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    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips
    14.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102015116495B4

    公开(公告)日：2025-04-30

    申请号：DE102015116495

    申请日：2015-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

    IPC: H10H20/00 ,  H10H20/824 ,  H10H20/83 ,  H10H20/84

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1), der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, sowie eine Chipvorderseite und eine Chiprückseite aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich (20) umfasst, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist,- die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden ist,- der erste Kontakt (41) auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist,- die zweite Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden ist,- der zweite Kontakt (42) ebenfalls auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist und- der optoelektronische Halbleiterchip eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) umfasst, die die Chiprückseite von dem aktiven Bereich (2) des Halbleiterchips elektrisch isoliert, wobei die elektrisch isolierende Trennschicht (6) zumindest eine erste Trennschicht (61) umfasst, die wenigstens eine Atomlagenschicht oder zumindest eine Moleküllagenschicht aufweist, und- die elektrisch isolierende Trennschicht (6) eine zweite Trennschicht (62) und eine dritte Trennschicht (63) aufweist, und- die erste Trennschicht (61) Pinholes und Risse in der zweiten Trennschicht (62) verschließt oder füllt.

    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
    15.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102014116205B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE102014116205

    申请日：2014-11-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (10) mit den Schritten- Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer darauf angeordneten lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2),- Aufbringen einer Mehrzahl von dreidimensionalen Strukturelementen (3) auf eine Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberfläche (2a) als eine Abstrahlfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, wobei für das Aufbringen der Strukturelemente (3) die folgende Methode verwendet wird:- Bereitstellen eines weiteren Substrats (1a), wobei auf dem weiteren Substrat (1a) eine Maske (4) angeordnet wird, wobei die Maske (4) strukturiert wird, so dass die Maske (4) nach der Strukturierung Öffnungen (4a) aufweist, wobei die dreidimensionalen Strukturelemente (3) in den Öffnungen (4a) dreidimensional gewachsen werden, wobei die dreidimensional gewachsenen Strukturelemente (3) vom weiteren Substrat (1a) abgelöst werden, wobei die vom weiteren Substrat (1a) abgelösten Strukturelemente (3) zur Bildung einer Suspension in eine Flüssigkeit (5) eingebracht werden und mit der Flüssigkeit (5) auf die Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) und/oder der Leuchtdiode (10) aufgebracht werden,- Einbringen eines Konvertermaterials (6) in die dreidimensionalen Strukturelemente (3), wobei- die Strukturelemente (3) mittels Sedimentation und/oder elektrophoretischer Deposition auf der abstrahlenden Oberfläche der Leuchtdiode (10) und/oder auf der Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet werden,- die Flüssigkeit (5) ein Lösemittel oder Wasser ist, und- das Konvertermaterial (6) nach dem Aufbringen der Strukturelemente (3) in die Strukturelemente (3) eingebracht wird.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
    16.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102017123154A1

    公开(公告)日：2019-04-11

    申请号：DE102017123154

    申请日：2017-10-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZMAIER CHRISTOPH ,  MANDL MARTIN ,  WALTER ROBERT ,  STIEGLMEIER ROLAND ,  SCHMAL MICHAEL

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/40

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Strahlungsemission eingerichtet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den n- und p-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist,B) Aufbringen einer Kontaktschicht (3) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die die Diffusion des Materials einer Spiegelschicht (4) verhindert oder vermindert, wobei die Kontaktschicht (3) eine Schichtdicke von maximal 10 nm aufweist,C) Aufbringen der Spiegelschicht (4) direkt auf die Kontaktschicht (3) undD) Aufbringen einer Barriereschicht (5) direkt auf die Spiegelschicht (4).

    Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
    17.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays 未知

    公开(公告)号：DE102012106859B4

    公开(公告)日：2019-01-03

    申请号：DE102012106859

    申请日：2012-07-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F ,  MANDL MARTIN

    IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L21/66 ,  H01L33/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays (10), aufweisend eine LED-Leuchteinheit (4) mit einer mit Vielzahl von Pixeln (5), wobei- die Pixel (5) erste Subpixel (B) zur Emission einer ersten Farbe, zweite Subpixel (G) zur Emission einer zweiten Farbe und dritte Subpixel (R) zur Emission einer dritten Farbe aufweisen,- die Subpixel (R, G, B) jeweils einen LED-Chip (3) enthalten, der zur Emission von Strahlung der ersten Farbe geeignet ist,- zumindest über den zweiten Subpixeln (G) eine erste Konversionsschicht (1) angeordnet wird, die dazu geeignet ist, die Strahlung der ersten Farbe in Strahlung der zweiten Farbe umzuwandeln,- über den dritten Subpixeln (R) eine zweite Konversionsschicht (2) angeordnet wird, die dazu geeignet ist, die Strahlung der ersten Farbe und/oder die Strahlung (6) der zweiten Farbe in Strahlung der dritten Farbe umzuwandeln,- zum Anordnen der ersten Konversionsschicht (1) über den zweiten Subpixeln (G) und zum Anordnen der zweiten Konversionsschicht (2) über den dritten Subpixeln (R) jeweils mindestens ein Prozessschritt durchgeführt wird, bei dem die erste Konversionsschicht (1) oder die zweite Konversionsschicht (2) in mindestens einem definierten Bereich über den Pixeln (5) aufgebracht oder entfernt wird,- ein Teil der LED-Chips (3) bei dem Prozessschritt elektrisch betrieben wird,- der mindestens eine Bereich durch die von dem Teil der LED-Chips (3) erzeugte elektromagnetische Strahlung (6), eine erzeugte Wärme oder ein erzeugtes elektrisches Feld definiert wird,- die erste Konversionsschicht (1) über der LED-Leuchteinheit (4) angeordnet wird,- die zweite Konversionsschicht (2) über der ersten Konversionsschicht (1) angeordnet wird,- die zweite Konversionsschicht (2) von den ersten Subpixeln (B) und den zweiten Subpixeln (G) entfernt wird,- die erste Konversionsschicht (1) von den ersten Subpixeln (B) entfernt wird, und- das Entfernen der ersten Konversionsschicht (1) und/oder der zweiten Konversionsschicht (2) mittels eines Verfahrens zur lokalen Schichtabtragung erfolgt, das mittels einer spektral empfindlichen optischen Erkennung der von dem Teil der LED-Chips (3) emittierten elektromagnetischen Strahlung (6) gesteuert wird.

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