公开(公告)号：KR1020060116030A

公开(公告)日：2006-11-13

申请号：KR1020067017788

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: At the time of forming an oxynitride film on a substrate by nitriding the substrate with plasma generated by microwaves after forming an oxide film, the microwaves are intermittently supplied. Ion bombardment due to electron temperature reduction is reduced by intermittently supplying the microwaves, and the diffusing speed of a nitride seed in the oxide film is reduced. As a result, nitrogen concentrates on a nitride film interface on the substrate side, and the concentration increase can be suppressed. Thus, the film quality of the oxynitride film can be improved, a leak current can be reduced, and operation speed and NBTI resistance can be improved.

Abstract translation: 在通过在形成氧化膜之后通过微波产生的等离子体对基板进行氮化而在基板上形成氧氮化物膜时，间歇地供给微波。 通过间歇地供给微波来降低电子温度降低引起的离子轰击，减少氮化物种子在氧化膜中的扩散速度。 结果，氮浓缩在基板侧的氮化物膜界面上，并且可以抑制浓度增加。 因此，可以提高氮氧化物膜的膜质量，可以降低漏电流，并且可以提高操作速度和NBTI电阻。

公开(公告)号：KR1020060061843A

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。

公开(公告)号：KR1020060006096A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020057022905

申请日：2004-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: Disclosed is a method for overcoming deterioration in characteristics of insulating films due to carbon, a suboxide, a dangling bond or the like contained in a gate insulating film of a MOSFET or an interelectrode insulating film of a capacitor in a memory device, thereby improving the characteristics of the insulating film. An insulating film is subjected to a modification treatment wherein a plasma treatment using a plasma produced from a process gas containing a noble gas and a thermal annealing treatment are combined.

Abstract translation: 公开了一种克服由于存储器件中的MOSFET或电容器的栅极绝缘膜中包含的碳，低氧化物，悬空键等引起的绝缘膜的特性劣化的方法，从而改善了 绝缘膜的特性。 对绝缘膜进行改性处理，其中使用由含有惰性气体和热退火处理的工艺气体产生的等离子体处理组合。

公开(公告)号：KR1020030091973A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：KR1020037009815

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 우수한 절연층이나 반도체층을 구비한 고품질의 MOS형 반도체 등의 전자 디바이스 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 단결정 실리콘을 주성분으로 하는 피처리 기체 상에 CVD 처리를 실시하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 피처리 기체를, 복수의 슬롯이 있는 평면 안테나 부재(SPA)를 통해 처리 가스에 마이크로파를 조사함으로써 생성한 플라즈마에 노출시키고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 개질하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR101411171B1

公开(公告)日：2014-06-23

申请号：KR1020147002620

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140019880A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020147002620

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100883697B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020077024630

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

公开(公告)号：KR100837707B1

公开(公告)日：2008-06-13

申请号：KR1020037009626

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: A process for producing electronic device (for example, high-performance MOS-type semiconductor device) structure having a good electric characteristic, wherein an SiO2 film or SiON film is used as an insulating film having an extremely thin (2.5 nm or less, for example) film thickness, and poly-silicon, amorphous-silicon, or SiGe is used as an electrode. In the presence of process gas comprising oxygen and an inert gas, plasma including oxygen and the inert gas (or plasma comprising nitrogen and an inert gas, or plasma comprising nitrogen, an inert gas and hydrogen) is generated by irradiating a wafer W including Si as a main component with microwave via a plane antenna member SPA. An oxide film (or oxynitride film) is formed on the wafer surface by using the thus generated plasma, and as desired, an electrode of poly-silicon, amorphous-silicon, or SiGe is formed, to thereby form an electronic device structure.

公开(公告)号：KR100830749B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR1020070110943A

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：KR1020077024630

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a partition plate disposed between a plasma generating unit and a silicon substrate and having an opening. When a surface of the silicon substrate is nitrided in this plasma processing apparatus, the electron density in the surface of the silicon substrate is controlled to be within the range from 1e+7 (electrons.cm-3) to 1e+9 (electrons.cm-3). By using this plasma processing apparatus, deterioration of the silicon substrate and deterioration of a nitride film can be effectively suppressed.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括设置在等离子体发生单元和硅衬底之间并具有开口的分隔板。 当在该等离子体处理装置中将硅衬底的表面氮化时，将硅衬底的表面中的电子密度控制在1e + 7（electrons.cm-3）至1e + 9（电子）的范围内。 厘米-3）。 通过使用该等离子体处理装置，可以有效地抑制硅衬底的劣化和氮化物膜的劣化。