公开(公告)号：WO2014048991A3

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/EP2013069973

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: An optoelectronic component (10) comprises a layer structure (100) having a first gallium nitride layer (140) and an aluminum-containing nitride intermediate layer (150). In this case, the aluminum-containing nitride intermediate layer (150) adjoins the first gallium nitride layer (140). Moreover, the layer structure (100) has an undoped second gallium nitride layer (160), which adjoins the aluminum-containing nitride intermediate layer (150).

Abstract translation: 光电子器件（10）包括包含第一氮化镓层（140）和含有铝的氮化物中间层（150）的层结构（100）。 含铝的氮化物中间层（150）相邻的第一氮化镓层（140）。 另外，到含有铝的氮化物中间层（150）的层结构（100），未掺杂的第二氮化镓层（160）相邻。

公开(公告)号：DE102016123262A1

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：DE102016123262

申请日：2016-12-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TONKIKH ALEXANDER ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine n-leitende Halbleiterschicht (21) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei der aktive Bereich zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht und der p-leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist und die p-leitende Halbleiterschicht einen ersten Dotierbereich (221) mit einem ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierbereich (222) mit einem vom ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten Dotierstoff aufweist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge angegeben.

公开(公告)号：DE102015104150A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102015104150

申请日：2015-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER TOBIAS ,  LEHNHARDT THOMAS ,  PETER MATTHIAS ,  HIRAI ASAKO ,  OFF JÜRGEN ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01S5/343

Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnete aktive Zone (3) aufweist, wobei die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die von der p-leitenden Halbleiterschicht zur n-leitenden Halbleiterschicht hin eine Mehrzahl von p-seitigen Barriereschichten (32p) mit dazwischenliegenden Quantentopfschichten (31) und eine Mehrzahl von n-seitigen Barriereschichten (32n) mit dazwischenliegenden Quantenschichten (31) aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge seitens der p-leitenden Halbleiterschicht sind Vertiefungen (4) gebildet, die Flanken aufweisen, wobei die Quantentopfschichten und/oder die n-sowie p-seitigen Barriereschichten zumindest bereichsweise konform zu den Flanken der Vertiefungen verlaufen. Die n-seitigen Barriereschichten weisen eine größere mittlere Schichtdicke auf als die p-seitigen Barriereschichten.

公开(公告)号：DE102014105303A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102014105303

申请日：2014-04-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRECHSEL PHILIPP ,  BERGBAUER WERNER ,  OFF JÜRGEN ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur (10) als Pufferschicht eines Halbleiterbauelements angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Silizium-Oberfläche (1a) aufweist, b) Abscheiden einer ersten Schichtenfolge (2), die eine Ankeimschicht (21), die Aluminium und Stickstoff enthält, umfasst, auf der Silizium-Oberfläche (1a) des Trägers (1) entlang einer Stapelrichtung (H), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verläuft, c) dreidimensionales Wachstum einer 3D-GaN-Schicht (3), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf eine der Silizium-Oberfläche (1a) abgewandte Deckfläche (2a) der ersten Schichtenfolge (2), d) zweidimensionales Wachstum einer 2D-GaN-Schicht (4), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf den der Silizium-Oberfläche (1a) abgewandten Außenflächen (3a) der 3D-GaN-Schicht (3).

公开(公告)号：DE10306311B4

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：DE10306311

申请日：2003-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDER NORBERT ,  STREUBEL KLAUS ,  STAUSS PETER ,  HAMPEL MARK

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/30

公开(公告)号：DE112014002779B8

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE112014002779

申请日：2014-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/20

公开(公告)号：DE112016001422A5

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE112016001422

申请日：2016-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

IPC: H01L33/06

公开(公告)号：DE102016110041A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102016110041

申请日：2016-05-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TOLLABI MAZRAEHNO MOHAMMAD ,  STAUSS PETER ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf AlmGa1-n-mInnN mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m

公开(公告)号：DE102012217631A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217631

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILLIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L29/205

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur, die eine erste Galliumnitridschicht und eine aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht aufweist. Dabei grenzt die aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht an die erste Galliumnitridschicht an. Außerdem weist die Schichtstruktur eine undotiert zweite Galliumnitridschicht auf, die an die aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht auf, die an die aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht angrenzt.

公开(公告)号：DE102004026125A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：DE102004026125

申请日：2004-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUSS PETER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/46

Abstract: Opto-electronic component contains layer stack (20), containing at least two active zones (4,8) and has support (1) on layer stack, between which and support is preferably interposed mirror layer (2), containing at least one of gold, silver, or germanium materials.Active zones are typically arranged parallel to support on each other and can be contacted by common contact film (6). Active zones may generate electro magnetic radiation of several different wavelengths. Independent claims are included for manufacturing opto-electronic component.