公开(公告)号：DE102012215092B4

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE102012215092

申请日：2012-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPECHT HOLGER ,  LINKOV ALEXANDER ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  KATZ SIMEON

IPC: G01J1/04 ,  G01M11/02 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren zum Messen einer von einer Mehrzahl von Leuchtdioden (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300), wobei die Lichtstrahlung (300) von den auf einem Träger (200) nebeneinander angeordneten Leuchtdioden (210) gruppenweise gemessen wird, wobei zu vermessende Gruppen (220) aus den Leuchtdioden (210) jeweils in einer vorgegebenen Messposition gemessen werden, und wobei bei jeder zu vermessenden Gruppe (220) die zugehörigen Leuchtdioden (210) nacheinander die Lichtstrahlung (300) abgeben, wobei ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) der zu vermessenden Gruppe (220) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt wird, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird, wobei die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form abgegeben wird, wobei die optische Einrichtung (140) eine Streuscheibe aufweist, wobei die Leuchtdioden (210) der einzelnen Gruppen (220) von einer zum Aktivieren der Leuchtdioden (210) verwendeten Aktivierungseinrichtung (110) kontaktiert werden, welche die Leuchtdioden (210) einer Gruppe (220) aufeinanderfolgend aktiviert, wobei die Aktivierungseinrichtung (110) eine an einer Halterung befestigte Anordnung aus Messnadeln (111) umfasst, über die die Leuchtdioden (210) an einer Vorderseite kontaktiert werden, wobei sich die Messnadeln (111) von der Seite her zu den betreffenden Leuchtdioden (210) erstrecken.

公开(公告)号：DE102017129623A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：DE102017129623

申请日：2017-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben, das einen Licht emittierende Halbleiterchip (1) mit einer Hauptoberfläche (10), die Strahlungsauskoppelfläche aufweist, über die im Betrieb ein erstes Licht (91) in einem ersten Wellenlängenbereich abgestrahlt wird, aufweist. Auf einem ersten Teilbereich (11) der Hauptoberfläche ist eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) zur Konversion zumindest eines Teils des ersten Lichts in zweites Licht (92) in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich aufgebracht. Ein optisches Rückkoppelelement (3) ist unmittelbar auf einem zum ersten Teilbereich benachbarten zweiten Teilbereich (12) der Hauptoberfläche aufgebracht, wobei das optische Rückkoppelement erstes Licht, das vom zweiten Teilbereich abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche und/oder in Richtung der Wellenlängenkonversionsschicht umlenkt.

公开(公告)号：DE112015000535A5

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE112015000535

申请日：2015-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  DIRSCHERL GEORG ,  GÖÖTZ BRITTA

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01S5/02

公开(公告)号：DE102013104840A8

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013104840

申请日：2013-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  MÖNCH WOLFGANG

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

公开(公告)号：DE102013104840A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102013104840

申请日：2013-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MÖNCH WOLFGANG ,  ILLEK STEFAN ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

Abstract: Angegeben wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit – zumindest einem Halbleiterchip (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge (200), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; – einer Montagefläche (11), an der zumindest ein elektrischer Kontakt (51, 52) für die externe Kontaktierung des Halbleiterchips ausgebildet ist, wobei die Montagefläche parallel zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verläuft; – einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die schräg oder senkrecht zur Montagefläche verläuft; – einer Strahlungsführungsschicht (3), die im Strahlengang zwischen dem Halbleiterchip und der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist; und – einem Reflektorkörper (4), der bereichsweise an die Strahlungsführungsschicht angrenzt und den Halbleiterchip in Aufsicht auf das Halbleiterbauelement überdeckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.

公开(公告)号：DE102013101530A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102013101530

申请日：2013-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG ,  MÖNCH WOLFGANG ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: F21V11/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20). Relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) unbeweglich ist der Strahlungshauptseite (20) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) eine Blende (3) ständig nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Die Strahlungshauptseite (20) weist eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Es ist die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schaltbar und umgekehrt. Die Blende (3) weist genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission auf. Es erstreckt sich die Blende (3) durchgehend und zusammenhängend über die Strahlungshauptseite (20).

公开(公告)号：DE102012104111A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102012104111

申请日：2012-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  KRUPPA MICHAEL ,  BAUMGARTNER ALEXANDER ,  BAUR JOHANNES ,  BERBEN DIRK

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ferner mindestens einen Träger (3) mit einer Stirnseite (30) sowie mindestens eine Chipumhüllung (4). Der Halbleiterchip (2) ist an der Stirnseite (30) angebracht. Eine Oberfläche (40) der Chipumhüllung (4) ist mindestens stellenweise sphärisch geformt. Es weist die Chipumhüllung (4) einen geometrischen Mittelpunkt (42) auf und der Halbleiterchip (2) befindet sich in oder an dem Mittelpunkt (42).

公开(公告)号：DE102012101102A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE102012101102

申请日：2012-02-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH THOMAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  KAISER STEPHAN

IPC: H01L33/46 ,  H01L25/075 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen Halbleiterchip (1) aufweist, der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (10) und eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (10) gegenüberliegende Montagefläche (11) aufweist. Die Montagefläche (11) weist eine erste elektrische Kontaktstruktur (2a) und eine von der ersten elektrischen Kontaktstruktur elektrisch isolierte zweite elektrische Kontaktstruktur (2b) auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche (10) ist frei von Kontaktstrukturen. Eine reflektierende Umhüllung, die den Halbleiterchip (1) bereichsweise umhüllt, und eine Schutzumhüllung (8), die den Halbleiterchip (1) und/oder die reflektierende Umhüllung (5) zumindest bereichsweise umhüllt, sind vorgesehen. Zudem ist eine Anordnung mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente (100) angegeben.

公开(公告)号：DE112017000965A5

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE112017000965

申请日：2017-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MATHY DAVID ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H05B44/00

公开(公告)号：DE102016122810A1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102016122810

申请日：2016-11-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  SINGER FRANK ,  BRUCKSCHLÖGL MATTHIAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  SCHWARZ THOMAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauteil (1) mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip (3), wobei der Halbleiterchip (3) eine Schichtanordnung (11) mit mehreren Schichten mit wenigstens einer p-leitenden Schicht (8) und einer n-leitenden Schicht (9) aufweist, wobei die p-leitende Schicht (8) und die n-leitende Schicht (9) in einer aktiven Zone (10) aneinander angrenzen, wobei auf der p-leitenden Seite der Schichtanordnung (11) an einer ersten Seite (13) des Halbleiterchips (3) ein erster elektrischer Kontakt (15) ausgebildet ist, wobei auf der n-leitenden Seite der Schichtanordnung (11) an einer der ersten Seite (13) des Halbleiterchips (3) gegenüberliegenden zweiten Seiten (14) des Halbleiterchips (3) ein zweiter elektrischer Kontakt (16) ausgebildet ist, wobei die erste Seite (13) des Halbleiterchips (3) über eine Stirnseite (4) in die zweite Seite (14) übergeht, wobei der Halbleiterchip (3) mit der Stirnseite (4) auf einem Substrat (2) befestigt ist, wobei das Substrat (2) einen ersten und zweiten weiteren elektrischen Kontakt (6, 7) aufweist, wobei die weiteren elektrischen Kontakte (6, 7) mit den elektrischen Kontakten (15, 16) des Halbleiterchips (3) elektrisch leitend verbunden sind.