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公开(公告)号：KR101002666B1
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：KR1020080068314
申请日：2008-07-14
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/41733 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 결정화 유도 금속을 이용하여 결정화되고, 소오스/드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 상기 반도체층의 양측 에지부에 위치하는 제 1 게터링 사이트 및 상기 제 1 게터링 사이트와 이격되어 위치하는 제 2 게터링 사이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
게터링, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR100982310B1
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020080028324
申请日：2008-03-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/08 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역, 소오스/드레인 영역 및 바디콘택영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 상기 바디콘택영역을 노출시키는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 절연막에 의해 노출된 상기 바디콘택영역과 접하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 소오스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 바디콘택영역은 상기 반도체층의 에지 영역 내에 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
게이트-바디 콘택-
公开(公告)号：KR1020100099617A
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020090018200
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/3265 , H01L2227/323
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method of the same are provided to form a semiconductor layer including a polycrystalline silicon layer by crystallizing an amorphous silicon layer through a metallic catalyst. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises an TFT area and a capacitor region. A buffer layer(110) is located on the substrate. The semiconductor pattern is crystallized by using metallic catalyst on the TFT area. A gate insulating layer(130) is located on the substrate including a semiconductor layer pattern. The gate electrode(140) corresponds to a certain area of the semiconductor pattern. A capacitor lower electrode(145) is located in the capacitor region. An inter-layer insulating film(150) is located on the substrate. A part of source / drain electrodes(160a,160b) is connected to the semiconductor layer pattern.
Abstract translation: 目的：提供有机发光显示装置及其制造方法，以通过金属催化剂使非晶硅层结晶而形成包括多晶硅层的半导体层。 构成：衬底（100）包括TFT区域和电容器区域。 缓冲层（110）位于基板上。 半导体图案通过在TFT区域上使用金属催化剂结晶。 栅极绝缘层（130）位于包括半导体层图案的衬底上。 栅电极（140）对应于半导体图案的特定区域。 电容器下电极（145）位于电容器区域中。 层间绝缘膜（150）位于基板上。 源极/漏极（160a，160b）的一部分连接到半导体层图案。
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公开(公告)号：KR1020090108416A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080033818
申请日：2008-04-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L27/1214 , H01L29/78618
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to perform a gate-body contact thin film transistor without extension of a body contact region in a semiconductor layer. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a substrate(100), a semiconductor layer(102), a gate insulation film(104), a silicon film(106), a gate electrode(108), an interlayer insulation film(110), a source electrode(112a), and a drain electrode(112b). The semiconductor layer is positioned on the substrate, and includes a channel region, a source region, a drain region, and a body contact region. The gate insulation film is positioned on the semiconductor layer, and exposes the body contact region. The silicon film is positioned on the gate insulation film. The gate electrode is positioned on the silicon film. The interlayer insulation film is positioned on the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，以在半导体层中不延伸体接触区域来执行栅体接触薄膜晶体管。 构成：薄膜晶体管包括基板（100），半导体层（102），栅极绝缘膜（104），硅膜（106），栅电极（108），层间绝缘膜（110） 源电极（112a）和漏电极（112b）。 半导体层位于衬底上，并且包括沟道区，源极区，漏极区和体接触区。 栅极绝缘膜位于半导体层上，露出身体接触区域。 硅膜位于栅极绝缘膜上。 栅电极位于硅膜上。 层间绝缘膜位于栅电极上。
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公开(公告)号：KR1020090081965A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020080008159
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/458 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66765 , H01L27/1214
Abstract: A thin film transistor is provided to use the source/drain electrode material layer as a gettering site to simplify the process and remove the metallic catalyst remaining in the channel region of the semiconductor layer. A thin film transistor comprises a substrate(100), a gate electrode(120), a gate insulating layer(130), a semiconductor layer(185), and a source/drain electrode. The gate electrode is located on surface substrate. The gate insulating layer is located on the surface of the gate electrode. The semiconductor layer is located on the surface of the gate insulating layer. The semiconductor layer is crystallized by using the metallic catalyst. The source/drain electrode is located on the surface of the above semiconductor layer. The source/drain electrode is electrically connected to the source/drain region. Within the above semiconductor laminar area of the lower part of the source/drain electrode, the metal silicide of the metallic catalyst and the other metal or the other metal as described above is formed from the surface of the above semiconductor layer to the constant depth.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管以使用源极/漏极材料层作为吸杂位点来简化工艺并除去残留在半导体层的沟道区域中的金属催化剂。 薄膜晶体管包括基板（100），栅极电极（120），栅极绝缘层（130），半导体层（185）和源极/漏极电极。 栅电极位于表面基板上。 栅极绝缘层位于栅电极的表面上。 半导体层位于栅绝缘层的表面上。 通过使用金属催化剂使半导体层结晶。 源极/漏极位于上述半导体层的表面上。 源/漏电极电连接到源/漏区。 在源极/漏极的下部的上述半导体层片区域内，如上所述，金属催化剂的金属硅化物和其它金属或其它金属由上述半导体层的表面形成为恒定的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100889626B1
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020070084412
申请日：2007-08-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66757
Abstract: 본 발명은 반도체층에 잔존하는 결정화를 위한 금속 촉매의 양을 감소시켜 누설 전류 특성 및 박막트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역 및 소스/드레인 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층의 채널 영역에 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키기 위하여 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 사이에 위치하는 게이트 절연막; 상기 반도체층의 채널 영역 이외의 영역에 대응하는 상기 반도체층의 상부 또는 하부에 상기 게이트 전극과 이격되어 위치하며, 상기 게이트 전극과 동일 물질로 이루어진 금속층, 금속 실리사이드층, 또는 이들의 이중층; 및 상기 반도체층의 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 제공하는 특징으로 한다.
게터링, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR100882909B1
公开(公告)日：2009-02-10
申请号：KR1020070063680
申请日：2007-06-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조 방법, 이를 구비한 유기전계발광표시장치, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
기판; 상기 기판 상에 위치하고, 채널 영역 및 소오스/드레인 영역을 포함하며, 금속 촉매를 이용하여 결정화된 반도체층; 상기 반도체층의 일정 영역에 대응되게 위치하는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키기 위하여 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 사이에 위치하는 게이트 절연막; 및 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 채널 영역에는 상기 반도체층의 표면에서부터 수직방향으로 150Å 내에 상기 금속 촉매의 농도가 0초과 내지 6.5×E17 atoms/㎤ 이하로 존재하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조 방법, 이를 구비하는 유기전계발광표시장치, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
채널 영역, 금속 촉매, 농도-
公开(公告)号：KR1020080082827A
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：KR1020070023628
申请日：2007-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L21/3226 , H01L21/02672 , H01L27/1214
Abstract: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic electro luminescent display comprising the same are provided to prevent a leakage current by removing a metal catalyzer remaining on a channel region of a semiconductor layer. A semiconductor layer(202) is located on a substrate(200) and includes a channel region(202C), source/drain regions(202S,202D), and an edge region. The edge region is formed on the channel region and the source/drain regions and includes a first impurity. A gate dielectric(204) insulates the semiconductor layer. A gate electrode(207) is insulated from the semiconductor layer by the gate dielectric. Source/drain electrodes(215S,215D) are electrically connected to the semiconductor layer. The first impurity is phosphorus. A wiring part is formed through contact holes(213S,213D) exposing the source/drain regions and the edge region. The wiring part is the source/drain electrode.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管，其制造方法和包含该薄膜晶体管的有机电致发光显示器，以通过去除残留在半导体层的沟道区上的金属催化剂来防止漏电流。 半导体层（202）位于衬底（200）上并且包括沟道区（202C），源/漏区（202S，202D）和边缘区域。 边缘区域形成在沟道区域和源极/漏极区域上并且包括第一杂质。 栅极电介质（204）绝缘半导体层。 栅电极（207）通过栅极电介质与半导体层绝缘。 源/漏电极（215S，215D）电连接到半导体层。 第一种杂质是磷。 通过暴露源极/漏极区域和边缘区域的接触孔（213S，213D）形成布线部分。 接线部分是源极/漏极。
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公开(公告)号：KR101146995B1
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020100057111
申请日：2010-06-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/78609 , H01L29/78675
Abstract: A method of crystallizing a silicon layer and a method of manufacturing a TFT, the method of crystallizing a silicon layer including forming a catalyst metal layer on a substrate; forming a catalyst metal capping pattern on the catalyst metal layer; forming a second amorphous silicon layer on the catalyst metal capping pattern; and heat-treating the second amorphous silicon layer to form a polycrystalline silicon layer.
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20.发明授权박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이를 제조하는 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치 有权薄膜晶体管基板及其制造方法以及具有薄膜晶体管基板的有机发光元件
公开(公告)号：KR101137391B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100026403
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , H01L51/56
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L51/0081
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 이온 도핑 공정없이도 제조할 수 있는 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이의 제조 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
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