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公开(公告)号:DE102013104046A1
公开(公告)日:2014-10-23
申请号:DE102013104046
申请日:2013-04-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MÖNCH WOLFGANG , ILLEK STEFAN , LINKOV ALEXANDER
Abstract: Eine optische Anordnung umfasst eine Vielzahl von lichtemittierenden Chips auf einem Träger. Dabei umfassen erste lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer ersten Gruppe umfassen und zweite lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer zweiten Gruppe. Jeweils einer der ersten und einer der zweiten lichtemittierenden Chips sind in ersten Einheitszellen flächig auf dem Träger angeordnet. Ferner ist ein optisches Element vorgesehen, welches in Abstrahlrichtung den lichtemittierenden Chips nachgeordnet ist. Es ist dazu eingerichtet, von den Pixeln der ersten und zweiten Gruppe emittiertes Licht derart zu führen, dass Licht der Pixel der ersten Gruppe und Licht der Pixel der zweiten Gruppe in zweite Einheitszellen in einer Auskoppelebene zusammengeführt wird, wobei die zweiten Einheitszellen jeweils eine Fläche aufweisen, die geringer ist, als die Fläche je einer der ersten Einheitszellen.
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12.
公开(公告)号:DE102013102967A1
公开(公告)日:2014-09-25
申请号:DE102013102967
申请日:2013-03-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WILM ALEXANDER , SCHLERETH THOMAS , ALBRECHT TONY , MÖNCH WOLFGANG
Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Lichtleitkörper (3), der sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer Vorderseite (301) und einer Rückseite (302) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen optoelektronischen Bauelementen (2) angegeben, wobei der Lichtleitkörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) aufweist, in denen jeweils zumindest eines der optoelektronischen Bauelemente befestigt ist, und wobei die optoelektronischen Bauelemente mittels einer elektrisch leitfähigen Verbindungsschicht (4) elektrisch kontaktiert sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Beleuchtungsmoduls angegeben.
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公开(公告)号:DE102015101216A1
公开(公告)日:2016-07-28
申请号:DE102015101216
申请日:2015-01-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MÖNCH WOLFGANG , GÖÖTZ BRITTA , SINGER FRANK , STRASSBURG MARTIN , SCHIMPKE TILMAN
Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung (1) mit einem Halbleiterchip (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich aufweist, angegeben, wobei – dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist; – das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Konversionskörpern (4) mit jeweils einer Symmetrieachse (40) aufweist; – eine räumliche Ausrichtung der Symmetrieachsen eine Vorzugsrichtung (45) aufweist; – eine von dem Strahlungskonversionselement (3) abgestrahlte Strahlung eine Vorzugspolarisation (48) aufweist; und – die optoelektronische Anordnung ein reflektierendes Polarisationselement (5) aufweist, das dem Strahlungskonversionselement in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet ist, wobei das reflektierende Polarisationselement Strahlung mit der Vorzugspolarisation überwiegend durchlässt, und eine senkrecht zur Vorzugspolarisation polarisierte Strahlung überwiegend reflektiert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements (3) angegeben.
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14.
公开(公告)号:DE102014100582A1
公开(公告)日:2015-07-23
申请号:DE102014100582
申请日:2014-01-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SOBCZYK SANDRA , SINGER FRANK , MÖNCH WOLFGANG , SABATHIL MATTHIAS
IPC: F21V5/00
Abstract: Es wird ein Leuchtmittel (1) angegeben, umfassend – einen Optikkörper (3), aufweisend – eine Haupterstreckungsrichtung (Z), – eine Strahlungseintrittsfläche (3a) und – eine Strahlungsaustrittsfläche (3b), und – zumindest zwei Leuchtdioden (2), jeweils umfassend – zumindest einen Leuchtdiodenchip (21) und – eine Strahlungsdurchtrittsfläche (2a), die sich entlang einer Haupterstreckungsebene (XZ) erstreckt, wobei – die zumindest zwei Leuchtdioden (2) entlang der Haupterstreckungsrichtung (Z) des Optikkörpers (3) angeordnet sind, – die Strahlungseintrittsfläche (3a) des Optikkörpers (3) den Strahlungsdurchtrittsflächen (2a) der zumindest zwei Leuchtdioden (2) zugewandt ist, – der Optikkörper (3) als Vollkörper ausgebildet ist, – die Strahlungseintrittsfläche (3a) des Optikkörpers (3) flach verläuft oder konvex gekrümmt ist, und – die Strahlungsaustrittsfläche (3b) des Optikkörpers (3) zumindest eine Vertiefung (4) im Optikkörper (3) umfasst.
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公开(公告)号:DE102013104840A8
公开(公告)日:2015-04-30
申请号:DE102013104840
申请日:2013-05-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , LINKOV ALEXANDER , ILLEK STEFAN , MÖNCH WOLFGANG
IPC: H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/54
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公开(公告)号:DE102013104840A1
公开(公告)日:2014-11-13
申请号:DE102013104840
申请日:2013-05-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , MÖNCH WOLFGANG , ILLEK STEFAN , LINKOV ALEXANDER
IPC: H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/54
Abstract: Angegeben wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit – zumindest einem Halbleiterchip (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge (200), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; – einer Montagefläche (11), an der zumindest ein elektrischer Kontakt (51, 52) für die externe Kontaktierung des Halbleiterchips ausgebildet ist, wobei die Montagefläche parallel zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verläuft; – einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die schräg oder senkrecht zur Montagefläche verläuft; – einer Strahlungsführungsschicht (3), die im Strahlengang zwischen dem Halbleiterchip und der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist; und – einem Reflektorkörper (4), der bereichsweise an die Strahlungsführungsschicht angrenzt und den Halbleiterchip in Aufsicht auf das Halbleiterbauelement überdeckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.
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公开(公告)号:DE102013101530A1
公开(公告)日:2014-08-21
申请号:DE102013101530
申请日:2013-02-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MOOSBURGER JÜRGEN , GÖÖTZ BRITTA , DIRSCHERL GEORG , MÖNCH WOLFGANG , LINKOV ALEXANDER
IPC: F21V11/00 , H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) mit einer Strahlungshauptseite (20). Relativ zu dem Leuchtdiodenchip (2) unbeweglich ist der Strahlungshauptseite (20) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) des Leuchtdiodenchips (2) eine Blende (3) ständig nachgeordnet. Die Blende (3) ist an oder in einem Bauteilgehäuse (4) angebracht. Die Strahlungshauptseite (20) weist eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 μm auf. Es ist die Blende (3) von lichtundurchlässig auf lichtdurchlässig schaltbar und umgekehrt. Die Blende (3) weist genau einen Öffnungsbereich (30) zur Strahlungstransmission auf. Es erstreckt sich die Blende (3) durchgehend und zusammenhängend über die Strahlungshauptseite (20).
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公开(公告)号:DE112015002479A5
公开(公告)日:2017-02-16
申请号:DE112015002479
申请日:2015-05-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BAUER ADAM , MÖNCH WOLFGANG , RACZ DAVID , WITTMANN MICHAEL , SCHULTEN DOMINIK , LÖFFLER ANDREAS
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19.
公开(公告)号:DE102014116134A1
公开(公告)日:2016-05-12
申请号:DE102014116134
申请日:2014-11-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MÖNCH WOLFGANG , SINGER FRANK , SCHWARZ THOMAS , MOOSBURGER JÜRGEN , ILLEK STEFAN
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Einbetten eines optoelektronischen Bauteils in einen Formkörper derart, dass eine Oberseite des optoelektronischen Bauteils an einer Oberseite des Formkörpers zumindest teilweise freiliegt, zum Anordnen und Strukturieren einer Opferschicht über der Oberseite des optoelektronischen Bauteils und der Oberseite des Formkörpers, zum Anordnen und Strukturieren einer Schicht eines optischen Materials über der Opferschicht, und zum Entfernen der Opferschicht.
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公开(公告)号:DE112013005934A5
公开(公告)日:2015-09-10
申请号:DE112013005934
申请日:2013-12-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: VON MALM NORWIN , GÖÖTZ BRITTA , MÖNCH WOLFGANG
IPC: H01L33/50
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