激光/离子源
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103069534A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201180039711.4

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 激光/离子源通过激光的照射而产生离子,其中,具备:容器(110),被真空排气;照射箱(120),配置在容器(110)内,收容有通过激光的照射而产生离子的靶(121);离子束引出部(112),从照射箱(120)静电地引出离子,并作为离子束向容器110的外部引导;阀(140),设置在容器(110)的离子束的取出部,在离子束射出时打开,射出时以外关闭;以及闸门(150),设置在阀(140)和照射箱(120)之间,离子束射出时间歇地打开,射出时以外关闭。由此,将激光照射时产生的微粒子关闭在容器(110)内,抑制微粒子向真空排气系统或与离子源连接的后级装置的流出。

    绝缘结构及绝缘方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104217913B

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201410158429.3

    申请日:2014-04-18

    Inventor: 佐藤正辉

    Abstract: 本发明提供一种绝缘结构及绝缘方法,其有助于降低维护频度并提高装置运转率。本发明提供设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极间的绝缘结构(30)。绝缘结构(30)具备:第1部分(52),连接于第1电极(20);及第2部分(54),连接于第2电极(22),且具备:绝缘部件(32),用于将第1电极(20)支承于第2电极(22);第1罩体(70),为了保护第1部分(52)免受污染粒子(18)的影响而包围第1部分(52)的至少一部分;及第2罩体(72),为了保护第2部分(54)免受污染粒子(18)的影响而包围第2部分(54)的至少一部分。第1部分(52)及第2部分(54)中的至少一部分由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。

    离子源
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103069534B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201180039711.4

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 离子源通过激光的照射而产生离子,其中,具备:容器(110),被真空排气;照射箱(120),配置在容器(110)内,收容有通过激光的照射而产生离子的靶(121);离子束引出部(112),从照射箱(120)静电地引出离子,并作为离子束向容器110的外部引导;阀(140),设置在容器(110)的离子束的取出部,在离子束射出时打开,射出时以外关闭;以及闸门(150),设置在阀(140)和照射箱(120)之间,离子束射出时间歇地打开,射出时以外关闭。由此,将激光照射时产生的微粒子关闭在容器(110)内,抑制微粒子向真空排气系统或与离子源连接的后级装置的流出。

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