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公开(公告)号：KR1020120009514A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031578
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR100971799B1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：KR1020077001691
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR100952521B1
公开(公告)日：2010-04-12
申请号：KR1020077001688
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H05H1/18
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
Abstract translation: 根据本发明，要处理的衬底被接收并用于支撑第一电极和目标基板的第二电极被布置成面对在真空排气的处理容器，该处理容器中，在相对于该频率到第二电极是 第二高频电力施加单元，用于向第二电极施加具有相对较低频率的第二高频电力;以及第二高频电力施加单元，用于向第一电极施加直流电压 以及处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理容器中。
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公开(公告)号：KR101838846B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020170037590
申请日：2017-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 通过在电感耦合等离子体工艺中使用简单的校正线圈，可以自由且精确地控制等离子体密度分布。 耦合等离子体处理装置在圆环形状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生感应耦合等离子体，并将该等离子体的等离子体分散在宽的处理空间内， 等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 然后，基座12附近的等离子体密度分布沿径向均匀，由RF天线54产生的RF磁场经过校正环70的电磁校正， 并且通过切换机构110改变校正线圈70的切换占空比。
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公开(公告)号：KR101757921B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105158
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 본말명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용해서플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산되도록하여, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼W 상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로균일화하고, 또 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장에대해보정링(70)에의해전자기장적인보정을거는동시에, 챔버(10)내의압력에따라안테나-코일간격제어부(72)에의해보정링(70)의높이위치를가변하도록하고있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101737635B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020100105143
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
Abstract: 본발명에따르면, 유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향더 나아가서는직경방향의플라즈마밀도분포의균일성또는제어성을향상시킬수 있다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치에있어서, 챔버(10)의천장의유전체벽(52)상에마련되는 RF 안테나(54)는안테나실(56)내에서유전체창(52)으로부터이격되어그 위쪽에배치되고, 고주파급전부(58)로부터의 RF 급전라인(60, 68)에접속되는 1차코일(62)과, 이 1차코일(62)과전자기유도에의해결합가능한위치이고또한이 1차코일(62)보다도유전체창(52)의하면(처리공간과대향하는면)의가까이에배치되는 2차코일(64)을갖고있다.
Abstract translation: 根据本发明，可以在电感耦合等离子体处理装置中提高方位角方向上和进一步在径向上的等离子体密度分布的均匀性或可控性。 在本发明的电感耦合等离子体蚀刻设备中，设置在室10中的室10的电介质壁52上的RF天线54与天线室56中的电介质窗52间隔开， 并且，从高频电力馈送器58连接到RF馈送线路60和68的初级线圈62和经由电磁耦合器62连接到初级线圈62的初级线圈62。 并且，配置在电介质窗52侧（与二次线圈62相对的面向处理空间的一侧）的二次线圈64。
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公开(公告)号：KR101270285B1
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020127021941
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본발명에따르면, 상부전극(34) 및하부전극(16) 사이에처리가스인플라즈마를생성하여웨이퍼(W)에플라즈마에칭을실시하는플라즈마에칭장치로서, 상부전극(34)에, 그표면에대한적절한스퍼터효과를얻을수 있는정도로그 표면의자기바이어스전압 V의절대값이커지고, 또한상부전극(34)에있어서의플라즈마시스의두께가, 소망하는축소화플라즈마가형성되는정도로두껍게되도록하는직류전압을인가하는가변직류전원(50)을더 구비한다.
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公开(公告)号：KR101248691B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020117031578
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR101248709B1
公开(公告)日：2013-04-02
申请号：KR1020117031587
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120009513A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031575
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.
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