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    Halbleitervorrichtung, Sperrschicht-Feldeffekttransistor und vertikaler Feldeffekttransistor
    13.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung, Sperrschicht-Feldeffekttransistor und vertikaler Feldeffekttransistor 未知

    公开(公告)号：DE102014113130A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：DE102014113130

    申请日：2014-09-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  KONRATH JENS ,  OUVRARD CEDRIC ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WERNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  LAFORET DAVID ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/808

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung ist gemäß einer Ausführungsform zumindest teilweise in oder auf einem Substrat angeordnet und umfasst eine Vertiefung, die eine Mesa ausbildet, wobei die Mesa sich entlang einer Richtung in das Substrat zu einer Bodenfläche der Vertiefung erstreckt und ein Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, wobei das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, das zumindest lokal eine erste Dotiermittelkonzentration umfasst, sich nicht weiter als bis zur Bodenfläche in das Substrat erstreckt. Die Halbleitervorrichtung umfasst zudem eine zumindest teilweise entlang einer Seitenwand der Mesa angeordnete elektrisch leitende Struktur, wobei die elektrisch leitende Struktur mit dem Halbleitermaterial der Mesa einen elektrischen Schottky- oder Schottky-artigen Kontakt ausbildet, wobei das das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps umfassende Substrat zumindest lokal entlang einer Projektion der Mesa in das Substrat eine zweite Dotiermittelkonzentration, die sich von der ersten Dotiermittelkonzentration unterscheidet, umfasst.

    LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG MIT TRENCHGATESTRUKTUREN MIT ZU EINER HAUPTKRISTALLRICHTUNG GENEIGTEN LÄNGSACHSEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    14.
    发明专利
    LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG MIT TRENCHGATESTRUKTUREN MIT ZU EINER HAUPTKRISTALLRICHTUNG GENEIGTEN LÄNGSACHSEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102015103070B4

    公开(公告)日：2021-09-23

    申请号：DE102015103070

    申请日：2015-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUPP ROLAND ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD

    IPC: H01L29/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Hauptkristallrichtung (401) parallel zu einer horizontalen Ebene,Trenchgatestrukturen (150) mit einer Längserstreckung größer als eine Breite in der horizontalen Ebene, wobei Längsachsen (159) der Trenchgatestrukturen (150), zu der ersten Hauptkristallrichtung (401) um einen Neigungswinkel (φ) von wenigstens 2 Grad und höchstens 30 Grad in der horizontalen Ebene geneigt sind, undMesateilen (170) zwischen benachbarten Trenchgatestrukturen (150), wobei erste Seitenwandabschnitte (104a) von ersten Mesaseitenwänden (104) Hauptkristallebenen parallel zu der ersten Hauptkristallrichtung (401) sind und zweite Seitenwandabschnitte (104b), die zu den ersten Seitenwandabschnitten (104a) geneigt sind, die ersten Seitenwandabschnitte (104a) verbinden.

    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GRABENSTRUKTUR EINSCHLIESSLICH EINER GATEELEKTRODE UND EINER KONTAKTSTRUKTUR FUR EIN DIODENGEBIET
    15.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GRABENSTRUKTUR EINSCHLIESSLICH EINER GATEELEKTRODE UND EINER KONTAKTSTRUKTUR FUR EIN DIODENGEBIET 未知

    公开(公告)号：DE102015103072B4

    公开(公告)日：2021-08-12

    申请号：DE102015103072

    申请日：2015-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/739

    Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:Grabenstrukturen (350), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) erstrecken, und jeweils eine Gatestruktur (150) und eine sich durch die Gatestruktur (150) erstreckende Kontaktstruktur (315) aufweisen;Transistormesas (170) zwischen den Grabenstrukturen (350), wobei jede Transistormesa (170) eine Bodyzone (115) aufweist, die einen ersten pn-Übergang (pn1) mit einer Driftstruktur (120) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit einer Sourcezone (110) ausbildet;Diodengebiete (116), die jeweils direkt an eine der Kontaktstrukturen (315) angrenzen wobeidie Driftstruktur (120) eine Driftzone (121) und Stromspreizzonen (122) aufweist, wobei die Stromspreizzonen (122) die ersten pn-Übergänge (pn1) bilden und eine mittlere Dotierstoffkonzentration in den Stromspreizzonen (122) wenigstens doppelt so groß ist wie eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121), und wobeidie Driftstruktur (120) eine Driftzone (121) und eine Avalanche-Steuerungszone (123) aufweist, eines der Diodengebiete (116) und die Avalanche-Steuerungszone (123) einen dritten pn-Übergang (pn3) bilden und eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Avalanche-Steuerungszone (123) wenigstens doppelt so hoch ist wie eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121).

    SiC-Halbleitervorrichtung mit einem Versatz in einem Grabenboden
    17.
    发明专利
    SiC-Halbleitervorrichtung mit einem Versatz in einem Grabenboden 未知

    公开(公告)号：DE102017108738A1

    公开(公告)日：2018-10-25

    申请号：DE102017108738

    申请日：2017-04-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  ESTEVE ROMAIN ,  KUECK DANIEL

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Graben, der sich von einer ersten Oberfläche in einen SiC-Halbleiterkörper erstreckt. Der Graben weist eine erste Seitenwand, eine der ersten Seitenwand gegenüberliegende zweite Seitenwand und einen Grabenboden auf. Eine Elektrode ist im Graben angeordnet und durch ein Grabendielektrikum von dem SiC-Halbleiterkörper elektrisch isoliert. Ein Bodygebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps grenzt an die erste Seitenwand. Eine Abschirmstruktur des ersten Leitfähigkeitstyps grenzt zumindest an einen Bereich der zweiten Seitenwand und des Grabenbodens. Ein erster Abschnitt des Grabenbodens und ein zweiter Abschnitt des Grabenbodens sind um einen vertikalen Versatz entlang einer vertikalen Richtung, die sich von der ersten Oberfläche zu einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des SiC-Halbleiterkörpers erstreckt, zueinander versetzt.

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