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公开(公告)号：KR101246911B1
公开(公告)日：2013-03-25
申请号：KR1020100108201
申请日：2010-11-02
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국화학연구원
IPC: C07D401/12 , C07D239/34 , A61K31/513 , A61P29/00
CPC classification number: C07D239/60 , C07D239/52 , C07D401/12
Abstract: 본 발명은 신규한 2,4-피리미딘 유도체 및 이의 용도에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전신성 홍반성 낭창에 효과가 있는 피리미딘 유도체, 이를 유효성분으로 포함하는 전신성 홍반성 낭창 예방 및 치료용 조성물 및 이를 스크리닝하는 방법에 관한 것이다. 본 발명자들은 gp96의 세포내 거류에 대한 분자 닻(anchor)인 AIMP1의 기능을 모방하여 gp96의 표면 전좌(translocation)를 저해하는 신규 물질을 찾았고, 이들 물질이 in vitro, in vivo상에서 자가면역질환 중 SLE 형질을 완화하여 SLE를 예방 및 치료하는 효과가 있음을 확인하였다. 따라서, 본 발명은 상기 기작을 이용하여 SLE의 치료제를 스크리닝하고, SLE를 예방 또는 치료하는 새로운 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101636490B1
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020140097453
申请日：2014-07-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는란탄족금속전구체에관한것으로, 상기란탄족금속전구체는열적으로안정하므로양질의란탄족금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은란탄족금속이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
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公开(公告)号：KR1020160010992A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140091846
申请日：2014-07-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/00 , C23C16/305 , C23C16/407
Abstract: 본발명은신규한인듐전구체, 이의제조방법및 이를이용한박막에관한것으로, 열적안정성및 휘발성이우수하고, 다루기용이한인듐 3가의신규한인듐전구체및 이의제조방법, 그리고이를이용한고순도의인듐함유박막에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新颖的铟前体及其制备方法和使用该铟前体的薄膜，更具体地说，涉及一种具有优异的热稳定性和挥发性，易于处理的新颖的三价铟铟前体， 其制造方法，以及使用该薄膜的含有高纯度的铟的薄膜。 铟前体由化学式1表示。
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公开(公告)号：KR1020160006491A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140086145
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌化合物及其制备方法和薄膜形成方法。 由化学式1表示的钌化合物可以由于热稳定性和优异的挥发性而形成优质的钌薄膜。 在化学式1中，R 1〜R 6各自独立地为氢，或具有1〜4个碳原子的直链或支链烷基。
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公开(公告)号：KR101567936B1
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：KR1020130136364
申请日：2013-11-11
Applicant: 한국화학연구원 , 공주대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은하기화학식 1 내지화학식 3 중어느하나로표시되는안티몬-텔루륨단일전구체에관한것으로, 상기안티몬-텔루륨단일전구체는열적안정성과휘발성이향상되고, 박막제조중에별도의텔루륨을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의안티몬-텔루륨이포함된박막을형성할수 있다. [화학식 1][화학식 2][화학식 3](상기식에서, R, R, R, R는각각독립적으로 C1-C10인선형또는분지형알킬기, 또는 C6-C16인방향족고리이다.)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150088538A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140008990
申请日：2014-01-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/00
CPC classification number: C07F3/003 , C23C16/409 , C23C16/45525
Abstract: 본발명은하기화학식1로표시되는스트론튬전구체에관한것으로, 상기스트론튬전구체는열적으로안정하고휘발성이좋으므로양질의스트론튬박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, R은 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R, R, R은각각독립적으로 H, C1-C10의선형또는분지형알킬기, 또는 C1-C10의플루오르화알킬기이며, m, n은각각독립적으로 1 내지 3이고, a는 1 내지 3이다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锶前体，能够形成优质的锶薄膜，因为锶前体具有热稳定性和高挥发性。 在化学式1中，R_1为C1-C10直链或支链烷基，R_2，R_3，R_6和R_7独立地为H，C1-C10直链或支链烷基或C1-C10氟烷基，m n分别为1〜3的数，a为1〜3的数。
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公开(公告)号：KR1020150081609A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140001269
申请日：2014-01-06
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F15/045 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는니켈전구체에관한것으로, 상기니켈전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는니켈박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬및 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3 사이의숫자에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镍前体。镍前体是含有硫的前体，并且具有在制造薄膜时不需要添加单独的硫的优点。 此外，可以形成含有高品质硫的镍薄膜作为提高热稳定性。 [化学式1]在上述化学式中，R 1和R 2分别独立地为C1-C10或支链形式烷基的直链型，R 3和R 4分别独立地为直链型的C 1 -C 10或烷基和氟代烷基 的分支形式，n选自1至3的数。
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公开(公告)号：KR101530044B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR101505126B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020130121987
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有热稳定性和挥发性高的钨化合物，用于制造具有钨硫钨酸盐的优质薄膜。 在本发明中，提供了具有良好的热稳定性和高挥发性的钨化合物，并且用于在制造薄膜时不添加硫属元素的情况下容易地加工薄膜，并且用于制造具有钨硫属钨的薄膜。 为此，提供了由化学式1表示的钨化合物。
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20.发明授权
公开(公告)号：KR101472473B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136556
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화게르마늄 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及涉及由式（1），其中，所述的Ge前体具有的是不需要在作为含有硫和在质量硫化物的热稳定性和挥发性提高的前体产生的薄膜添加一个额外的硫的优点表示的Ge前体 可以形成锗薄膜。
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