-
公开(公告)号：DE102013018789B4
公开(公告)日：2025-03-06
申请号：DE102013018789
申请日：2013-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , FEICK HENNING , KAUTZSCH THORALF , MEINHOLD DIRK , MELZNER HANNO , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO , UHLIG INES
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung (400), welches folgende Schritte aufweist:Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils in einem Halbleitersubstrat (102), so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets (112) des Halbleitersubstrats (102) erzeugt wird, undErzeugen (606) einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden (106, 106b, 106c) oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist, wobei die Steuerelektrodenstruktur zwischen zwei Diodenstrukturen (114) zum Akkumulieren der lichterzeugten Ladungsträger angeordnet ist,wobei das Bereitstellen des ungleichmäßigen Dotierungsprofils aufweist:Bereitstellen (602) einer dotierten Schicht (202) in dem Lichtwandlungsgebiet (112), wobei die dotierte Schicht (202) Dotierungsatome aufweist, wobei das Bereitstellen der dotierten Schicht ein Erzeugen der dotierten Schicht (202), so dass die dotierte Schicht (202) eine laterale Variation einer Nettodotierungskonzentration aufweist, umfasst, wobei die laterale Variation der Nettodotierungskonzentration in Bezug auf ein Zentrum der Steuerelektrodenstruktur symmetrisch ist,Durchführen (604) eines Migrationsschritts zur Migration zumindest eines Teils der Dotierungsatome der dotierten Schicht (202) zu einem Gebiet oberhalb der dotierten Schicht (202),wobei das ungleichmäßige Dotierungsprofil in vertikaler Richtung ein lokales Maximum der Nettodotierungskonzentration in der dotierten Schicht (202) aufweist,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) hin zu der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass lichterzeugte Ladungsträger, die innerhalb eines ersten Tiefenbereichs erzeugt werden, zu der Steuerelektrodenstruktur gelenkt werden,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) fort von der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass die lichterzeugten Ladungsträger, die innerhalb eines zweiten Tiefenbereichs erzeugt werden, von der Steuerelektrodenstruktur fort gelenkt werden,wobei die dotierte Schicht (202) eine vergrabene Schicht ist,wobei ferner mindestens eine weitere dotierte Schicht (204) in einer Tiefe, die von der Tiefe der dotierten Schicht (202) verschieden ist, bereitgestellt wird,wobei die weitere dotierte Schicht (204) durch das Halbleitersubstrat räumlich von der dotierten Schicht (202) getrennt ist,wobei die weitere dotierte Schicht (204) eine Abschirmungswirkung für die Diodenstrukturen (114) bereitstellt, so dass sich die lichterzeugten Ladungsträger nicht direkt von innerhalb des Lichtwandlungsgebiets (112) zu den Diodenstrukturen (114), sondern nur unter dem Einfluss von durch die Steuerelektroden (106, 106b, 106c) erzeugten elektrischen Feldern bewegen dürfen, undwobei sich die weitere dotierte Schicht (204) in lateraler Richtung zumindest bis über ein definiertes Gebiet hinaus erstreckt, zu dem die lichterzeugten Ladungsträger gelenkt werden.
-
12.发明专利
公开(公告)号：DE102016208343B4
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：DE102016208343
申请日：2016-05-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FEICK HENNING
IPC: H01L27/146
Abstract: Optische Sensoreinrichtung (2), die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (14), das ein Umwandlungsgebiet (12) zum Umwandeln eines elektromagnetischen Signals (13) in photogenerierte Ladungsträger (16) umfasst;einen Ausleseknoten (6, 6a, 6b), der konfiguriert ist zum Auslesen der photogenerierten Ladungsträger (16);eine Steuerelektrode (8, 8a, 8b), die durch ein Isoliermaterial (20) von dem Halbleitersubstrat (14) getrennt ist;ein Dotierungsgebiet (10, 10a, 10b) in dem Halbleitersubstrat (14) zwischen der Steuerelektrode (8, 8a, 8b) und dem Umwandlungsgebiet (12), wobei das Dotierungsgebiet (10, 10a, 10b) im Vergleich zu einer kleinsten Dotierungskonzentration des Umwandlungsgebiets (12) eine höhere Dotierungskonzentration umfasst, wobei die Dotierungskonzentration mindestens 1000 Mal höher ist als die kleinste Dotierungskonzentration des Umwandlungsgebiets (12), wobei sich das Dotierungsgebiet (10) in das Halbleitersubstrat (14) erstreckt;wobei ein Vorsprung der Steuerelektrode (8) zu dem Umwandlungsgebiet (12) das Dotierungsgebiet (10) überlappt oder sich im Dotierungsgebiet befindet; undwobei die optische Sensoreinrichtung (2) ein Laufzeitsensor ist.
-
公开(公告)号：DE102017205448A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102017205448
申请日：2017-03-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： TADDIKEN HANS , STELTENPOHL ANTON , CATTANEO ANDREA , KUEHN CHRISTIAN , FEICK HENNING , BARTELS MARTIN
Abstract: Ein Hochfrequenz-Widerstandselement weist eine widerstandsbehaftete Polysiliziumbahn, eine Isolationskomponente und ein Halbleitersubstrat auf. Die widerstandsbehaftete Polysiliziumbahn befindet sich über der Isolationskomponente. Die Isolationskomponente ist seitlich zumindest teilweise von einer modifizierten Halbleiterregion umgeben, die sich über dem Halbleitersubstrat befindet und eine höhere Ladungsträger-Rekombinationsrate aufweist als das Halbleitersubstrat.
-
公开(公告)号：DE102017102545A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：DE102017102545
申请日：2017-02-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HAUBOLD MARCO , FEICK HENNING , KÄMMER KERSTIN
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst zumindest einen Aufhängungsbereich (111) einer Membranstruktur (110). Der Aufhängungsbereich (111) liegt lateral in einem ersten Bereich einer Oberfläche (121) eines Halbleitersubstrats (120). Zudem umfasst die Halbleitervorrichtung (100) einen Membranbereich (112) der Membranstruktur (110). Ein Hohlraum (130) ist vertikal zwischen dem Membranbereich (112) und zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats (120) angeordnet. Zudem wird der erste Bereich der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) durch eine Oberfläche eines Abschirmdotierungsgebiets (122) des Halbleitersubstrats (120) gebildet. Ferner grenzt das Abschirmdotierungsgebiet (122) des Halbleitersubstrats (120) an ein benachbartes Dotierungsgebiet (123) an. Des Weiteren bildet das benachbarte Dotierungsgebiet (123) zumindest einen Teil der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) im Bereich des Hohlraums (130). Zudem weist das benachbarte Dotierungsgebiet (123) einen ersten Leitfähigkeitstyp auf und weist das Abschirmdotierungsgebiet (122) einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf.
-
15.发明专利
公开(公告)号：DE102017202754A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：DE102017202754
申请日：2017-02-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , PMDTECHNOLOGIES AG
Inventor： FEICK HENNING , FRANKE MATTHIAS , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO , PRIMA JENS , RÖSSLER ROBERT
IPC: H01L27/146 , G01S17/36 , G01S17/89 , H01L31/0232
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102015107977A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：DE102015107977
申请日：2015-05-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BARTELS MARTIN , FEICK HENNING , KUEHN CHRISTIAN , OFFENBERG DIRK , STELTENPOHL ANTON , TADDIKEN HANS , UHLIG INES
IPC: H01L21/423 , H01L21/3215 , H01L21/322 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes beinhalten: Herstellen einer Öffnung in einem ersten Bereich eines Halbleitersubstrats, wobei die Öffnung mindestens eine Seitenwand und einen Boden hat, Implantieren von Dotierstoff-Atomen in die mindestens eine Seitenwand und den Boden der Öffnung; Konfigurieren mindestens eines Teils von einem zweiten Bereich des Halbleitersubstrats, seitlich angrenzend an den ersten Bereich, als mindestens einen aus einem amorphen oder polykristallinen Bereich; und Herstellen einer Verbindungsstruktur über mindestens einem aus dem ersten und dem zweiten Bereich des Halbleitersubstrats.
-
公开(公告)号：DE102013018789A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：DE102013018789
申请日：2013-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , FEICK HENNING , KAUTZSCH THORALF , MEINHOLD DIRK , MELZNER HANNO , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO , UHLIG INES
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung umfasst die folgende Schritte auf: Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils, so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets erzeugt wird, und Erzeugen einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist.
-
公开(公告)号：DE102005028919A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：DE102005028919
申请日：2005-06-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RIESS PHILIPP , WENDEL MARTIN , FEICK HENNING
Abstract: An electronic component comprises: a doped substrate; at least one connection region formed in the doped substrate; at least one additional doped region formed in the doped substrate at least below the at least one connection region, where the at least one doped region is formed as an electrostatic discharges (ESD) region for protection against electrostatically generated discharges; at least one well region formed in the doped substrate, where the well region is formed in such a way that the well region doping is blocked at least below the at least one doped region. An independent claim is included for producing the electronic component involving: doping the substrate with doping atoms to form forming at least one connection region of the electronic component in the substrate; doping the substrate with doping atoms to form at least one doped region in the substrate located at least below the at least one connection region; and doping the substrate with doping atoms to form at least one well region in the substrate, where the well region doping is blocked at least below the at least one doped region in such a way that the doping intensity in each region blocked from the well region doping corresponds to the doping intensity of the substrate or remains unchanged until the end of the production of the electronic component.
-
公开(公告)号：DE102011122988B3
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：DE102011122988
申请日：2011-12-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LANDGRAF ERHARD , FEICK HENNING , BERTRAMS THOMAS , PRIBIL ANDREAS , DAHL CLAUS
IPC: H01L29/78 , H01L21/266 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110);ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120);eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist;eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist und gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist, und wobei die Dielektrikumsschicht (30) einen Übergangsbereich (33) aufweist, in dem die Dicke von der ersten Dicke (d1) zu der zweiten Dicke (d2) zunimmt und in dem die Dielektrikumsschicht (30) wenigstens abschnittsweise unter einem Winkel kleiner als 90° gegenüber einer Seite (101) des Halbleiterkörper geneigt ist; undeinen Abschnitt der Driftzone (14), in dem eine effektive Dotierungskonzentration der Driftzone (14) in Richtung der Drainzone (12) kontinuierlich zunimmt oder abnimmt.
-
公开(公告)号：DE102013015403B4
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：DE102013015403
申请日：2013-09-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FEICK HENNING , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO
IPC: H01L27/146 , H01L31/101
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bildwandlergeräts, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Ausbilden einer ersten Steuerelektrode (106a), einer zweiten Steuerelektrode (106b) und einer dritten Steuerelektrode (106c) zur Bereitstellung einer Potentialverteilung zum Übertragen von photogenerierten Ladungsträgern während des Betriebs des Bildwandlergeräts, wobei die erste Steuerelektrode (106a), zweite Steuerelektrode (106b) und dritte Steuerelektrode (106c) lateral voneinander beabstandet sind,Ausbilden einer ersten elektrischen Verbindung mit der ersten Steuerelektrode (106a);Ausbilden einer zweiten elektrischen Verbindung mit der zweiten Steuerelektrode (106b);wobei die dritte Steuerelektrode (106c) eine kapazitive Kopplung mit der ersten Steuerelektrode (106a) und der zweiten Steuerelektrode (106b) aufweist; undAusbilden eines elektrischen Potentialanschlusses, der mit der dritten Steuerelektrode (106c) verbunden ist.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.025 seconds)
