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    텅스텐막의 형성 방법
    13.
    发明授权
    텅스텐막의 형성 방법 有权
    形成钨膜的方法

    公开(公告)号：KR100783844B1

    公开(公告)日：2007-12-10

    申请号：KR1020067015538

    申请日：2002-08-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

    IPC: C23C16/08

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

    Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
    진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.

    Abstract translation: 埋入孔的较小直径，所以能够抑制空隙和程度的火山的发生产生的特征尺寸造成不利影响，并提供了良好的钨膜形成方法埋藏性质。

    성막 방법
    14.
    发明授权
    성막 방법 有权

    公开(公告)号：KR101852233B1

    公开(公告)日：2018-04-25

    申请号：KR1020150013383

    申请日：2015-01-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오노유지 ,  다치바나미츠히로 ,  혼마마나부

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45551

    Abstract: 성막장치는, 진공용기와, 상기진공용기내에배치되고, 그일면측에형성되는적재영역에기판을적재하여공전시키기위한회전테이블과, 열분해온도가 1기압아래에서 520℃이상인처리가스를기판에공급하는처리가스공급부와, 상기기판을 600℃이상으로가열하여성막처리하기위해, 상기회전테이블을가열하는가열부를구비한다. 상기처리가스공급부는, 상기기판의통과영역에대향하여형성된복수의처리가스의토출구멍을갖는가스샤워헤드와, 성막처리시에서상기가스샤워헤드에있어서의상기통과영역에대향하는대향부를상기처리가스의열분해온도보다낮은온도로냉각하는냉각기구를구비한다.

    기판 처리 장치 및 성막 방법
    17.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 성막 방법 有权
    基板处理装置和沉积膜的方法

    公开(公告)号：KR1020140100442A

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：KR1020140013114

    申请日：2014-02-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야마와쿠준 ,  고시미즈치시오 ,  다치바나미츠히로 ,  가토히토시 ,  고바야시다케시 ,  미우라시게히로 ,  기무라다카후미

    IPC: H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/68714

    Abstract: A bias electrode (120) is arranged in a position which faces a reforming region (S1) in the lower part of a rotation table (2). A faraday shield (95) is arranged in the front part of the reforming region (S1). A bias electric field is formed in the reforming region (S1) by the capacitive coupling of the bias electrode (120) and the faraday shield (95). And, with regard to the bias electrode (120), a width dimension (t) in the rotation direction of the rotation table (2) is smaller than the separation demission (d) between adjacent wafers, thereby preventing the bias electric field from being simultaneously applied to the adjacent wafers and individually forming a bias electric field with regard to each wafer.

    Abstract translation: 偏置电极（120）配置在与旋转台（2）的下部的重整区域（S1）相对的位置。 在重整区域（S1）的前部设有法拉第罩（95）。 通过偏置电极（120）和法拉第屏蔽（95）的电容耦合，在重整区（S1）中形成偏置电场。 并且，关于偏置电极（120），旋转台（2）的旋转方向的宽度尺寸（t）小于相邻晶片间的分离离子（d），从而防止偏置电极 同时施加到相邻晶片并且相对于每个晶片分别形成偏置电场。

    성막 장치, 기판 처리 장치 및 성막 방법
    18.
    发明公开
    성막 장치, 기판 처리 장치 및 성막 방법 有权
    薄膜成型装置，基板加工装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号：KR1020140077841A

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：KR1020130153691

    申请日：2013-12-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야마와쿠준 ,  고시미즈치시오 ,  야마자와요헤이 ,  다치바나미츠히로 ,  가토히토시 ,  고바야시다케시 ,  미우라시게히로 ,  기무라다카후미

    IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

    Abstract: A film formation apparatus, which is configured to conduct a film formation process for a substrate in a vacuum chamber, includes a rotating table configured to revolve a substrate loading area configured to load a substrate thereon; a film formation area configured to include a process gas supply part configured to supply a process gas to the substrate mounting area and sequentially laminate a molecular layer or an atomic layer on the substrate with rotation of the rotating table to form a thin film; a plasma processing part configured to conduct modification processing on the molecular layer or the atomic layer by plasma produced through plasma formation of a gas for plasma generation in a plasma generation area formed separately from the film formation area in a direction of rotation of the rotating table; a lower bias electrode provided at a lower side of the height position of the substrate on the rotating table to attract ions in the plasma to a surface of the substrate; an upper bias electrode arranged at the same height position or an upper side of the height position of the substrate; a high-frequency power source part connected to at least one of the lower bias electrode and the upper bias electrode and configured to form a bias electric potential on the substrate in such a manner that the lower bias electrode and the upper bias electrode are capacitively coupled through the plasma generation area; and an exhaust device configured to evacuate inside of the vacuum chamber.

    Abstract translation: 构造成在真空室中进行基板的成膜处理的成膜装置包括旋转台，被配置为旋转被配置为在其上装载基板的基板装载区域; 成膜区域，其被配置为包括处理气体供给部，其被配置为向所述基板安装区域提供处理气体，并且通过所述旋转台的旋转顺序地将所述基板上的分子层或原子层层叠以形成薄膜; 等离子体处理部，其被配置为通过等离子体形成等离子体形成等离子体生成等离子体生成等离子体生成区域，使其在分子层或原子层上进行改性处理，所述等离子体产生区域与所述成膜区域分开地形成在所述旋转台的旋转方向上 ; 下偏置电极，设置在旋转台上的基板的高度位置的下侧，以将等离子体中的离子吸引到基板的表面; 布置在所述基板的高度位置的相同高度位置或上侧的上偏置电极; 连接到所述下偏置电极和所述上偏置电极中的至少一个的高频电源部，并且被配置为以所述下偏置电极和所述上偏置电极电容耦合的方式在所述基板上形成偏置电位 通过等离子体发生区域; 以及构造成在真空室内抽真空的排气装置。

    열처리 장치
    19.
    发明授权
    열처리 장치 失效

    公开(公告)号：KR100335970B1

    公开(公告)日：2002-09-27

    申请号：KR1019960045984

    申请日：1996-10-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠세기미히로 ,  하시모토츠요시 ,  다치바나미츠히로

    IPC: H01L21/324

    Abstract: 본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서,
    처리가스가 공급되는 반응실과 백사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동 가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것을 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부재를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백사이드가스를 공급하는 수단� �, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

    열처리 장치
    20.
    发明公开
    열처리 장치 失效

    公开(公告)号：KR1019970023859A

    公开(公告)日：1997-05-30

    申请号：KR1019960045984

    申请日：1996-10-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠세기미히로 ,  하시모토츠요시 ,  다치바나미츠히로

    IPC: H01L21/324

    Abstract: 본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서, 처리가스가 공급되는 반응실과 백 사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것은 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부 를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백 사이드가스를 공급하는 수단과, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

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