公开(公告)号：KR1020020027599A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020027002664

申请日：2001-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  호시노사토히코 ,  스기우라마사히토 ,  알렉레티페데리카

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 스핀-온 공정에 의해 제 1 절연 필름을 형성시키고, 상기 제 1 절연 필름에 380 내지 500 ℃의 온도에서 5 내지 180 초의 지속 시간동안 경화 공정을 적용시키고, 상기 제 1 절연 필름 상에 스핀-온 공정에 의해 제 2 절연 필름을 형성시키는 단계들을 포함한다.

公开(公告)号：KR100939124B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020077030782

申请日：2006-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기우라마사히토 ,  미조구치야스타카 ,  아이바야스시

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 종래보다도 저항율이 작고, 베이스의 배리어층과의 경계 부분의 불소 농도가 낮고, 배리어층과의 밀착성이 높은 텅스텐막을 형성한다. 처리용기(14)내의 웨이퍼(M)에, 실리콘 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 공정후에 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 함유 가스 공급 스텝과 실리콘을 포함하지 않는 수소 화합물 가스를 공급하는 수소 화합물 가스 공급 스텝을, 양 스텝사이에 상기 처리용기내에 불활성 가스를 공급하는 퍼지 스텝 및/또는 처리용기를 진공 흡인하는 진공 흡인 스텝을 개재시켜, 교대로 반복 실행함으로써 제 1의 텅스텐막(70)을 형성하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020080025756A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: It is intended to form a metallic film with resistance lower than in the prior art through controlling of crystal structure. The method may comprise the first tungsten film forming step and the second tungsten film forming step. In the first tungsten film forming step, the step of feeding, for example, WF6 gas as a metallic raw material gas and the step of feeding, for example,SiH4 gas as a hydrogen compound gas are alternately repeatedly carried out with the purging step of feeding an inert gas, for example, Ar gas or N2 gas interposed between the above steps to thereby form the first tungsten film containing amorphous matter. In the second tungsten film forming step, the WF6 gas and a reducing gas, for example, H 2 gas are simultaneously fed over the first tungsten film so as to form the second tungsten film. The ratio of amorphous matter contained in the first tungsten film is controlled by varying the execution time of the purging step ensuing the step of feeding SiH4 gas. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 旨在通过控制晶体结构形成具有比现有技术更低的电阻的金属膜。 该方法可以包括第一钨膜形成步骤和第二钨膜形成步骤。 在第一钨成膜工序中，例如将作为金属原料气体的WF 6气体进料的步骤和例如作为氢化合物气体的SiH 4气体的供给步骤交替反复进行， 在上述步骤之间插入惰性气体，例如Ar气体或N 2气体，从而形成含有无定形物质的第一钨膜。 在第二钨膜形成工序中，将WF 6气体和还原气体例如H 2气体同时供给到第一钨膜上，形成第二钨膜。 包含在第一钨膜中的无定形物的比率通过改变进行SiH 4气体的步骤之后的清洗步骤的执行时间来控制。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100613674B1

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020017014485

申请日：2000-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기우라마사히토 ,  신리키히로시 ,  기류히데키 ,  아오야마신타로

IPC: H01L21/00

Abstract: 처리 장치(100)의 진공 반송실(102) 내에는 전처리실(120)이 배치된다. 전처리실(120)은 적재대(130) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 회전시켜 광학 센서(134)에 의해 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 위치 맞춤 기구(128)와, 위치 맞춤과 동시에, 웨이퍼(W) 표면에 전처리실(120)의 천정부에 끼워 맞춰진 UV 투과창(126)을 통해 UV를 조사하여, 웨이퍼(W)에 부착된 탄소를 제거하는 UV 램프(124)를 구비한다. UV는 전처리실(120) 내에 공급되는 처리 가스에도 조사되어, 처리 가스에서 생긴 활성 원자에 의해서도 탄소가 제거된다. 전처리실(120)이 진공 반송실(102) 내에 형성되기 때문에, 처리 장치(100)의 풋프린트를 삭제할 수 있다. 웨이퍼(W)의 위치 맞춤과 오염물 제거 처리를 동시에 행하기 때문에, 수율이 향상된다.

公开(公告)号：KR100505310B1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：KR1019990016905

申请日：1999-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  리우이준 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4586

Abstract: 매엽식(single-substrate-processing) CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치는, Ba(thd)
2 및 Sr(thd)
2 를 혼합한 제 1 처리 가스와, Ti(O-iPr)(thd)
2 또는 TiO(thd)
2 를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하면서, 반도체 웨이퍼 W 상에 BST 박막을 형성한다. Ba 및 Sr의 전구체는, Ti의 전구체에 비해서, 활성화 에너지가 낮고, 또한 반응성이 강하다. 제 1 및 제 2 처리 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드(32)는, 제 1 처리 가스를 분출하기 위한 제 1 분사 구멍(102A)의 군과, 제 2 처리 가스를 분출하기 위한 제 2 분사 구멍(102B)의 군을 갖는다. 제 2 분사 구멍(102B)의 군은, 이들 구멍의 직경이 샤워 영역(100) 내에서 중심으로부터 반경 방향 외측을 향하여 감소하도록 설정되고, 따라서 제 2 처리 가스의 분사량은 중심으로부터 반경 방향 외측을 향하여 감소한다.

公开(公告)号：KR1020020010657A

公开(公告)日：2002-02-04

申请号：KR1020017014485

申请日：2000-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기우라마사히토 ,  신리키히로시 ,  기류히데키 ,  아오야마신타로

IPC: H01L21/00

Abstract: 처리 장치(100)의 진공 반송실(102) 내에는 전처리실(120)이 배치된다. 전처리실(120)은 적재대(130) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 회전시켜 광학 센서(134)에 의해 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 위치 맞춤 기구(128)와, 위치 맞춤과 동시에, 웨이퍼(W) 표면에 전처리실(120)의 천정부에 끼워 맞춰진 UV 투과창(126)을 통해 UV를 조사하여, 웨이퍼(W)에 부착된 탄소를 제거하는 UV 램프(124)를 구비한다. UV는 전처리실(120) 내에 공급되는 처리 가스에도 조사되어, 처리 가스에서 생긴 활성 원자에 의해서도 탄소가 제거된다. 전처리실(120)이 진공 반송실(102) 내에 형성되기 때문에, 처리 장치(100)의 풋프린트를 삭제할 수 있다. 웨이퍼(W)의 위치 맞춤과 오염물 제거 처리를 동시에 행하기 때문에, 수율이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020000011360A

公开(公告)日：2000-02-25

申请号：KR1019990025589

申请日：1999-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A sheet fed typed heat treating device is provided to improve a throughput and to reduce equipment cost and manufacturing cost. CONSTITUTION: A common returning chamber(3) of a film forming system(1) contains; two CVD devices(4, 6), a reforming device(8) and a heat treating device(10) being connected; and two cassette chambers(14A, 14B) connected for improving an efficiency of carrying in and out for a wafer. Therefore, the wafer is returned between each device and the cassette chambers through the common returning chamber while maintaining a vacuum state. In the heat treating device, the temperature of the wafer is raised from under the temperature of crystallizing of a metal oxide film to over the temperature of crystallizing in the state of the existence of an activated oxygen atom. Therefore, the reforming treatment of the metal oxide film formed on the top layer of the wafer and the crystallizing treatment of every metal oxide films filmed on the wafer are operated continuously.

Abstract translation: 目的：提供片式热处理装置，以提高生产量，降低设备成本和制造成本。 构成：成膜系统（1）的常见返回室（3）包含： 两个CVD装置（4,6），重整装置（8）和热处理装置（10）连接; 和连接两个盒室（14A，14B），用于提高晶片进出的效率。 因此，晶片在保持真空状态的同时通过公共返回室在每个装置和盒室之间返回。 在热处理装置中，在存在活性氧原子的状态下，从金属氧化物膜的结晶温度升高到超过结晶温度的晶片的温度。 因此，在晶片的顶层上形成的金属氧化物膜的重整处理和在晶片上成膜的每个金属氧化物膜的结晶处理被连续地操作。

公开(公告)号：KR100897779B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020080049193

申请日：2008-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코시니노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: 본 발명은 기판상에 형성된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 개질처리를 실시하는 공정과, 상기 개질처리가 실시된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 에칭 마스크 또한, CMP 스토퍼로서 절연막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 개질처리로서, 예를 들면 플라즈마를 조사함으로써 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면 거칠기가 증가하여, 소위 앵커 효과에 의하여 막 상호간 또한, 층간 절연막과 인접하는 다른 막 상호간의 접착성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100897771B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020020012824

申请日：2002-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코니시노부오 ,  이와시타미쯔아키 ,  오오노히로키 ,  카와무라시게루 ,  스기우라마사히토

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

Abstract: 본 발명은 기판상에 형성된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 개질처리를 실시하는 공정과, 상기 개질처리가 실시된 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면에 에칭 마스크 또한, CMP 스토퍼로서 절연막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 개질처리로서, 예를 들면 플라즈마를 조사함으로써 다공질 또한, 비다공질의 저유전율 절연막의 표면 거칠기가 증가하여, 소위 앵커 효과에 의하여 막 상호간 또한, 층간 절연막과 인접하는 다른 막 상호간의 접착성을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：对形成在衬底上的多孔非多孔低介电常数绝缘膜的表面进行改性处理的步骤; 并且形成绝缘膜作为挡块的步骤。 作为改性处理，例如通过照射等离子体，多孔低介电常数介电膜的表面粗糙度增加，并且通过所谓的等离子体改善了与层间介电膜相邻的膜之间的粘附性， 可以。

公开(公告)号：KR1020080015129A

公开(公告)日：2008-02-18

申请号：KR1020077030782

申请日：2006-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기우라마사히토 ,  미조구치야스타카 ,  아이바야스시

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: Disclosed is a method for forming a tungsten film which has a lower resistivity, a lower fluorine concentration in the boundary with a foundation barrier layer, and a higher adhesion to the barrier layer when compared with conventional tungsten films. Specifically disclosed is a method comprising a step for supplying a silicon-containing gas to a wafer M in a processing chamber (14), and a following step for forming a first tungsten film (70) wherein a tungsten-containing gas supply step for feeding a tungsten-containing gas and a hydrogen compound gas supply step for feeding a hydrogen compound gas containing no silicon are alternately repeated while performing a purge step for supplying an inert gas into the processing chamber and/or an evacuation step for vacuum evacuating the processing chamber between those gas supply steps.

Abstract translation: 本发明公开了一种形成具有较低电阻率的钨膜的方法，与基底阻挡层的边界中的氟浓度较低，并且与常规钨膜相比具有较高的对阻挡层的粘附性。 具体公开了一种方法，其包括将处理室（14）中的含硅气体供给到晶片M的步骤，以及用于形成第一钨膜（70）的后续步骤，其中，含钨气体供给步骤 交替地重复供给不含硅的氢化合物气体的含钨气体和氢气化合物气体供给步骤，同时执行用于向处理室供给惰性气体的净化步骤和/或真空抽真空处理室 在这些供气步骤之间。