公开(公告)号：KR101917414B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

公开(公告)号：KR101804003B1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856

Abstract: 기판을처리실내에반입하여상기기판상에질화막을성막하는성막처리를행하여, 상기성막처리가종료된후 상기기판을상기처리실내로부터반출할때까지를 1운전으로하고, 상기 1운전을복수회반복하여복수매의상기기판을계속적으로성막처리하는성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는상기 1운전이소정횟수연속적으로행해지고, 상기처리실내에산화가스를공급하여상기처리실내가산화된다.

公开(公告)号：KR101704863B1

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 성막장치를사용하여, 상기복수의기판상에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는도프산화막을성막하는성막방법이며, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는산화막을성막하는성막공정과, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 한쪽으로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 다른쪽으로부터불활성가스를공급하여, 상기산화막상에상기제2 원소를도프하는도프공정을포함한다.

Abstract translation: 一种沉积形成掺杂氧化物膜的膜的方法，该膜包括含有第一元素的第一氧化物膜，并且在安装在转台上的基板上掺杂有第二元素，所述基板包括通过旋转转盘预定匝而将第一氧化物膜沉积到基板上，同时 从第一气体供给部供给含有第一元素的第一反应气体，从第二气体供给部供给氧化气体，从分离气体供给部供给分离气体，并将第二氧化物膜与第二气体 从第一和第二气体供给部中的一个供给含有第二元素的第二反应气体，从另一个供给惰性气体，从分离气体供给部供给分离气体， 。

公开(公告)号：KR1020140043879A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.

Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。

公开(公告)号：KR1020140029359A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020137011945

申请日：2011-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  가타오카겐이치 ,  센자키시게루 ,  시마누키요오이치 ,  가노가즈히코 ,  와무라유 ,  강송윤 ,  니시무라에이이치

IPC: B01D69/02 ,  B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D63/00

CPC classification number: B01D67/0023 ,  B01D61/025 ,  B01D67/0034 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/10 ,  B01D71/022 ,  B01D71/024 ,  B01D2323/225 ,  B01D2323/24 ,  B01D2323/283 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/08 ,  B01D2325/48 ,  Y10T156/10

Abstract: 상수나 담수를 손쉽게 얻을 수 있는 여과용 필터의 제조 방법을 제공한다.
실리콘으로 이루어지는 기판(1)을, 상기 기판(1)의 표면 상에 형성된 상기 표면의 일부를 노출시키는 다수의 개구부를 갖는 마스크막을 사용하여 에칭하여 기판(1)에 직경이 약 100㎚인 다수의 둥근 구멍(2)을 형성하고, 형성된 둥근 구멍(2)의 내표면에 산화규소막(3)을 퇴적시켜 산화규소막(3)에 의해 축소되는 둥근 구멍(2)의 개구부 근방의 최소 직경부(4)에 있어서의 직경 D1을 1㎚∼100㎚로 조정한다.

公开(公告)号：KR1020110138190A

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020110058946

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/683 ,  H01L2021/60187

Abstract: PURPOSE: A processing device and a film forming method are provided to install an exhaust unit with exhaust systems, thereby quickly maintaining reduced pressure in a processing container. CONSTITUTION: A cover part(36) blocks an opening in a lower part of a processing container structure. A support object structure(38) supports a plurality of processed objects. A gas taking unit(40) includes a gas nozzle in a nozzle receiving area. An exhaust unit(41) includes a plurality of exhaust systems(41A,41B). A heating unit(42) heats the processed objects.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和成膜方法来安装具有排气系统的排气单元，从而在处理容器中快速保持减压。 构成：盖部分（36）阻挡处理容器结构的下部的开口。 支撑对象结构（38）支撑多个处理对象。 采气单元（40）包括在喷嘴接收区域中的气体喷嘴。 排气单元（41）包括多个排气系统（41A，41B）。 加热单元（42）加热被处理物体。

公开(公告)号：KR1020100112533A

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：KR1020100032180

申请日：2010-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  혼마마나부 ,  기꾸찌히로유끼 ,  와무라유 ,  오가와준

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to install a rotation stage which is rotated in a vacuum transfer chamber while closely contacting a thermal processing unit to the vacuum transfer chamber. CONSTITUTION: A film forming apparatus(101) forms a film on a substrate. The vacuum transfer chamber(103) is closely connected to the film forming apparatus. A vacuum transfer arm(104) is installed within the vacuum transfer chamber. A substrate mounting unit is installed inside a container. A heating treatment apparatus(102) has a heating treatment for processing the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以安装在真空传送室中旋转的旋转台​​，同时使热处理单元紧密接触真空传送室。 构成：成膜装置（101）在基板上形成膜。 真空传送室（103）与成膜设备紧密连​​接。 真空传送臂（104）安装在真空传送室内。 衬底安装单元安装在容器内。 加热处理装置（102）具有用于加工基板的加热处理。