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公开(公告)号：KR1020050001797A
公开(公告)日：2005-01-07
申请号：KR1020030042133
申请日：2003-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/02043 , Y10S438/906
Abstract: PURPOSE: A method is provided to remove photoresist or post CMP(Chemical Mechanical Polishing) organic residue from a micro-electronic device substrate in short time by using SCCO2(Super Critical CO2) alone without a solvent. CONSTITUTION: SCCO2 is provided to a surface of a micro-electronic device substrate with photoresist or post CMP organic residue(S4). At this time, the photoresist or post CMP organic residue is swelled due to the SCCO2. The swelled photoresist or post CMP organic residue is removed from the substrate by using an ozone gas and water vapor(S8).
Abstract translation: 目的：提供一种在短时间内通过仅使用SCCO2（超临界CO 2）而不使用溶剂从微电子器件衬底去除光致抗蚀剂或后CMP（化学机械抛光）有机残留物的方法。 构成：SCCO2被提供到具有光致抗蚀剂或后CMP有机残余物的微电子器件衬底的表面（S4）。 此时，由于SCCO2，光致抗蚀剂或后CMP CMP有机残余物膨胀。 通过使用臭氧气体和水蒸汽从基板上除去溶胀的光致抗蚀剂或CMP后残留物（S8）。
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公开(公告)号：KR1020160019294A
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020140103885
申请日：2014-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 충남대학교산학협력단
IPC: A61B5/1455 , A61B5/024
CPC classification number: A61B5/7278 , A61B5/02416 , A61B5/14551 , A61B5/7203 , A61B5/7225
Abstract: 신호처리방법및 장치가개시된다. 일실시예에따른신호처리장치는광원이활성화된구간에서, 광검출부로부터출력되는검출신호를샘플링하여제1 샘플링신호를획득할수 있다. 신호처리장치는광원이비활성화된구간에서, 광검출부로부터출력되는검출신호를샘플링하여제2 샘플링신호를획득할수 있다. 그후, 신호처리장치는제1 샘플링신호와제2 샘플링신호가결합된결합신호를출력할수 있고, 제1 샘플링신호는제2 샘플링신호와결합하여진폭이감소될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种处理信号的方法和装置。 根据实施例，信号处理装置能够通过对从光检测部输出的检测信号在光源被激活的部分中进行采样来获得第一采样信号。 所述信号处理装置能够通过对从光检测部输出的检测信号在光源未被激活的部分进行采样来获得第二采样信号。 之后，信号处理装置能够输出与第一和第二采样信号相组合的组合信号。 第一采样信号与第二采样信号组合以减小振幅。
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公开(公告)号：KR1020150004619A
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130077847
申请日：2013-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/20
CPC classification number: G03F1/48 , G03F1/54 , H01L21/0274 , G03F1/14 , G03F1/20 , G03F1/76 , G03F1/80
Abstract: 포토 마스크가 제공된다. 포토 마스크는, 투명 기판, 상기 기판 상에 형성된 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 양 측벽을 덮는 보호막 패턴을 포함하되, 상기 보호막 패턴의 상면은 노출된다.
Abstract translation: 本发明涉及具有提高产品可靠性的光掩模及其制造方法。 根据本发明的光掩模包括：透明基板; 掩模图案 以及覆盖掩模图案的两个侧壁的保护膜图案。 保护膜图案包括第一区域和第二区域。 第一区域比第二区域更靠近透明基板设置，第一区域的宽度可以比第二区域的宽度宽。
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公开(公告)号：KR1020120081654A
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020100126890
申请日：2010-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/76 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F1/46 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/68 , G03F1/80 , G03F1/76 , H01L21/0274 , H01L21/0337
Abstract: PURPOSE: A photo-mask and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of a semiconductor device manufacturing process by being repeatedly used without the line width change of patterns. CONSTITUTION: A method for manufacturing a photo-mask includes the following: a light shielding pattern(115) and a reflection preventive film pattern(125) are successively stacked on a transparent substrate(100). The light shielding pattern is based on at least one of chrome(Cr), aluminum(Al), rubidium(Ru), tantalum(Ta), tantalum boron oxide(TaBO), and tantalum boron nitride(TaBN). The sidewall of the light shielding pattern is oxidized and nitrided to form a protective film pattern(135) based on plasma treatment. The plasma treatment uses oxygen gas and nitrogen gas as reactive gas. The mixed ratio of the oxygen gas and the nitrogen gas is in a range between 5 and 8. The temperature of a chamber for the plasma treatment is kept in a range between 200 and 400 degrees Celsius.
Abstract translation: 目的：提供一种光掩模及其制造方法，以通过在没有图案的线宽变化的情况下重复使用来提高半导体器件制造工艺的可靠性。 构成：用于制造光掩模的方法包括以下：在透明基板（100）上依次层叠遮光图案（115）和防反射膜图案（125）。 遮光图案基于铬（Cr），铝（Al），铷（Ru），钽（Ta），钽氧化硼（TaBO）和钽氮化硼（TaBN）中的至少一种。 基于等离子体处理，遮光图案的侧壁被氧化并氮化以形成保护膜图案（135）。 等离子体处理使用氧气和氮气作为反应气体。 氧气和氮气的混合比在5和8之间。用于等离子体处理的室的温度保持在200和400摄氏度之间的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100607176B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020040020521
申请日：2004-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 희석 에이.피.엠 수용액(An Aqueous Solution Diluted Ammonia And Peroxide Mixture)을 이용한 반도체 장치의 제조방법들을 제공한다. 이 제조방법들은 실리콘-게르마늄의 합금막을 갖는 단결정 실리콘 기저판에 희석 에이.피.엠 수용액을 사용해서 개별 소자들의 특성을 향상시킬 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 기저판의 주 표면 상에 적어도 일 회의 성장 공정을 통해서 합금막을 형성하고, 상기 성장 공정 후 합금막의 상면에 세정 공정을 실시한다. 이때에, 상기 세정 공정은 희석 APM(Ammonia and Peroxide Mixture) 수용액을 사용해서 실시하는데, 상기 희석 APM 수용액은 수산화 암모늄(NH
4 OH), 과수(H
2 O
2 ) 및 탈 이온수(DI-Water)의 체적 비율을 1: 0.5 ~ 20 : 300 ~ 2000 중의 선택된 비율을 사용해서 형성한다. 이를 통해서, 상기 희석 에이.피.엠 수용액을 이용한 반도체 장치는 실리콘-게르마늄의 합금막에 과도한 식각을 하지 않아서 단결정 실리콘 기저판 상부의 개별 소자들의 특성을 향상시킨다.
실리콘-게르마늄 합금막, 세정 공정, 희석 APM 수용액, 단결정 실리콘 기저판.-
公开(公告)号：KR100467016B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020030416
申请日：2002-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02065 , B08B7/00
Abstract: A cleaning method for a semiconductor substrate including placing the semiconductor substrate into a cleaning chamber and injecting ozone gas (O 3 ) into the cleaning chamber. This process operates to cleanse the semiconductor substrate without corrosion or etching of the semiconductor substrate; even when the substrate has metal layer made of tungsten.
Abstract translation: 一种用于半导体衬底的清洁方法，包括将半导体衬底放置到清洁室中并将臭氧气体（O SUB3 / SUB）注入到清洁室中。 该过程用于清洁半导体衬底而不腐蚀或蚀刻半导体衬底; 即使当衬底具有由钨制成的金属层时也是如此。
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公开(公告)号：KR100442869B1
公开(公告)日：2004-08-02
申请号：KR1020020006045
申请日：2002-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31138 , B08B7/00 , H01L21/67028 , H01L21/67763
Abstract: An apparatus for cleaning a semiconductor wafer includes a cleaning reaction chamber wherein the cleaning process is performed in a closed state, a wafer conveyor having wafer supporters for loading semiconductor onto a loading unit within the reaction chamber, at least one cleaning gas supply unit for supplying at least one cleaning solution in a vapor state into the reaction chamber, a water vaporizing unit for supplying vapor onto the semiconductor wafers, an ozone supply unit for supplying ozone gas into the reaction chamber, and a reaction gas exhaustion unit connected to the reaction chamber in order to exhaust the cleaning gas from the reaction chamber. The cleaning of the semiconductor wafers by adding cleaning gas and ozone gas into a reaction chamber easily removes any remaining photoresist that formed on the semiconductor wafers and any other contaminates from pre-processes.
Abstract translation: 一种用于清洁半导体晶片的设备包括：清洁反应室，其中清洁过程在关闭状态下进行;晶片传送器，具有用于将半导体加载到反应室内的加载单元上的晶片支撑件;至少一个清洁气体供应单元， 至少一种处于蒸气状态的清洁溶液进入反应室，用于将蒸气供应到半导体晶片上的水蒸发单元，用于将臭氧气体供应到反应室中的臭氧供应单元以及连接到反应室的反应气体排出单元 以从反应室中排出清洁气体。 通过将清洁气体和臭氧气体添加到反应室中来清洁半导体晶片容易地去除在半导体晶片上形成的任何剩余的光致抗蚀剂以及来自预处理的任何其他污染物。
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公开(公告)号：KR1020030065953A
公开(公告)日：2003-08-09
申请号：KR1020020006045
申请日：2002-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31138 , B08B7/00 , H01L21/67028 , H01L21/67763
Abstract: PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus for a semiconductor substrate cleaning process and a cleaning process using the same are provided to remove easily a hardened photoresist part by mixing a gasified cleaning solution with ozone. CONSTITUTION: A semiconductor fabrication apparatus for semiconductor substrate cleaning process includes a cleaning process chamber(110), a cleaning gas supply portion(120), an ozone supply portion(130), a steam supply portion(125), and a reaction gas exhaust portion(140). The cleaning process chamber has a substrate loading portion(111) for loading a semiconductor substrate(100) to perform a cleaning process in an airtight state. The cleaning gas supply portion supplies a cleaning solution of a gas state. The ozone supply portion supplies ozone to the cleaning process chamber. The steam supply portion supplies the steam to the cleaning process chamber. The process gas exhaust portion is connected to the process chamber in order to exhaust the cleaning gas.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体衬底清洗工艺的半导体制造装置和使用该半导体衬底清洁工艺的清洁工艺，以通过将气化的清洁溶液与臭氧混合来容易地除去硬化的光致抗蚀剂部件。 构成：用于半导体衬底清洁工艺的半导体制造装置包括清洁处理室（110），清洁气体供应部分（120），臭氧供应部分（130），蒸汽供应部分（125）和反应气体排出 部分（140）。 清洁处理室具有用于加载半导体基板（100）以进行气密状态的清洁处理的基板装载部（111）。 清洁气体供给部供给气体状态的清洗液。 臭氧供应部分向清洗处理室提供臭氧。 蒸汽供应部分将蒸汽供应到清洁处理室。 过程气体排出部分连接到处理室以排出清洁气体。
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公开(公告)号：KR1019990008631A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970030674
申请日：1997-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 게이트 전극 형성시 그 측벽에 형성되는 자연 산화막, 식각 잔류물, 유기물, 폴리머 등과 같은 오염물질을 제거하기 위한 세정 방법에 관한 것으로서, 초희석 불화수소산과 오존수를 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 의하면 RTP와 같은 고온 공정을 수반할 필요가 없어 공정이 간편해지며, 오염물질 세정 효과가 탁월하므로 게이트 신뢰성 향상 및 셀프 얼라인 콘택 공정의 안정화를 이룰 수 있다는 잇점이 있다.
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