公开(公告)号：KR100674736B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020050034865

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68

Abstract: 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와, 상기 수용실 내를 배기하는 배기부와, 상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치가 제공된다. 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가된다.
기판반송장치, 기판처리시스템, 세정방법

公开(公告)号：KR100674735B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020050034866

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판을 손상하지 않고, 기판의 뒷면에 부착한 이물을 충분히 제거할 수 있는 기판세정장치를 제공한다.
기판세정장치로서의 플라즈마처리장치(1)는 챔버(10)와, 해당 챔버(10)내에 배치되어, 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(11)와, 해당 서셉터(11)에 배치되어, 고전압이 인가되는 전극판(20)과, 챔버(10)내를 배기하는 대강 배기 라인과, 서셉터(11) 및 웨이퍼 W사이에 공간 S를 생기게 하는 푸셔핀(30)과, 공간 S에 N
2 가스를 공급하는 열전도가스공급구멍(27)과, 챔버(10)내에 처리가스 등을 도입하는 샤워헤드(33)를 구비하여, 공간 S가 발생하고 있을 때, 전극판(20)에는 다른 극성의 고전압이 교대로 인가되고, 웨이퍼 W의 뒷면을 향해 공간 S에 N
2 가스가 분출되고, 또한 챔버(10)내는 배기되고, 또한, 챔버(10)내가 감압되고 있을 때에, 챔버(10)내에 N
2 가스가 도입된다.

公开(公告)号：KR100635436B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

Abstract translation: 提供一种能够减少待处理物体被污染物污染的处理装置以及处理装置中的颗粒去除方法。 干式蚀刻设备1包括：真空处理室10，其中真空处理室10的内部保持在高真空以对作为待处理对象的晶片50执行蚀刻处理; 和下部电极20作为安装台，用于安装，用于检测在下部电极20的壁的温度和用于上部电极40和真空处理室（10）布置成面向在真空室10 检测下部电极20的温度的温度传感器24，检测上部电极40的温度的温度传感器44， 该气体导入装置41的温度和温度，在真空处理室10的内壁上的下部电极20和上部电极（40）的温度，用于将预定气体引入真空处理室的基础（10）上 以及用于控制预定温度的控制装置91。

公开(公告)号：KR1020060042140A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

公开(公告)号：KR102202347B1

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190069236

申请日：2019-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020200144531A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：KR1020200178706

申请日：2020-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020140005938A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：KR1020137019878

申请日：2012-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/12 ,  C04B38/00

CPC classification number: B01D69/12 ,  B01D67/0041 ,  B01D67/0074 ,  B01D71/024 ,  B01D2325/023 ,  C04B38/0038 ,  C04B2111/00413 ,  C04B2111/00612 ,  C04B2111/00793 ,  C04B35/14 ,  C04B38/007

Abstract: 본 발명은 강성을 확보하면서, 상수나 담수를 손쉽게 얻을 수 있는 여과용 필터를 제공하는 것이다. 여과용 필터(21)는, 제1 세라믹층(12), 제2 세라믹층(15) 및 나노 입자층(14)을 구비하고, 상기 나노 입자층(14)은 제1 세라믹층(12) 및 제2 세라믹층(15)에 끼워지고, 제1 세라믹층(12) 및 제2 세라믹층(15)은 실리카를 주성분으로 하는 다수의 세라믹 입자(11)를 소결시켜서 생성되고, 각 세라믹 입자(11)의 사이의 간극이 50㎚ 내지 500㎚로 조정되고, 나노 입자층(14)은 입경이 3㎚ 내지 5㎚인 다수의 나노 입자(13)를 열처리에 의해 서로 용융 결합시켜서 생성된다.

公开(公告)号：KR101313912B1

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：KR1020117028659

申请日：2010-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  우메하라야스토시 ,  가타오카유키 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: A61K8/25 ,  A61K8/022 ,  A61K8/21 ,  A61K8/24 ,  A61K8/27 ,  A61Q11/00 ,  C03C3/062 ,  C03C3/097 ,  C03C3/112 ,  C03C4/0007 ,  C03C4/0021 ,  C03C4/0035 ,  C03C12/00 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67288

Abstract: 장치에 발생하는 이상을 정밀도 좋게 검출하는 이상 검출 시스템을 제공한다. 플라즈마 처리 장치(2)에 발생하는 이상을 검출하는 이상 검출 시스템(100)은, 이상의 발생에 기인하는 AE를 검출하는 복수의 초음파 센서(41)와, 초음파 센서(41)의 각 출력 신호를 각각 제1 신호와 제2 신호로 분배하는 분배기(65)와, 제1 신호를 예컨대 10 kHz로 샘플링하여, 정해진 특징을 검출했을 때에 트리거 신호를 발생시키는 트리거(52)와, 트리거 신호를 수신하여 트리거 발생 시각을 결정하는 트리거 발생 시각 카운터(54)와, 제2 신호를 예컨대 1 MHz로 샘플링한 샘플링 데이터를 작성하는 데이터 로거 보드(55)와, 샘플링 데이터 중 트리거 발생 시각 카운터(54)로부터 결정된 트리거 발생 시각을 기준으로 한 일정 기간에 상당하는 데이터의 파형 해석을 행함으로써 플라즈마 처리 장치(2)에 발생한 이상을 해석하는 PC(50)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101122978B1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：KR1020090109931

申请日：2009-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67288 ,  G01N21/91 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501

Abstract: 기존의 계측 장치에 있어서의 검출 한계 이하의 미소한 이물이라도 안정하고 또한 정확하게 검출할 수 있는 범용성이 높은 이물 검출 방법을 제공한다.
웨이퍼 W의 표면에 할로겐 원소를 함유하는 유지형상 물질 또는 유기용매를 분무하고, 웨이퍼 W의 표면 온도를 조정해서 분무된 유지형상 물질 또는 유기용매를 웨이퍼 W 표면에 부착된 파티클 P의 주위에 응축시켜 파티클 P를 강조하고, 강조된 파티클 P를 표면 검사 장치를 이용해서 광학적으로 검출한다.

公开(公告)号：KR1020110122875A

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：KR1020117023695

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  요코야마신 ,  오쿠야마기쿠오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02057

Abstract: 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을, 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하는 기판 세정 방법을 제공한다. 대표길이가 0.1㎛이하의 홈 또는 구멍을 갖는 미세 패턴이 형성된 웨이퍼를, 수분을 포함한 공간에 있어서, 소정 위치에 배치된 대향 전극을 사이에 두고, 예각 형상의 선단부를 갖는 냉각 가능한 방전 전극의 선단부에 대해 일정 간격으로 대면하도록, 웨이퍼를 배치하고, 방전 전극을 냉각하여 방전 전극에 결로를 발생시키고, 또한 방전 전극과 대향 전극의 사이에 일정 전압을 인가한다. 이 일정 전압의 인가시, 방전 전극의 선단부에서 직경이 10㎚이하의 물 미립자를 함유하는 에어로졸을 발생시키고, 에어로졸을 웨이퍼에 분무하는 것에 의해 웨이퍼를 세정한다.