제조된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해종래의지지기판으로부터질화물계반도체층을분리하는공정을개선하여, 분리를원하는영역에희생분리층을도입하여분리하고자하는대상의제한이없도록한 것이다.
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公开(公告)号：KR101857647B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101808683B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020160133590
申请日：2016-10-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , G01N27/333 , H01L29/778 , H01L21/66
Abstract: 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서는, 순차적으로적층되는오믹전극패턴, 베리어층과채널층을포함하는센싱구조물; 센싱구조물아래에서센싱구조물에전기적으로접속되는입출력회로구조물; 및센싱구조물상에서채널층의전면을덮어외부의유체(=가스또는액체)와반응하는감지막을포함하고, 센싱구조물은감지막과함께고 전자이동도트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 구조를이루고, 채널층과감지막은채널층의질소(N)-면(face)을통해서로접촉하는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서의제조방법도계속하여개시된다.
Abstract translation: 根据本发明的高灵敏度传感器包括：感测结构，包括顺序堆叠的欧姆电极图案，阻挡层和沟道层; 输入/输出电路结构，电性连接于感测结构下方的感测结构; 并且感测膜覆盖感测结构上的沟道层的整个表面并与外部流体（=气体或液体）反应，并且感测结构与感测膜一起形成高电子迁移率晶体管（HEMT）结构 并且沟道层和传感膜通过沟道层的氮（N）表面相互接触。 此外，还公开了通过增加根据本发明的传感膜的面积来制造高灵敏度传感器的方法。
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公开(公告)号：KR101808679B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160115769
申请日：2016-09-08
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은초박형홀 센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명의제1 실시예에따른초박형홀 센서의제조방법은, 웨이퍼기판상에희생층을형성하는단계; 희생층위에 n형컨택층을형성하는단계; n형컨택층위에홀 센서활성층을형성하는단계; 홀센서활성층위에버퍼층을형성하는단계; 버퍼층상면에전사(transfer) 대상기판을접합하는단계; 및희생층을제거하여상기웨이퍼기판을상기희생층상부의적층구조체로부터분리하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 홀센서에역구조의박막홀 센서층성장을통해한 번에홀 센서소자를대상기판에전사함으로써, 전사횟수를줄이고공정을단순화하여수율을향상시키고제조비용을감축할수 있다.
Abstract translation: 超薄霍尔传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种超薄霍尔传感器及其制造方法。 根据本发明的第一实施例制造的超薄霍尔传感器的方法包括：形成在晶片衬底上的牺牲层的工序; 在牺牲层上形成n型接触层; 在所述n型接触层上形成空穴传感器有源层; 在空穴传感器有源层上形成缓冲层; 将要转移的衬底接合到缓冲层的上表面; 并去除牺牲层以将晶片衬底与牺牲层部分的层压结构分离。 根据本发明这样，在由霍尔传感器元件在一个时间传送，通过倒置结构的霍尔传感器的薄膜霍尔传感器层生长在目标基板上，以减少传输计数，以简化工艺，提高产率和降低制造成本 有。
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公开(公告)号：KR101862076B1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101837623B1
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：KR1020150183086
申请日：2015-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물반도체발광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른질화물반도체발광소자의제조방법은, 기판의상면에금속층을형성한후, 금속층위에금속층의일정영역을노출하는개구를가지는소정패턴의마스크층을형성하는단계와; 마스크층의개구에복수의 n-질화물나노막대구조물을형성하는단계와; 복수의 n-질화물나노막대구조물위에 n형클래드층, 활성층을포함한다중양자우물디스크구조체또는다중양자우물동축구조체, 및 p형클래드층을차례로적층형성하는단계와; p형클래드층위에 p-질화물을소정높이로형성하는단계와; 마스크층을제거하여금속층을노출시키는단계와; 노출된금속층의표면과복수의나노막대구조물사이의공간에절연물질을충전하고경화시키는단계; 및복수의나노막대구조물의상단면및 절연물질의상단면에걸쳐금속콘택층을형성및 금속콘택층위에전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 기판상에형성된금속층또는금속재질의기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의 n-전극을용이하게형성할수 있고, 발광소자에의한광방출시나노막대하부의금속층또는금속기판에의한반사로광추출효율을증진시킬수 있다.
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