Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따르는 이온원은, 일측을 통해서 유입된 가스가 이온화되어 타측으로 배출되며, 외주에 슬릿이 형성되는 양극관과, 상기 가스를 이온화시키도록 상기 슬릿으로 열전자를 방출하는 필라멘트 및 상기 양극관 내부로 유입되는 상기 열전자의 확산을 줄이도록, 상기 열전자가 통과할 수 있게 한 개 이상의 구멍을 가지며, 상기 필라멘트와 상기 슬릿 사이에 배치되는 확산방지체를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 포토 마스크 수리방법을 개시한다. 수리용 원자현미경 탐침이 포토 마스크의 결함 부분에 위치하도록 하고, 상기 수리용 원자현미경 탐침을 왕복 동작시키는 것에 의하여 상기 포토 마스크의 결함 부분을 제거하고, 상기 수리용 원자현미경 탐침에 의한 상기 포토 마스크의 수리 과정을 전자현미경으로 관찰하고, 그리고 상기 수리용 원자현미경 탐침과는 다른 관측용 원자현미경 탐침을 사용하여 수리 후의 상기 포토 마스크의 형상을 인-시츄(in-situ)로 확인한다.
Abstract:
The present invention relates to a method for cleaning a metal tip used as a probe for a scanning probe microscope or a source for a particle beam under ultra-high vacuum. Provided is the method for cleaning the metal tip which includes the steps of: a) maintaining vacuum with a pressure of 10^-7 mbar in a chamber including the metal tip; b) introducing nitrogen gas into the chamber; and c) applying a positive voltage to the metal tip in the chamber to which the nitrogen gas is introduced.
Abstract:
A control method of a high-speed scanning probe microscope is provided to use in total number inspection of wafer or dynamics research by performing high speed-imaging through real time imaging. A control method of a high-speed scanning probe microscope, that includes a probe(12), a detector to detect a feedback signal according to the distance between the probe and a specimen, and a scanner to move the probe or specimen, comprises the steps of: scanning the surface of a specimen(14) by moving the probe horizontally, and determining whether the distance between the probe and specimen is within a high speed-operating distance range and, when the distance is within the high speed-operating distance range, sensing a feedback signal changed according to irregularity of the specimen while the probe is horizontally moved in a state that the probe feedback signal is removed.