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公开(公告)号:KR101770994B1
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:KR1020120073413
申请日:2012-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67017 , B05B14/00 , B05C11/08 , B08B3/04 , B08B3/08 , B08B15/02 , G03F7/40 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715
Abstract: 회수컵과는별개로기액분리장치를설치할필요를없애, 기판액처리장치의소형화를도모하는것이다. 본발명에서는, 처리공간내에서기판을보지하고, 또한보지한기판을회전시키기위한기판회전기구와, 기판으로복수종류의처리액을선택적으로공급하는처리액공급기구와, 기판으로공급한후의처리액을회수하기위한회수컵과, 처리액을회수하기위하여회수컵에형성한복수의액 회수부와, 액회수부로부터회수한처리액을배출하기위하여회수컵의저부에형성한배액구와, 회수컵의배액구보다상방측에형성한배기구와, 배기구의상방을소정의간격을두고덮기위하여회수컵에형성한고정커버와, 기판으로공급한후의처리액을액 회수부로안내하기위하여고정커버의상방에설치한승강컵과, 처리액의종류에따라승강컵을승강시키기위한컵 승강기구를가지도록했다.
Abstract translation: 液体分离装置与回收杯分开,从而减小基底液体处理装置的尺寸。 之后该处理在本发明中,而不是在处理空间中的基板,并且提供给所述衬底的旋转机构,以及用于选择性地供给的多个种类的处理液体中的至基底机构的处理液供给,以及用于通过不旋转所述衬底的衬底 一个和杯回收液体中,多个以回收液体的液体回收部形成多个杯的的处理中,以排出从液体回收单元回收的处理液的次数被形成在回收杯排水球的底部,收集 形成杯排气口的排水guboda上侧并在多个杯以预定距离,以覆盖形成在排气口的上端部固定在盖和,固定罩的上方以便引导所述供应至衬底如部分液体回收之后的处理溶液 根据处理液的种类,使升降杯升降的升降机构。
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公开(公告)号:KR1020160047394A
公开(公告)日:2016-05-02
申请号:KR1020150144634
申请日:2015-10-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67051 , B05B13/0228 , B05B15/50 , B05B15/55 , B05B15/70 , B08B3/02 , B08B3/04 , B08B3/12
Abstract: 본발명은장치내의오염을억제하면서노즐아암을청정한상태로유지하는것이가능한기판액처리장치를제공하는것을과제로한다. 기판액처리장치(16)에있어서, 노즐아암(42, 43)에유지된처리액노즐(41)은기판유지부(31)에유지된기판(W)에처리액을공급하고, 아암세정조(23)는노즐아암(42, 43)을세정액속에침지시켜이들부재의전체면를세정한다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于处理具有液体的基板的装置,其能够将喷嘴臂保持清洁,同时抑制装置内的污染。 在用液体处理基板的设备(16)中,保持在喷嘴臂(42,43)中的处理液喷嘴(41)将处理液体供应到保持在基板保持单元(31)中的基板(W),并且 手臂清洁桶(23)将喷嘴臂(42,43)浸入清洁液中并清洁喷嘴臂的构件的整个表面。
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公开(公告)号:KR101590661B1
公开(公告)日:2016-02-01
申请号:KR1020110070476
申请日:2011-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02087 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/6838 , H01L21/68735 , H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: 본발명은단시간에피처리기판의둘레가장자리부의온도를올려약액에의한처리효율을높이는것이가능한액처리장치등을제공하는것을과제로한다. 본발명의액처리장치는, 연직축둘레로회전하는피처리기판(W)에, 약액공급부(62)로부터약액을공급하여액처리를행하는액처리장치(1)에있어서, 피처리기판(W)의상면에공간을사이에두고대향하도록마련된커버부재(5)에는, 가스공급구(51)가마련되어있고, 이가스공급구(51)로부터공간을향해가스를공급한다. 이가스는커버부재(51)의둘레가장자리부에하방측으로돌출되어마련된돌출부와피처리기판(W) 사이의간극을통해상기공간으로부터유출된다. 또한이 공간에는피처리기판(W)의둘레가장자리부를가열하는램프히터(61)가피처리기판(W)의둘레방향을따라배치되어있고, 약액공급부(62)로부터공급되는약액은이 램프히터(61)의배치위치보다둘레가장자리부쪽에공급된다.
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公开(公告)号:KR101583104B1
公开(公告)日:2016-01-07
申请号:KR1020110128293
申请日:2011-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67051 , H01L21/68728
Abstract: 본발명은, 기판의하면을효율적으로세정할수 있는액 처리장치를제공한다. 기판세정장치(10)는, 기판유지부에유지된기판(W)의하면의아래쪽에위치하여기판의하면에처리액을토출하는노즐(60)을구비한다. 노즐은, 기판의중앙부에대향하는위치로부터기판의주연부에대향하는위치사이에배열된복수의제1 토출구(61)를갖고있다. 제1 토출구는, 기판의하면을향해서토출되는처리액의토출방향이기판의회전방향의성분을갖도록형성되어있다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够有效地清洁基板的液体处理装置。 基板清洁装置10设置在由基板保持单元保持的基板W的下方,并且包括用于将处理液排出到基板上的喷嘴60。 喷嘴具有多个第一排出口(61),该多个第一排出口布置在与基板的中心相对的位置和面对基板的周边的位置之间。 第一排出口被形成为使朝向基板排出的处理液的排出方向成为基板旋转方向的成分。
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公开(公告)号:KR1020140111593A
公开(公告)日:2014-09-19
申请号:KR1020140023911
申请日:2014-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: An objective of the present invention is to smoothly process a substrate by a processing liquid. The present invention provides a substrate processing apparatus (1) and a substrate processing method, which process a substrate (3) by a processing liquid supplied to the rotating substrate (3) to process the substrate (3), includes: a substrate rotating unit (12) that rotates the substrate (3); processing liquid supply units (13, 14) that supply the processing liquid to the substrate; a collection cup (32) disposed around the substrate (3) to collect the processing liquid supplied to the substrate (3) and form an air stream that flows downward by passing through from an opening (34) formed at the top to the periphery end of the substrate (3); and a negative pressure generating unit (36) which is provided at the inside of the collection cup (32) and at the outside of the opening (34) and generates a negative pressure which acts toward the outside of the substrate (3) so that the negative pressure is generated when processing the substrate (3) by the processing liquid.
Abstract translation: 本发明的目的是通过处理液体平滑地处理衬底。 本发明提供一种基板处理装置(1)和基板处理方法,其通过供给到旋转基板(3)的处理液对基板(3)进行处理,从而对基板(3)进行处理,其特征在于,包括:基板旋转部 (12),其旋转所述基板(3); 将处理液供给到基板的处理液供给单元(13,14) 设置在所述基板(3)周围的收集杯(32),以收集供给到所述基板(3)的处理液体,并且形成通过从形成在所述顶部的开口(34)穿过的周向端部 的基板(3); 以及负压生成单元(36),其设置在所述收集杯(32)的内部并且在所述开口(34)的外部,并且产生朝向所述基板(3)的外侧作用的负压,使得 当通过处理液体处理基板(3)时产生负压。
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公开(公告)号:KR101325899B1
公开(公告)日:2013-11-07
申请号:KR1020100011959
申请日:2010-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67034 , H01L21/6708
Abstract: 본 발명은, 기판의 이면을 하측으로 하여 기판을 회전시키면서 비회전 부재에 형성된 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 수행하는 처리 장치에 있어서, 노즐이 형성된 부재에 액적이 남는 것을 억제하는 것을 과제로 한다.
기판인 웨이퍼를 이면을 하측으로 하여 수평으로 한 상태에서 회전시키면서 웨이퍼 이면에 처리액을 공급하여 액처리를 수행하는 액처리 장치에는, 웨이퍼(W)의 하방에 비회전 상태로 설치되며, 그 상면에, 처리액을 토출하는 처리액 토출 노즐(20) 및 건조용 가스를 토출하는 가스 토출 노즐(21)을 갖는 노즐 부재(5)가 설치되며, 처리액 토출 노즐(20)은 기판을 향하여 처리액을 토출하는 처리액 토출구(20a)를 갖고, 가스 토출 노즐(21)은 웨이퍼(W)를 향하여 건조용 가스를 토출하는 제1 가스 토출구(21a)와, 노즐 부재(5)의 상면을 따라 건조용 가스를 방사형으로 토출하는 복수의 제2 가스 토출구(21b)를 갖는다.-
公开(公告)号:KR1020120089225A
公开(公告)日:2012-08-09
申请号:KR1020120078854
申请日:2012-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67051 , B05D1/002 , B05D3/0486 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a substrate and a computer readable recording medium are provided to accurately check a wafer condition by observing the pressure of the central part and the gap of the wafer in an acceleration process. CONSTITUTION: A table(15) includes a base plate(20). The table includes a gap(G) between a substrate (W) and the table and rotationally holds the substrate. A rotational drive device(35) rotationally drives the base plate. A pressure adjustment device(55) includes a sucking conduit(56). The sucking conduit is formed on the position opposed to the center part(Wa) of the substrate.
Abstract translation: 目的:提供用于处理基板和计算机可读记录介质的装置和方法,以通过在加速过程中观察晶片的中心部分压力和间隙来精确地检查晶片状况。 构成:桌子(15)包括底板(20)。 该工作台包括衬底(W)和工作台之间的间隙(G),并旋转地保持衬底。 旋转驱动装置(35)旋转地驱动基板。 压力调节装置(55)包括吸入管道(56)。 吸引导管形成在与基板的中心部(Wa)相对的位置。
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公开(公告)号:KR1020120075342A
公开(公告)日:2012-07-06
申请号:KR1020110119962
申请日:2011-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 히가시지마지로
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6708
Abstract: PURPOSE: A liquid processing device and method are provided to a chemical solution which is scattered when processing a wafer to be left in a cup circumference container by improving replacement of the mood within a process chamber. CONSTITUTION: A process chamber(20) accepts a wafer(W). A maintenance unit(21) keeping the wafer with a horizontal state is installed within the process chamber. A rotating cup(40) of a ring shape is arranged in around the maintenance unit. A nozzle(82a) supplies processing liquid to the wafer which is maintained by the maintenance unit. A wall(90) which is extended to a vertical direction is installed between an arm standby unit(80) and the process chamber.
Abstract translation: 目的:通过改善处理室内的情绪的更换,将处理待留在杯形容器中的晶片分散的化学溶液提供给液体处理装置和方法。 构成:处理室(20)接受晶片(W)。 将晶片保持水平状态的维护单元(21)安装在处理室内。 环形的旋转杯(40)布置在维护单元的周围。 喷嘴(82a)向由维护单元维护的晶片供给处理液。 在臂备用单元(80)和处理室之间安装有向垂直方向延伸的壁(90)。
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公开(公告)号:KR1020120036257A
公开(公告)日:2012-04-17
申请号:KR1020110082674
申请日:2011-08-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 히가시지마지로
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus is provided to prevent a flow of processing liquid which is flowed to the upper surface side of a processed substrate by forming a guide groove part which is extended to the outside of a surrounding member from an inner side. CONSTITUTION: A rotating gas comprises a surrounding member(3) which surrounds the peripheral part of a processed substrate. A plurality of guide groove parts(32) is formed on the lower surface of the surrounding member. The guide groove part guides a process liquid. The guide groove parts are respectively extended towards outside. The guide groove parts are arranged along the circumferential direction of the surrounding member.
Abstract translation: 目的:提供一种液体处理装置,用于通过形成从内侧延伸到周围构件的外侧的引导槽部来防止流入被处理基板的上表面侧的处理液的流动。 构成:旋转气体包括围绕被处理衬底的周边部分的周围构件(3)。 在周围部件的下表面上形成有多个引导槽部(32)。 引导槽部分引导处理液体。 引导槽部分分别向外延伸。 引导槽部沿着周围部件的圆周方向配置。
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公开(公告)号:KR101061922B1
公开(公告)日:2011-09-02
申请号:KR1020070053950
申请日:2007-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67196 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67253
Abstract: 처리실로부터 처리 가스를 배출하는 처리 가스 배출 관로에 마련된 다이어프램 밸브를 가지며, 다이어프램 밸브의 개방도 조절에 의해 처리실 내의 압력을 조정하는 처리 장치에 있어서, 처리 가스 배출 관로의 다이어프램 밸브의 상류 위치에 대전 방지제를 공급하는 대전 방지제 공급원을 접속한다. 다이어프램 밸브 내를 유통하는 가스와 다이어프램 밸브체와의 마찰에 의해 다이어프램 밸브체가 대전한 결과 발생하는 불꽃 방전에 의해 다이어프램 밸브체가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 隔膜阀设置在处理气体排出管线中,用于从处理室排出处理气体,并通过调节隔膜阀的开度来调节处理室内的压力, 连接到抗静电剂的供应源。 可以防止隔膜阀体由于通过在隔膜阀中流动的气体与隔膜阀体之间的摩擦而对隔膜阀体充气而产生的火花放电而受到损坏。
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