公开(公告)号：DE102018130385A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018130385

申请日：2018-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC THOMAS RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  MODER IRIS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/49

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region und eine Source-Region einer Transistorzelle. Ferner umfasst das Siliziumcarbid-Bauelement eine Titancarbid-Gate-Elektrode der Transistorzelle.

公开(公告)号：DE102016112871A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016112871

申请日：2016-07-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLWEG GERALD ,  RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  ARNANTHIGO YONSUANG ,  BERGER JAN ,  STRANZL GUDRUN ,  OSTERMANN THOMAS ,  DA SILVA SYLVICLEY FIGUEIRA ,  DENIFL GÜNTER ,  MODER IRIS ,  OSWATITSCH ALEXANDER

IPC: B01D61/14 ,  B81B1/00 ,  G01N33/49

Abstract: Eine Mikrofiltrationsvorrichtung (100) umfasst ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche. Das Substrat umfasst einen Hohlraum (120) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche. Das Substrat umfasst ferner einen Mikrofilter (130), der einen Rahmenteil (140) in Kontakt mit dem Substrat und einen an den Hohlraum (120) angrenzenden Filterteil (150) umfasst. Der Mikrofilter (130) weist in sowohl dem Rahmenteil (140) als auch dem Filterteil (150) ein halbleitendes oder leitendes Material auf.

公开(公告)号：DE102018010396B3

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102018010396

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Verfahren, das aufweist:Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20);Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt; undDiffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) derart zu erzeugen, dass sich das dotierte Gebiet (40) in einer lateralen Richtung des Halbleiterwafers (10) über solche Abschnitte der Halbleiterschicht (30), die die Gräben (20) füllen, und über Mesagebiete (13), die in dem Halbleiterwafer (10) jeweils zwischen den Gräben (20) vorhanden sind, erstreckt.

公开(公告)号：DE102018129594A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE102018129594

申请日：2018-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  MURI INGO

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren wird beschrieben. Das Verfahren umfasst: in einem Halbleiterwafer, der eine erste Halbleiterschicht (10) und eine an die erste Halbleiterschicht (10) angrenzende Halbleiterschicht (20) aufweist, Herstellen eines porösen Gebiets (12), das sich von einer ersten Oberfläche (11) in die erste Halbleiterschicht (10) erstreckt; und Entfernen des porösen Gebiets (12) durch einen Ätzprozess, wobei bezüglich einer Dotierung der ersten Halbleiterschicht (10) und einer Dotierung der zweiten Halbleiterschicht (20) wenigstens eines der folgenden gilt: eine Dotierungskonzentration der zweiten Halbleiterschicht (20) ist geringer als das 10-fache einer Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterschicht (10); ein Dotierungstyp der zweiten Halbleiterschicht ist komplementär zu einem Dotierungstyp der ersten Halbleiterschicht (10).

公开(公告)号：DE102018127833A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：DE102018127833

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Es wird ein Verfahren offenbart. Das Verfahren beinhaltet das Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);das Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20); das Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt; und das Diffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) zumindest in dem Halbleiterwafer (10) zu erzeugen.

公开(公告)号：DE102018111213A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111213

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  HELLMUND OLIVER ,  NEIDHART THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT GERHARD ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleitersubstrats (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (104) und einer der ersten Hauptoberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (106), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff aufweist und ein kovalenter Atomradius eines Materials des Halbleitersubstrats (102) i) größer als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und kleiner als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes oder ii) kleiner als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und größer als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes ist. Eine vertikale Ausdehnung des ersten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat (102) von der ersten Hauptoberfläche (104) aus endet bei einem Boden (109) eines ersten Halbleitersubstratbereichs (108) in einer ersten vertikalen Distanz (t1) zur ersten Hauptoberfläche (104). Danach umfasst das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Halbleiterschicht (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104) und ein Ausbilden von Halbleitervorrichtungselementen (1121, 1122) in der Halbleiterschicht (110). Weiter umfasst das Verfahren ein Reduzieren einer Dicke (t) des Halbleitersubstrats (102) durch Entfernen eines Materials des Halbleitersubstrats (102) von der zweiten Hauptoberfläche (106) aus zumindest bis zum ersten Halbleitersubstratbereich (108).

公开(公告)号：DE102017120535A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102017120535

申请日：2017-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden einer Hilfsmaske, die eine Vielzahl von Maskenöffnungen enthält, auf einer Hauptoberfläche eines kristallinen Halbleitersubstrats. Eine poröse Struktur wird im Halbleitersubstrat gebildet. Die poröse Struktur umfasst eine poröse Schicht in einer Distanz zur Hauptoberfläche und poröse Säulen, die sich von der porösen Schicht in Richtung der Hauptoberfläche erstrecken und die durch einen nicht porösen Bereich lateral voneinander getrennt sind. Eine nicht poröse Vorrichtungsschicht wird auf dem nicht porösen Bereich und auf den porösen Säulen ausgebildet.

公开(公告)号：DE102016122217A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102016122217

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes enthalten: Bereitstellen eines Substrats, das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist; Ausbilden einer vergrabenen Schicht in und/oder über dem Substrat durch Verarbeiten der ersten Seite des Substrats; und Dünnen des Substrats von der zweiten Seite des Substrats her, wobei die vergrabene Schicht eine feste Verbindung enthält, die eine größere Beständigkeit gegen das Dünnen aufweist als das Substrat, und wobei das Dünnen an der vergrabenen Schicht stoppt.

公开(公告)号：DE102015122639A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE102015122639

申请日：2015-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MURI INGO ,  MODER IRIS

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76 ,  H01L21/84

Abstract: Gemäß einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung wird ein erster Trench (102) in einem Halbleiterkörper (104) von einer ersten Seite (106) gebildet. Eine anodische Oxidstruktur (108) ist an einer Bodenseite des ersten Trenches (102) durch Eintauchen des Halbleiterkörpers (104) in einen Elektrolyten und Anlegen einer anodisierenden Spannung zwischen dem Halbleiterkörper (104) und einer Elektrode in Kontakt mit dem Elektrolyten gebildet.

公开(公告)号：DE112023000944T5

公开(公告)日：2025-03-13

申请号：DE112023000944

申请日：2023-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  RENA TECH GMBH

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  FISCHER PETRA ERIKA ,  BAY NORBERT ,  GAY XAVIER

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/677

Abstract: Vorrichtung zur elektrochemischen Behandlung eines Halbleitersubstrats, umfassend mindestens einen ersten Tank, der mit einem Elektrolyt gefüllt ist und mindestens eine erste Elektrode umfasst, mindestens einen zweiten Tank, der mit einem Elektrolyt gefüllt ist und mindestens eine zweite Elektrode umfasst, und eine Trenneinheit, die den ersten und zweiten Tank einschließlich ihrer Elektrolyte elektrisch trennt, eine elektrische Stromversorgung, die mit der ersten und zweiten Elektrode verbunden ist, ein Transportmittel, das zum Transportieren des Substrats über den ersten und zweiten Tank konfiguriert ist, und eine Steuerung zum Steuern des Transportmittels auf eine spezifische Weise. Ferner wird ein Verfahren zur elektrochemischen Behandlung eines Halbleitersubstrats unter Verwendung der hierin beschriebenen Vorrichtung offenbart.