公开(公告)号：DE102019130376A1

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102019130376

申请日：2019-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GANNER THOMAS ,  KONRATH JENS PETER ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) umfasst einen Siliziumcarbid-Körper (100), der ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Kathodengebiet (160) des ersten Leitfähigkeitstyps und Trenngebiete (140) eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält. Eine streifenförmige Gatestruktur (150) erstreckt sich entlang einer ersten Richtung (291) und grenzt direkt an das Sourcegebiet (110) und die Trenngebiete (140). Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner eine erste Lastelektrode (310). Entlang der ersten Richtung (291) ist das Kathodengebiet (160) zwischen zwei der Trenngebiete (140) gelegen, und zumindest eines der Trenngebiete (140) ist zwischen dem Kathodengebiet (160) und dem Sourcegebiet (110) gelegen. Die Sourcegebiete (110) und die erste Lastelektrode (310) bilden einen ohmschen Kontakt (OC), und die erste Lastelektrode (310) und das Kathodengebiet (160) bilden einen Schottky-Kontakt (SC).

公开(公告)号：DE102018114664A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114664

申请日：2018-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/328 ,  H01L23/62 ,  H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Vorsehen eines Retikels (400), das zumindest zwei erste Gebiete (411) und ein zweites Gebiet (412) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) aufweist. Jedes der ersten Gebiete (411) enthält erste opake Flächen (431) und erste transparente Flächen (411). Ein lateraler Abstand (d0) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) ist größer als eine Breite (w1) jeder der ersten opaken Flächen (431). Ein Siliziumcarbidsubstrat (700) und eine lichtempfindliche Schicht (300) werden auf einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen. Die lichtempfindliche Schicht (300) wird einer Belichtungsstrahlung (820) ausgesetzt, die das Retikel (400) passiert, wobei Teile (825) der Belichtungsstrahlung, die durch benachbarte erste transparente Flächen (441) hindurchgehen, überlappende Flächen (301) der lichtempfindlichen Schicht (300) belichten.

公开(公告)号：DE102019111308A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102019111308

申请日：2019-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HELL MICHAEL ,  LEENDERTZ CASPAR ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist eine sich von einer ersten Oberfläche (101) aus in einen SiC Halbleiterkörper (100) erstreckende Gatestruktur (150) auf. Ein Bodygebiet (120) in dem SiC Halbleiterkörper (100) grenzt mindestens an eine erste Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) an. Ein erstes und ein zweites Abschirmgebiet (161, 162) vom Leitfähigkeitstyp des Bodygebiets (120) sind mindestens doppelt so hoch dotiert wie das Bodygebiet (120). Ein Diodengebiet (140) bildet zwischen dem ersten Abschirmgebiet (161) und dem zweiten Abschirmgebiet (162) einen Schottky-Kontakt (SC) mit einer Lastelektrode (310) .

公开(公告)号：DE102017127848A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102017127848

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SIEMIENIEC RALF ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist einen SiC Halbleiterkörper (100) mit einem aktiven Bereich (610) und einer den aktiven Bereich (610) mindestens teilweise umgebenden Randabschlussstruktur (190) auf. Im SiC Halbleiterkörper (100) ist eine Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die Randabschlussstruktur (190) weist ein erstes dotiertes Gebiet (191) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen einer ersten Oberfläche (101) des SiC Halbleiterkörpers (100) und der Driftzone (131) auf. Das erste dotierte Gebiet (191) umgibt den aktiven Bereich (610) mindestens teilweise und ist von der ersten Oberfläche (101) beabstandet. Die Randabschlussstruktur (190) weist zudem zweite dotierte Gebiete (192) vom zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen der ersten Oberfläche (101) und dem ersten dotierten Gebiet (191) und dritte dotierte Gebiete (193) vom ersten Leitfähigkeitstyp zwischen den zweiten dotierten Gebiete (192) auf.

公开(公告)号：DE102014104201A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102014104201

申请日：2014-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  ELPELT RUDOLF ,  HECHT CHRISTIAN ,  KONRATH JENS ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Siliziumkarbidvorrichtung weist ein Siliziumkarbidsubstrat, eine anorganische Passivierungsschichtstruktur und eine Formmasseschicht auf. Die anorganische Passivierungsschichtstruktur bedeckt eine Hauptoberfläche des Siliziumkarbidsubstrats zumindest teilweise lateral, und die Formmasseschicht ist angrenzend an die anorganische Passivierungsschichtstruktur angeordnet.

公开(公告)号：DE112010002925A5

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：DE112010002925

申请日：2010-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  FRIEDRICHS PETER

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

公开(公告)号：DE102019129412A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：DE102019129412

申请日：2019-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  MAUDER ANTON ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält einen Siliziumcarbid-Körper (100) mit einem hexagonalen Kristallgitter mit einer c-Ebene (105) und mit weiteren Hauptebenen (106). Die weiteren Hauptebenen (106) umfassen a-Ebenen und m-Ebenen. Eine mittlere Oberflächenebene (109) des Siliziumcarbid-Körpers (100) ist um ein Winkelabweichung (α) zur c-Ebene (105) geneigt. Der Siliziumcarbid-Körper (100) enthält einen säulenförmigen Bereich (190) mit Säulenseitenwänden (191, ..., 196). Zumindest drei der Säulenseitenwände (191, ..., 196) sind entlang einer jeweiligen der weiteren Hauptebenen (106) orientiert. Eine Graben-Gatestruktur (150) ist mit den zumindest drei Säulenseitenwänden (191, ..., 196) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102018112109A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018112109

申请日：2018-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/161 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Die Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauelement (100, 500), das einen SiC Halbleiterkörper (102) aufweist sowie einen ersten Lastanschluss (L1) an einer ersten Oberfläche (104) des SiC Halbleiterkörpers (102). Ein zweiter Lastanschluss (L2) ist an einer der ersten Oberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (106) des SiC Halbleiterkörpers (102) gebildet. Das Halbleiterbauelement (100, 500) weist eine Driftzone (112) von einem ersten Leitfähigkeitstyp im SiC Halbleiterkörper (102) auf sowie ein erstes Halbleitergebiet (108) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das mit dem ersten Lastanschluss (L1) elektrisch verbunden ist. Ein pn-Übergang zwischen der Driftzone (112) und dem ersten Halbleitergebiet (108) definiert eine Spannungssperrfestigkeit des Halbleiterbauelements (100, 500).

公开(公告)号：DE102018123596A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102018123596

申请日：2018-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  RUPP ROLAND ,  ZIPPELIUS BERND ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  SCHÖRNER REINHOLD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: In Abschlussgebieten eines Siliziumcarbidsubstrats werden Feldzonen mittels Ionenimplantation ausgebildet, wobei durch laterales Modulieren einer Verteilung von Dotierstoffen, die über die Ionenimplantation in das Siliziumcarbidsubstrat eindringen, eine horizontale Netto-Dotierstoffverteilung in den Feldzonen so eingerichtet wird, dass sie von einer maximalen Netto-Dotierstoffkonzentration Nmax innerhalb von zumindest 200 nm auf Nmax/e zu fallen, wobei e die Eulersche Zahl repräsentiert. Die Feldzonen bilden erste pn-Übergänge mit einer Driftschicht.

公开(公告)号：DE102023122081B3

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102023122081

申请日：2023-08-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  LEENDERTZ CASPAR ,  ELPELT RUDOLF ,  FISCHER BJOERN

IPC: H10D30/60 ,  H10D12/00 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (10) weist einen Transistor auf. Der Transistor weist eine Vielzahl von in einem Halbleitersubstrat (100) ausgebildeten Gate-Gräben (111) auf, wobei die Gate-Gräben (111) das Halbleitersubstrat (100) in Stege (114) strukturieren. Ferner weist der Transistor eine in zumindest einem der Gate-Gräben (111) angeordnete Gate-Elektrode (110) auf. Ein Source-Gebiet (124), ein Kanalgebiet (122), ein Teil eines Stromspreizungsgebiets (126) sind in den Stegen (114) angeordnet. Die Halbleitervorrichtung (10) weist ferner eine Superjunction-Struktur (117) auf, die in einem größeren Abstand zum Source-Gebiet (124) als dem Kanalgebiet (122) angeordnet ist. Die Superjunction-Struktur (117) weist ein erstes Kompensationsgebiet (118) des ersten Leitfähigkeitstyps und ein zweites Kompensationsgebiet (119) des zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Eine Dotierungskonzentration des dotierten Bereichs (120) des zweiten Leitfähigkeitstyps des Kanalgebiets (122) nimmt in einer die erste horizontale Richtung kreuzenden zweiten horizontalen Richtung von einem Gebiet nahe der Gate-Elektrode (110) zu einem zentralen Bereich des Stegs (114) ab.