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公开(公告)号：KR1020150108257A
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020140031242
申请日：2014-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F13/1668 , G06F8/656 , G06F9/44594 , G06F11/073 , G06F11/0793 , G06F21/52 , H04L67/06 , H04L67/32
Abstract: 본 발명은 전자장치에서 메모리를 제어하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 커널이os 프레임웍으로부터 프로그램 정보에 따른 중요도 및 메모리 사용량을 수신하는 과정과, 상기 커널이 상기 os 프레임웍으로부터 메모리 요청신호를 수신하는 과정과, 상기 커널이 상기 os 프레임웍으로부터 수신한 메모리 요청 신호에 대응하는 적어도 하나 이상의 프로그램을 실행 종료하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
따라서 본 발명에 따르면 메모리를 제어하여 효율성을 향상시킬 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于控制电子设备中的存储器的方法和装置。 本发明包括以下步骤：内核根据来自OS框架的程序信息接收一定程度的重要性和内存使用; 内核从OS框架接收存储器请求信号; 并且内核结束与从OS框架接收到的存储器请求信号相对应的至少一个程序的执行。 因此，本发明可以通过控制存储器来提高效率。
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公开(公告)号：KR101465447B1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140037376
申请日：2014-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G06F9/06
CPC classification number: G06F7/36
Abstract: 외부 병합 정렬 방법(400)은 소스 데이터가 입력되는 단계(410), 컴퓨터 장치가 소스 데이터를 메모리 크기 단위로 나누어 각각 내부 정렬하고, 정렬된 런을 저장 장치(120)에 저장하는 단계(420), 저장 장치(120)가 복수의 런을 대상으로 병합 정렬을 수행하고, 정렬되는 데이터를 버퍼에 저장하는 단계(430), 저장 장치(120)가 버퍼에 있는 데이터를 컴퓨터 장치에 전달하는 단계(440) 및 컴퓨터 장치가 정렬된 데이터를 이용하는 단계(450)를 포함한다.
Abstract translation: 外部合并排序方法（400）包括：输入源数据的步骤（410）; 允许计算设备划分存储器大小单元中的源数据以对其中的分割的源数据进行排序并将排序的运行存储在存储设备（120）中的步骤（420）; 允许所述存储装置（120）相对于所述运行执行合并和排序并将排序的数据存储在缓冲器中的步骤（430） 允许存储装置（120）将存储在缓冲器中的数据发送到计算装置的步骤（440）; 以及允许计算设备排序数据的步骤（450）。
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公开(公告)号：KR101152267B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100047043
申请日：2010-05-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/10
Abstract: 본발명은기판의 TSV에구리를과충진하여구리포스트가기판보다돌출되게함으로써솔더범프의형성이용이하고, 제작공정을단축시킬수 있는실리콘인터포저의제작방법에관한것으로서, 실리콘기판을준비하는단계; 실리콘기판에 TSV(Through Silicon Via)를형성하는단계; TSV가형성된실리콘기판에산화막및 구리시드층을형성하는단계; 실리콘기판의상면과하면에마스크층을형성하는단계; TSV에구리를충진하여일단이실리콘기판보다돌출되고마스크층보다함몰된형태의구리포스트를형성하는단계; 구리포스트의일단에솔더를증착하고, 마스크층을제거하는단계; 및리플로우공정을통해구리포스트의일단에솔더범프를형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120038809A
公开(公告)日：2012-04-24
申请号：KR1020100100464
申请日：2010-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F13/16 , G11C16/10
Abstract: PURPOSE: An indexing method of a flash memory is provided to store a leaf node of a micro tree and index nodes related to the leaf node on one page of the flash memory and correct, insert, or delete the leaf/index nodes. CONSTITUTION: A tree structure comprises a leaf node and an index node. A correction command for the leaf node is received. An entry in the leaf node and an entry in the index node for designating the leaf node are stored in the same page. The maximum numbers of entries stored in the leaf node and entries stored in the index node are changed based on the number of entries in the leaf node stored in the page and the number of entries in the index node.
Abstract translation: 目的：提供闪存的索引方法，用于存储微树的叶节点和与叶节点相关的索引节点在闪存的一页上，并校正，插入或删除叶/索引节点。 构成：树结构包括叶节点和索引节点。 接收叶节点的校正命令。 叶节点中的条目和用于指定叶节点的索引节点中的条目存储在同一页中。 存储在叶节点中的条目的最大数量和存储在索引节点中的条目基于存储在页面中的叶节点中的条目数和索引节点中的条目数来改变。
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公开(公告)号：KR101016729B1
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 열안정성이 우수하며 높은 저항값을 가지는 세라믹-금속 나노복합체를 이용한 박막 내장형 저항체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 내장형 저항체는 세라믹-금속 나노복합체를 이용하여 제조됨으로써 산화 구조로 인해 산화의 영향을 적게 받아 우수한 열안정성을 나타낼 뿐만 높은 저항값을 나타내어 회로의 집적도를 높인 저항 내장형 인쇄회로기판 등에 사용될 수 있다.
박막 내장형 저항체, 산화실리콘, 백금, 열안정성, 고저항-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100095308A
公开(公告)日：2010-08-30
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A thin film embedded resistor prepared using a ceramic-metal nano-composite is provided to increase the integration of a circuit, thereby allowing a user to implement a fine pitch member. CONSTITUTION: An oxidation silicon - platinum nano-composite is deposited on a substrate to distribute platinum particle inside a matrix. The oxidation silicon - platinum nano-composite has an atomic ratio of 67:33 or 42:58 of oxidation silicon and platinum, respectively. The size of the platinum particles distributed within the oxidation silicon matrix is 3-5 nm. The thin film embedded register has 3K at a TCR of 100 ppm.
Abstract translation: 目的：提供使用陶瓷 - 金属纳米复合材料制成的薄膜嵌入式电阻器，以增加电路的集成度，从而允许使用者实现细间距元件。 构成：将氧化硅 - 铂纳米复合材料沉积在基底上以将铂颗粒分布在基体内。 氧化硅 - 铂纳米复合材料的氧化硅和铂的原子比分别为67:33或42:58。 分布在氧化硅基质中的铂颗粒的尺寸为3-5nm。 薄膜嵌入寄存器在TCR为100ppm时具有3K。
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公开(公告)号：KR100924818B1
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020070115693
申请日：2007-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징에 이용되는 마이크로 솔더볼 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 제조가 매우 용이할 뿐만 아니라 균일한 사이즈의 솔더볼을 제조할 수 있는 솔더볼 제조방법에 관한 것이다.
이에, 본 발명의 솔더볼 제조방법은, 솔더 및 상기 솔더와의 젖음성이 낮은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 마스크층을 형성하는 마스크층 형성단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 홈을 형성하는 단계; 상기 마스크층의 홈에 솔더를 도금하는 솔더 도금단계; 상기 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계; 상기 솔더를 가열함으로써 솔더볼을 형성하는 단계; 및 상기 솔더볼을 기판에서 분리시키는 솔더볼 분리단계를 포함하여 이루어진다.
반도체패키징, 솔더볼, 젖음성, Sn-Ag-
公开(公告)号：KR101772955B1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160087887
申请日：2016-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F9/5027 , G06F15/16 , G06F17/30194
Abstract: 맵리듀스기반의분산처리시스템에서인덱스를이용하여레코드를처리하는방법은분산처리시스템의분산노드가입력파일에서분석대상인레코드들을분류하는단계, 상기분산노드가각 레코드의키(key) 및저장위치를지시하는복수의인덱스를갖는자료구조를생성하는단계, 상기분산노드가상기자료구조에서상기키의순서대로상기복수의인덱스에접근하면서레코드의키, 레코드의저장위치및 레코드가소속되었던자료구조의식별자를지시하는새로운인덱스를갖는새로운인덱스자료구조를생성하는단계, 상기분산노드가새로운자료구조에서키의순서대로인덱스에접근하면서동일한키 값을갖는인덱스가지시하는레코드의저장위치및 자료구조의식별자를기준으로저장된레코드에리듀스함수를적용하는단계를포함한다.
Abstract translation: 用于处理使用的MapReduce基于分布式处理系统中的索引的记录方法是关键（密钥）和阶段的存储位置被分配的分布式处理系统的节点在输入文件分析目标记录进行分类，该分配节点gagak记录 生成具有指示数据结构中的多个索引的多个索引的数据结构，以数据结构中的键的顺序访问多个索引， 生成具有指示所述标识符，该分配节点的存储位置和数据结构识别符在记录和具有相同的密钥值访问索引中的键的顺序在所述新数据结构gajisi索引的新索引新索引数据结构 并且基于记录擦除功能应用存储的记录擦除功能。
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公开(公告)号：KR101611133B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020150068919
申请日：2015-05-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G01N27/407 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 3차원구조의가스센서가개시된다. 3차원구조의가스센서는기판; 상기기판으로부터수직한방향을따라상기기판상에형성된복수개의구조물들; 상기복수개의구조물들의표면및 상기복수개의구조물들이형성되어있지않은기판상의일부또는전부에형성된제1 접착층; 상기제1 접착층상에형성된제2 접착층; 상기제2 접착층상에형성된채널층; 상기채널층표면에형성된복수개의금속산화물구조체들; 상기기판상에형성되고상기채널층과전기적으로연결된제1 전극; 및상기기판상에상기제1 전극과이격된상태로상기채널층과전기적으로연결된제2 전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了具有三维结构的气体传感器。 具有三维结构的气体传感器可以敏感地感测预定的有毒气体并且可以扩大附着有气体分子的表面积。 具有三维结构的气体传感器包括：基板; 在与衬底垂直的方向上形成在衬底上的多个结构; 形成在其上没有形成结构的基板的一部分或全部的结构的表面上的第一粘附层; 形成在第一粘合层上的第二粘附层; 形成在第二粘合层上的沟道层; 形成在沟道层表面上的多个金属氧化物结构; 形成在所述基板上并电连接到所述沟道层的第一电极; 以及第二电极，与所述沟道层电连接，同时与所述衬底上的所述第一电极分离。
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公开(公告)号：KR101465343B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020130071436
申请日：2013-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법의 용이성을 확보하고 단순화된 공정을 제공하기 위함이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법은, 표면 처리된 금속 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 전해 도금(electroplating)을 이용하여 상기 포토레지스트가 패터닝되지 아니한 부분에 금속 도금층을 형성하는 단계; 상기 금속 도금층을 형성한 이후 포토레지스트를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거한 이후 상기 기판 및 상기 금속 도금층 위에 감광성 필름을 코팅하는 단계; 상기 감광성 필름 위에 테이프를 입히는 단계; 및 상기 기판을 떼어내는 단계를 포함한다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造探针卡针的方法。 本发明的目的是促进用于制造用于探针卡的针的方法并提供简化的过程。 根据本发明的实施例的用于制造探针卡针的方法包括以下步骤：制备其表面被加工的金属基底; 在衬底上图案化光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂未使用电镀图案化的区域上形成金属镀层; 在形成金属镀层之后去除光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂之后，在基板和金属镀层上涂布感光膜; 将胶带涂在感光膜上; 并分离底物。
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