公开(公告)号：KR1020080037703A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020087005617

申请日：2007-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  노자와토시히사 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/507

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

Abstract: Plasma processing equipment comprises a vacuum processing container (34), and a placing table (36) for placing an article (W) which is arranged in the container and is to be processed. The processing container (34) includes a tubular container body (34A) having an upper opening, and a dielectric top plate (50) applied hermetically to the upper opening of the body and transmitting an electromagnetic wave. The plasma processing equipment further comprises an electromagnetic wave supplying system (54) for supplying an electromagnetic wave for generating plasma into the container through the top plate, and a gas supplying system (110) for supplying a gas containing a processing gas into the container. A gas ejecting hole (108) for ejecting the gas supplied from the gas supplying system into the container is formed on the top plate (50). A dielectric discharge prevention member (120) having permeability is arranged in each ejection hole (108).

Abstract translation: 等离子体处理设备包括真空处理容器（34）和用于放置布置在容器中并被处理的物品（W）的放置台（36）。 处理容器（34）包括具有上开口的管状容器主体（34A），以及电绝缘顶板（50），其被密封地施加到主体的上开口并传输电磁波。 等离子体处理设备还包括电磁波供给系统（54），用于通过顶板将用于产生等离子体的电磁波提供到容器中;以及气体供应系统（110），用于将含有处理气体的气体供应到容器中。 用于将从气体供给系统供给的气体喷射到容器中的气体喷射孔（108）形成在顶板（50）上。 在每个喷射孔（108）中布置有具有磁导率的介电放电防止部件（120）。

公开(公告)号：KR101269937B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020117004274

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마처리장치(11)는, 배기공(13)으로부터하방측으로연장되는제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의배기방향의하류측단부(端部)에접속되어있고, 제1 배기로(15)와수직인방향으로연장되며, 배기방향에대하여직교하는단면에있어서상하방향보다도폭 방향이긴 횡장단면형상의제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의배기방향의하류측단부에접속되어있고, 제2 배기로(16)와수직인방향으로연장되는제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의배기방향의하류측단부에접속되어있고, 처리용기(12) 내를감압하는펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에설치되어있고, 제2 배기로(16)를폐쇄가능하여, 배기방향의상류측과하류측과의압력을조정하는압력조정용밸브플레이트(20)를갖는압력조정밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에설치되어있고, 제3 배기로(17)의개폐를행하는셧오프밸브플레이트(22)를갖는셧오프밸브(23)를구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR101269925B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020117017379

申请日：2010-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 반도체장치의제조방법은, 절연층을어닐링하는단계및 그절연층위에금속원소를포함하는배리어층을형성하는단계를구비한다. 절연층은탄화불소(CFx)막을포함한다. 배리어층은어닐링단계이후에고온스퍼터링공정에의하여형성된다.

Abstract translation: 一种半导体器件的制造方法包括退火绝缘层的步骤和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层的步骤。 绝缘层包括氟碳（CFx）膜。 在退火步骤之后，通过高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：KR101265231B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 보다정확하게원하는형상으로에칭할수 있는플라즈마에칭처리장치를제공한다. 플라즈마에칭처리장치(11)는, 그내부에서피처리기판에플라즈마처리를행하는처리용기(12)와, 처리용기(12) 내로플라즈마처리용의가스를공급하는가스공급부(13)와, 처리용기(12) 내에배치되고, 그위에피처리기판(W)을지지하는지지대(14)와, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(15)와, 마이크로파발생기(15)에의해발생시킨마이크로파를이용하여처리용기(12) 내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생수단과, 처리용기(12) 내의압력을조정하는압력조정수단과, 지지대(14)로교류의바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 바이어스전력공급수단에서의교류의바이어스전력을정지및 공급을교호로반복하여행하도록제어하는제어수단을구비한다.

公开(公告)号：KR101054481B1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：KR1020097016313

申请日：2008-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라코헤이 ,  고바야시야스오 ,  노자와토시히사 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 개시되는 재치대 구조는, 기판에 대하여 소정의 처리가 행해지는 진공 흡인 가능하게 구성된 처리 용기 내에서 기판을 지지하는 재치대 구조로서, 기판이 올려놓여지는 재치대 본체와, 기판을 재치대 본체에 내리고, 재치대로부터 들어 올리도록 구성된 승강핀 기구와, 재치대 본체 상에 올려놓여진 기판의 이면 주연부가, 처리 용기에 공급되는 처리 가스에 노출되도록 재치대 본체에 형성된 단부(段部)를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020110033948A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：KR1020117004274

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기� ��(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR101016624B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020097006561

申请日：2007-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오케사쿠마사히로 ,  오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사 ,  이노쿠치아츠토시 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 플라즈마의 역류 방지를 위해 샤워 플레이트의 세로 구멍 내에 배치되는 가스 방출공 부재(세라믹스 부재 혹은 다공질 가스 유통체)가 극간(gap)없이 일체적으로 소결 결합되어, 샤워 플레이트의 사용시에 세로 구멍으로부터 탈락하는 일이 없고, 또한 각 세로 구멍으로부터의 가스 방출량의 불균일이 없고, 플라즈마의 역류의 발생을 보다 완전히 방지할 수 있어, 효율이 좋은 플라즈마 여기가 가능한 샤워 플레이트를 제공한다. 플라즈마 처리 장치의 처리실(102)에 배치되고, 처리실(102)에 플라즈마를 발생시키기 위해 플라즈마 여기용 가스를 방출하는 샤워 플레이트(106)에 있어서, 플라즈마 여기용 가스의 방출 경로가 되는 다수개의 세로 구멍(105) 내에, 공경이 20㎛ 내지 70㎛의 가스 방출공을 복수개 갖는 세라믹스 부재, 또는 최대 기공경이 75㎛ 이하의 가스 유통 방향으로 연통한 기공을 갖는 다공질 가스 유통체의 어느 일방 또는 양방을 일체적으로 소결 결합하여 배치했다.

公开(公告)号：KR1020100076021A

公开(公告)日：2010-07-05

申请号：KR1020107010462

申请日：2008-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  니시즈카테츠야 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus (11) comprising an antenna unit (13) for generating plasmas by using microwaves a plasma source so that there are formed within a chamber a first region (25a) wherein the electron temperature of plasmas is relatively high and a second region (25b) wherein the electron temperature of plasmas is lower than that in the first region (25a), a first arrangement means for arranging a semiconductor substrate (W) in the first region (25a), a second arrangement means for arranging the semiconductor substrate (W) in the second region (25b), and a plasma generation stopping means for stopping plasma generation by the plasma generating means, while having the semiconductor substrate (W) arranged in the second region (25b).

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置（11），其包括用于通过使用微波产生等离子体源来产生等离子体的天线单元（13），使得在腔室内形成第一区域（25a），其中等离子体的电子温度相对较高，并且 第二区域（25b），其中等离子体的电子温度低于第一区域（25a）中的电子温度;第一布置装置，用于在第一区域（25a）中布置半导体衬底（W）;第二布置装置， 在第二区域（25b）中的半导体衬底（W）和等离子体产生停止装置，用于在半导体衬底（W）布置在第二区域（25b）中的同时停止等离子体产生装置的等离子体产生。

公开(公告)号：KR100961678B1

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：KR1020080020948

申请日：2008-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: F16K31/528 ,  F16K1/24 ,  Y10T137/0396

Abstract: [과제] 시일(seal) 부재의 장수명화를 달성할 수 있는 개폐 밸브를 제공하는 것.
[해결 수단] 내부를 진공으로 유지 가능한 챔버(11)와, 배기 장치(53, 54)와의 사이에 설치되는 개폐 밸브(100)로서, 챔버(11)측과 배기 장치(53, 54)측을 연이어 통하는 개구(111)를 구비한 밸브 본체(110)와, 밸브 본체(110)내에 있어 개구(111)로 접근 및 이탈하여 개구를 개폐하는 밸브체(120)와, 밸브체(120)에 형성되어 밸브체(120)가 개구(111)를 닫았을 때에 개구(111)를 시일(seal)하는 시일 부재(120b)와, 밸브체를 진퇴시키는 직진 이동 수단(140)과, 개구(111)로부터 이격된 위치에 형성되어, 개구(111)로부터 이반된 밸브체(120)가 퇴피하는 밸브 퇴피부(113b)와, 밸브체(120)를, 개구(111)에 대응하는 위치와 밸브 퇴피부(113b)에 대응하는 위치와의 사이에서 회동시키는 회동 수단(150)을 갖는다.
개폐 밸브, 시일 부재, 직진 이동 수단, 회동 수단

公开(公告)号：KR1020090110325A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020097016313

申请日：2008-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라코헤이 ,  고바야시야스오 ,  노자와토시히사 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: Disclosed is a placing bed structure for supporting a substrate in a treating container, in which the substrate is subjected to a predetermined treatment and which is so constituted as can be evacuated. The placing bed structure comprises a placing bed body for placing the substrate thereon, an elevating pin mechanism constituted to bring the substrate down to and up from the placing bed body, and a step portion formed in the placing bed body so that the peripheral edge portion of the back of the substrate placed on the placing bed body may be exposed to a treating gas fed to the treating container.

Abstract translation: 公开了一种用于将基材支撑在处理容器中的放置床结构，其中基板经受预定处理并且可以被抽真空地构成。 放置床结构包括用于将基板放置在其上的放置床体，提升销机构，其构造成使基板向下放置在放置床体上;以及台阶部，形成在放置床体中，使得周缘部 放置在放置床体上的基板的背面可能暴露于供给到处理容器的处理气体。