公开(公告)号：KR101526264B1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：KR1020100055594

申请日：2010-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미테루오미 ,  카미무라후미히로 ,  코사이카즈키 ,  야부타타카시 ,  요코미조켄지 ,  미조타쇼고

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 새로운방법을이용하여기판의표면으로부터막을제거하는액처리장치등을제공한다. 제 1 막의상층에제 2 막이형성된기판으로부터제 1 막및 제 2 막을제거하는액처리장치(3)에서, 제 1 약액공급부(51)는기판(W)으로제 1 막을용해시키기위한제 1 약액을공급하고, 제 2 약액공급부(51)는제 2 막의강도를저하시키기위한제 2 약액을공급하고, 충격공여부로서의기능을겸하는유체공급부(52)는제 2 막에물리적충격을주어당해제 2 막을파괴하고또한, 파괴된제 2 막의파편을흘려보내기위한유체를공급한다. 제어부(7)는제 2 약액을공급하고, 이어서유체공급부(52)로부터유체를공급한후 제 1 약액을공급하도록각 부를제어한다.

Abstract translation: 使用新方法从基板表面去除膜的液体处理装置等。 在第一膜和用于从衬底上形成的第一膜，在上层中，第一化学液体供给单元51的第二薄膜包括用于溶解权利要求1的膜作为基材的第一化学（W）去除所述第二膜中的液体处理装置（3） 供给，并且所述第二化学液体供给部51 neunje 2膜的强度，和用于减小，也服务于用作休克施主流体源52 neunje给出在第二薄膜上第二销毁膜的物理性冲击的技术供应第二液体药剂 并且还提供用于流动破碎的第二膜的碎片的流体。 控制单元7控制各个单元以供应第二药液，然后从流体供应单元52供应流体，然后供应第一药液。

公开(公告)号：KR1020140147716A

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020140073526

申请日：2014-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하치야요스케 ,  가와노히사시 ,  나카모리미츠노리 ,  노나카준 ,  미조타쇼고 ,  나가마츠다츠야 ,  사이키다이스케 ,  데라오카가즈히로 ,  야부타다카시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/08 ,  H01L21/02

CPC classification number: B05D3/107 ,  B05B3/001 ,  B05B12/04 ,  B05D1/005 ,  B05D5/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68792

Abstract: Disclosed is a liquid processing method which may de-electrify the surface of a hydrophobized substrate. A substrate electrified by a liquid processing is de-electrified by supplying hydrophobizing liquid to the surface of a substrate (W) subjected to the liquid processing while rotating the substrate (W) for hydrophobizing the surface of the substrate, and performing rinsing by supplying alkaline rinsing liquid to the hydrophobized surface of the substrate (W).

Abstract translation: 公开了一种可以使疏水化基材的表面去电的液体处理方法。 通过将液体处理带电的基板通过向基板（W）的表面供给疏水化液体而进行脱气，同时旋转用于使基板表面疏水化的基板（W），并且通过供给碱性进行漂洗 冲洗液体到基底的疏水化表面（W）。

公开(公告)号：KR101464613B1

公开(公告)日：2014-11-24

申请号：KR1020120025403

申请日：2012-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시켄지 ,  다케시타카즈히로 ,  오가타노부히로 ,  다나카사토루 ,  미조타쇼고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 간소한 방법으로, 행해지는 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하는 것이 가능한 액처리 장치 등을 제공한다. 하우징 내의 처리 공간(21)에서 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치(2)에서, 회전 보지부(33, 341)는 피처리 기판(W)을 보지(保持)하여 수직축을 중심으로 회전시키고, 처리액 공급 노즐(35)은 회전하는 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급한다. 제 1 기체 공급부(23)는, 상기 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하기 위하여, 피처리 기판(W)의 표면 전체를 흘러, 컵(31)으로 유입하는 제 1 기체의 하강류를 형성하고, 제 2 기체 공급부(22)는 이 제 1 기체의 하강류의 외방 영역에, 상기 제 1 기체와는 상이한 제 2 기체의 하강류를 형성한다. 그리고, 제 1 기체 공급부(23) 및 제 2 기체 공급부(22)는, 상기 처리 공간(21)을 이루는 하우징의 천장부에 설치되어 있다.

Abstract translation: 提供了一种能够以简单的方式形成适合于液体处理的处理气氛的液体处理装置等。 在向壳体内的处理空间21内的基板W的表面供给处理液而进行液体处理的液体处理装置2中，为了保持被处理基板W而设置有旋转保持部33,341 并且，处理液供给喷嘴35将处理液供给到被处理基板W的表面而旋转。 第一气体供应单元23流动基板W的整个表面以形成流入杯31中的第一气体的向下流动，以形成适于液体处理的处理气氛， 第二气体供给部22在第一气体的下游侧以外的区域形成与第一气体不同的第二气体的下游。 第一气体供给部23和第二气体供给部22设置在构成处理空间21的壳体的顶部。

公开(公告)号：KR1020120106584A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120025403

申请日：2012-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시켄지 ,  다케시타카즈히로 ,  오가타노부히로 ,  다나카사토루 ,  미조타쇼고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus and method and a storage medium are provided to locally form process atmosphere suitable for liquid processing on the entire surface of a processed substrate by changing supply amount from a first gas supply unit. CONSTITUTION: A rotation holding unit rotates a processed substrate around a vertical axis. A process liquid supply nozzle(35) supplies a processing liquid to the surface of the rotating processed substrate. A first gas supply unit(23) forms a descending current of first gas entering into a cup(31) flowing through the entire surface of the processed substrate. A second gas supply unit(22) forms the descending current of second gas different from the first gas in an outside area of the descending current of the first gas. The first and second gas supply units are arranged in a ceiling portion of a housing comprising a process space. [Reference numerals] (2) Liquid processing unit; (22(20)) Second gas supply unit; (23) First gas supply unit; (5) Control unit; (W) Photoresist whose pattern is formed on a wafer

Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置和方法以及存储介质，通过改变来自第一气体供应单元的供给量，在处理过的基板的整个表面上局部地形成适合于液体处理的工艺气氛。 构成：旋转保持单元围绕垂直轴旋转经处理的基板。 处理液供给喷嘴（35）将处理液供给到旋转处理基板的表面。 第一气体供给单元（23）形成进入流过处理过的基板的整个表面的杯状物（31）的第一气体的下降电流。 第二气体供给单元（22）在第一气体的下降电流的外部区域形成与第一气体不同的第二气体的下降电流。 第一和第二气体供应单元布置在包括处理空间的壳体的顶部。 （附图标记）（2）液体处理单元; （22（20））第二气体供给单元; （23）第一气体供应单元; （5）控制单元; （W）在晶片上形成图案的光致抗蚀剂

公开(公告)号：KR101107415B1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：KR1020097006957

申请日：2007-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미조타쇼고 ,  데루오미미나미 ,  요코미조겐지 ,  마사키다이라

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  Y10S134/902

Abstract: 웨이퍼(W)로부터 막(66) 제거 시에, 처리액 순환 시스템(73, 73')에 배출되는 막 파편량(66a)을 저감시켜, 필터(80) 세척 또는 필터(80) 교체의 빈도를 줄이기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판 처리 시스템(1)의 공정 챔버(46) 내에서 막(66)이 위에 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 처리액(64)에 노출시키는 것을 포함하고, 이 경우 웨이퍼(W)는 제1 속도(608a, 908a, 1208a)로 회전하거나 회전하지 않으며, 처리액(64)은 공정 챔버(46)로부터 처리액 순환 시스템(73)에 배출된다. 후속하여, 처리액(64, 64a, 64b)에의 웨이퍼(W)의 노출을 중지하고, 제1 속도(608a, 908a, 1208a)보다 고속인 제2 속도(608b, 908b, 1208b)에서 웨이퍼(W)를 회전시켜 그 웨이퍼(W)로부터 원심력에 의해 막(66)의 파편(66a)을 제거한다. 다음에, 웨이퍼(W)를 같거나 상이한 처리액(64, 64a, 64b)에 노출시키고, 그 처리액(64, 64a, 64b)은 공정 챔버(46)로부터 처리액 배액관(78)에 배출된다.