公开(公告)号：KR1020170033831A

公开(公告)日：2017-03-27

申请号：KR1020170032461

申请日：2017-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  정지심 ,  권장연 ,  이광희

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

Abstract: 전기적신뢰성이향상된능동형표시장치의스위칭소자및 그구동방법이개시된다. 개시된능동형표시장치의스위칭소자는직렬연결된다수의박막트랜지스터를포함한다. 따라서, 하나의스위칭소자내에서다수의박막트랜지스터가동시에온(ON)이되는시간이외에는, 하나의스위칭소자내의각각의박막트랜지스터에비동시적으로양의전압을인가함으로써스위칭소자의신뢰성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101587550B1

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：KR1020090101733

申请日：2009-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권영남 ,  김도환 ,  한혁수 ,  허성 ,  정지심 ,  최윤혁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 트랜지스터가개시된다. 개시된트랜지스터는게이트; 상기게이트와인접배치되며, 미엘린막을포함하여이루어진게이트절연막; 상기게이트절연막에의해상기게이트와이격되는채널층; 상기채널층의양측에각각접촉형성된소스및 드레인;을포함한다.

公开(公告)号：KR101472799B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842

Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.

公开(公告)号：KR101375834B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020070118827

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  윤선미 ,  이상윤 ,  최재영 ,  신현진 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/66765 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/778

Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR101345378B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070048310

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김준성 ,  이상윤 ,  황억채 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는채널층에플라즈마에대해 ZnO에비해높은분자결합력을갖는 ZnCl 성분이포함된다. ZnCl 성분은채널층 전체뿐 아니라채널의표면가까운영역에형성된다. ZnCl 은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다. ZnCl 성분은채널층 재료에포함되어채널층 전체에분포될수 도있고, 또는채널층 패터닝시플라즈마가스에 Cl 성분을포함시켜채널층 에칭과정에서채널층의표면영역에함유될수 있다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括ZnCl组分，该组分对沟道层中的ZnO与等离子体具有高分子结合力。 ZnCl组分不仅形成在整个沟道层上，而且形成在沟道表面附近。 ZnCl 2抗等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。 ZnCl组分可以被包括在沟道层材料中并且遍布沟道层分布，或者可以在沟道层刻蚀工艺期间通过在沟道层图案化期间将Cl组分包括在等离子体气体中而包含在沟道层的表面区域中。

公开(公告)号：KR101334177B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070016033

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  한민구 ,  이상윤 ,  박중현 ,  한상면 ,  김선재

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하부 구조체; 상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층; 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및 상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR101281167B1

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：KR1020060116057

申请日：2006-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  권장연 ,  이상윤 ,  정지심

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 적은 공정수와 간단하고 쉬운 공정으로 제조될 수 있도록 그 구조가 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자가 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자는, 기판 상에 형성된 상호 연결된 한 조의 스위칭용 트랜지스터와 구동용 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭용 트랜지스터는 순차적층된 제1 비정질 실리콘층과 제1 다결정 실리콘층을 포함하는 제1 듀얼채널층; 및 상기 제1 듀얼채널층의 하부에 형성되어 상기 제1 비정질 실리콘층과 마주하는 제1 게이트 전극;을 구비하는 하부 게이트 구조로 형성되고, 상기 구동용 트랜지스터는 순차적층된 제2 비정질 실리콘층과 제2 다결정 실리콘층을 포함하는 제2 듀얼채널층: 및 상기 제2 듀얼채널층의 상부에 형성되어 상기 제2 다결정 실리콘층과 마주하는 제2 게이트 전극;을 구비하는 상부 게이트 구조로 형성된다.

公开(公告)号：KR101206038B1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020060129656

申请日：2006-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종만 ,  박경배 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 폴리실리콘층 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 폴리실리콘층의 일부영역을 마스킹하는 것으로 순차적층된 게이트 마스크와 포토레지스트층을 포함하는 마스크 구조체를 형성하는 단계, 상기 마스크 구조체에 의해 가려지지 않는 폴리실리콘층의 일단부 및 타단부에 이온빔 임플란테이션 방법에 의해 제1 농도의 불순물을 주입하여 상기 폴리실리콘층에 소오스와 드레인 영역 및 이들 사이에 개재되는 채널영역을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층에 이온빔을 조사하여 상기 포토레지스트층을 수축시킴으로써 상기 게이트 마스크의 일단부 및 타단부를 돌출시키는 단계, 상기 수축된 포토레지스트층을 식각마스크로 이용하여 상기 수축된 포토레지스트층과 같은 너비(width)로 상기 게이트 마스크 및 절연막을 식각하여 게이트 전극 및 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막과 소오스영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 일단부 및 상기 게이트 절연막과 드레인영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 타단부 각각에 상기 제1 농도 보다 적은 제2 농도의 불순물을 주입하여 LDD 영역을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101100423B1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020050030285

申请日：2005-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  권장연 ,  임혁 ,  타카시노구치

IPC: H01L29/786

Abstract: 개시된 실리콘 박막트랜지스터는: 기판에 형성되는 실리콘 채널과; 상기 실리콘 채널 위에 형성되는 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 위에 마련되는 게이트를; 구비하고, 상기 게이트 절연층은 상기 실리콘 채널의 플라즈마 저온산화에 의한 산화막 및 상기 채널에 별도로 증착된 산화막을 포함하는 구조를 가진다. 이러한 박막트랜지스터는 게이트절연층과 채널간의 개선된 인터페이스특성을 가지며, 특히 낮은 구동전압을 가진다.
다결정, 실리콘, 게이트 절연층, 플라즈마 산화, 저온산화

公开(公告)号：KR1020090052229A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020070118828

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66765

Abstract: 결정질 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 결정질 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 격자 구조를 가지는 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상에 실리콘 결정을 성장시키는 단계;를 포함한다.