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公开(公告)号:KR101739609B1
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:KR1020127019831
申请日:2011-04-13
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor: 하이데케옌스
CPC classification number: B01D61/445 , B01D61/44 , C23C18/1617 , C25D21/18
Abstract: 전기투석기기에서생물학적오염을방지하기위해서, 막전기분해스택및 이막 전기분해스택을포함하는전기투석기기가고안된다. 전기투석기기는바람직하게무전해도금배스, 예를들어니켈도금배스를재생하는역할을한다. 이것은적어도하나의애노드 (An) 와적어도하나의캐소드 (Ca) 뿐만아니라애노드 (An) 와캐소드 (Ca) 사이에각각배치된막 전기분해스택을포함하고, 모든막 전기분해스택은서로의상부에쌓아올린막과그 사이에각각배치된전해구획을포함하고, 적어도하나의제 1 및적어도하나의제 2 막은막 전기분해스택에서연속적으로교대로놓인다. 막전기분해스택에서적어도하나의제 1 막과적어도하나의제 2 막은각각서로독립적으로선택되고막 전기분해스택에서적어도하나의제 1 막이이극성막 (BP) 이라는조건에서적어도하나의제 1 막은음이온교환막 (A) 과이극성막 (BP) 을포함하는그룹에서선택되고, 적어도하나의제 2 막은단일선택성음이온교환막 (MSA), 단일선택성양이온교환막 (CSA) 및양성자선택성교환막을포함하는그룹에서선택된다. 또한, 적어도하나의제 1 막의캐소드측에위치한전해구획은재생될전해액이담긴희석구획 (Di1, Di2) 이고적어도하나의제 2 막의캐소드측에위치한전해구획은재생될전해액에서받아들인간섭이온이담긴농축구획 (Co1, Co2, Co3) 이도록제공된다.
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公开(公告)号:KR101692093B1
公开(公告)日:2017-01-02
申请号:KR1020127007303
申请日:2010-09-08
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은부식방지를부여하는흑색코팅을생성시키기위한크롬- 및코발트-미함유처리용액에관한것이다. 본발명의처리용액은옥소양이온또는착물할로겐이온또는옥소양이온과착물할로겐이온의혼합물, 산화제및 유기황 화합물을함유한다.
Abstract translation: 用于生产黑色无铬和无钴的转化层的处理溶液包括:(a)至少一种选自式M'cd +的氧代阳离子的复合的水溶性金属阳离子和/或式 公式M''X ab - >; (b)至少一种氧化剂; 和(c)至少一种有机硫化合物。 用于生产黑色无铬和无钴的转化层的处理溶液包括:(a)至少一种选自式M'cd +的氧代阳离子的复合的水溶性金属阳离子和/或式 公式M''X ab - >; (b)至少一种氧化剂; 和(c)至少一种选自式1的化合物的有机硫化合物:HS-R 1> -COOR 2>和式2:R 5> OOC-R 3 -S-S-R 4 -COOR 6。 c:1-3的整数; d:1-3的整数; X:选自F,Cl,Br和I; a:3-6的整数; b:1-4的整数; M'和M“:选自Mn,V,Ti,W,Mo,Zr,B,Si和Al。 R 1>:选自1-8C-烷基,直链和支链,和芳基; R 2>:选自H,NH 4 +,Li +,Na +,K +和1-4C-烷基,直链和支链; R 3>和R 4>:独立地选自1-8C-烷基,直链和支链和芳基; 和R 5>和R 6>:独立地选自H,NH 4+,Li +,Na +和1-4C-烷基,直链和支链。
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公开(公告)号:KR1020160143667A
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:KR1020167027646
申请日:2015-04-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor: 주헨트룬크크리슈토프 , 그룸트카타리나 , 크라머율리아
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1637 , C23C18/1651 , C23C18/54 , H01L21/288 , H05K3/187 , H05K3/24 , H05K3/244 , C23C18/1676
Abstract: 본발명은도금조조성물및 기판상의무전해도금에의한팔라듐층의침착방법에관한것이다. 본발명에따른수성산성도금조는팔라듐이온을위한공급원, 환원제, 팔라듐이온을위한질소화착물화제및 하나이상의잔기가친수성잔기이고하나이상의잔기가음성메소메리효과를갖는, 2 개이상의잔기를포함하는방향족화합물로이루어진군으로부터선택되는수용성안정화제를포함한다. 도금조는목적하지않는분해에대한증가된안정성을가지면서, 충분한도금율을유지한다.
Abstract translation: 本发明涉及电镀浴组合物和通过无电镀法沉积到基底上的方法。 根据本发明的酸性电镀浴包含钯离子源,还原剂,钯离子的氮化络合剂和选自包含至少两个残基的芳族化合物的水溶性稳定剂,其中在 至少一个残基是亲水残基,并且至少一个残基具有负的介子效应。 电镀浴具有提高的稳定性,防止不希望的分解,同时保持足够的电镀速率。
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公开(公告)号:KR1020160141716A
公开(公告)日:2016-12-09
申请号:KR1020167026370
申请日:2015-03-12
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C25D5/34 , C25D3/38 , C25D5/56 , H05K1/0296 , H05K3/424 , H05K3/427 , H05K3/467 , H05K2201/032 , H05K2201/0329 , H05K2203/0793 , H05K2203/0796
Abstract: 절연체및 절연체의일부에적층된구리층을포함하는인쇄회로보드와같은기판에서, 상기절연체외부면및 상기구리층외부면은동시에 (1) 알칼리금속수산화물용액을이용한처리를포함하는공정, (2) 지방족아민을함유한알칼리성수용액을이용한처리를포함하는공정, (3) 0.3 ~ 3.5 wt% 의과망간산염농도및 8 ~ 1 의 pH 를가지는알칼리성수용액을이용한처리를포함하는공정, (4) 티오펜화합물및 폴리스티렌술폰산의알칼리금속염을함유한산성마이크로에멀젼수용액을이용한처리를포함하는공정, 및 (5) 구리전기도금을포함하는공정을부여받고, 상기공정들은순차적으로구현된다.
Abstract translation: 在包括绝缘体和层叠在绝缘体的一部分上的铜层的印刷电路板的衬底中,所述绝缘体外表面和所述铜层外表面同时经受(1)包括用碱金属氢氧化物溶液处理的工艺, (2)包括用含有脂族胺的碱性水溶液处理的方法,(3)包括用高锰酸盐浓度为0.3-3.5重量%和pH为8-1的碱性水溶液处理的方法,(4) 包括用含有噻吩化合物的酸性微乳液水溶液和聚苯乙烯磺酸的碱金属盐进行处理的方法,以及(5)依次实施铜电镀工艺。
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205.반-광택 니켈 또는 니켈 합금의 증착을 위한 갈바닉 니켈 또는 니켈 합금 전기도금 배스, 전기도금 방법 및 이를 위한 상기 배스 및 화합물의 용도 有权
Title translation: 用于沉积半光亮镍或镍合金的电镀镍或镍合金电镀浴,所述浴及其化合物的电镀方法和用途公开(公告)号:KR101665905B1
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:KR1020157024417
申请日:2014-03-20
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C07D213/82 , C07D401/06 , C07D413/06
CPC classification number: C25D3/562 , C07D213/74 , C07D295/192 , C25D3/18
Abstract: 본발명은전기도금배스가하기와같은화학식 (I) 을갖는하나이상의화합물을포함하는것을특징으로하는, 반-광택니켈또는니켈합금코팅을증착하기위한갈바닉니켈또는니켈합금전기도금배스에관한것이다:(I) (식중, R= SO기로치환된 C- C탄화수소부분, 카르복실기로치환된 C- C탄화수소부분또는방향족기및/또는헤테로방향족기하나이상으로치환된 C- C탄화수소부분이고; R= NRR부분, OR부분, 또는시클릭 NR부분이며, 이때 R, R, R= 수소또는 C- C탄화수소부분또는방향족기및/또는헤테로방향족기하나이상으로치환된 C- C탄화수소부분이고, 상기 R, R및 R는동일하거나상이하고; R= C- C탄화수소부분또는 C- C탄화수소부분이며, 상기하나이상의탄소원자는헤테로원자에의해치환되고; n = 1 - 3 임).
Abstract translation: 本发明涉及用于沉积半光亮镍或镍合金涂层的电镀镍或镍合金电镀浴,其特征在于电镀浴包含至少一种具有式(I)的化合物, :(I)(式中,R = SO基团和取代的C C-烃部分,取代的烃部分C- C,或芳族基团和/或取代的杂芳基或与一个或一个羧基基团更C-ç烃部分; R = NRR部分,或区段,或当点击部NR,其中R,R,R =氢或C C-烃部分或芳族基团和/或通过一个或杂芳基,其中取代的C-ç烃部分 R,R和R相同或不同; R = C-C烃部分或C-C烃部分,其中所述至少一个碳原子被杂原子替代;
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公开(公告)号:KR1020160113304A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:KR1020167025126
申请日:2015-01-14
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23C18/18 , C23C18/30 , C23C18/16 , C23C18/32 , C23C18/50 , C23F1/02 , C23F1/30 , C23F1/44 , H05K3/24 , H05K3/18 , H05K3/26
CPC classification number: C23C18/32 , C23C18/1608 , C23C18/1841 , C23C18/42 , C23C18/50 , C23F1/02 , C23F1/30 , C23F1/44 , H05K3/187 , H05K3/244 , H05K3/26 , C23C18/30
Abstract: 본발명은원치않는스킵도금및 가외도금을억제하는인쇄회로판과같은전자장치의구리피쳐상의금속또는금속합금의무전해도금방법을개시하고있다. 방법은단계 i) 상기기판을제공하는단계, ii) 귀금속이온으로구리피쳐를활성화하는단계; iii) 산, 할라이드이온공급원, 및티오우레아, 티오우레아유도체및 티오우레아기를포함하는중합체로이루어지는군으로부터선택되는첨가제를포함하는수성전처리조성물로과량의귀금속이온또는이로형성된침전물을제거하는단계; 및 iv) 금속또는금속합금층의무전해도금단계를포함한다.
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207.
公开(公告)号:KR101650601B1
公开(公告)日:2016-08-23
申请号:KR1020117016249
申请日:2010-01-13
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F11/167 , C23C22/74 , H05K3/28 , C25D5/48
CPC classification number: C23C22/58 , C23C22/06 , C23C22/74 , C23F11/1676 , C25D5/48 , H01L21/4835 , H05K3/282 , H05K2203/122 , Y10T428/31678
Abstract: 인화합물및 납땜성-향상화합물을포함하는신규용액및 금속또는금속합금표면의납땜성및 내식성을증가시키기위한방법에서의이의용도가기술되어있다.
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公开(公告)号:KR101614169B1
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:KR1020107019893
申请日:2009-02-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C09J201/02 , C09J179/00 , C09J175/00 , H05K3/38
CPC classification number: H05K3/389 , C23C22/02 , C23C22/52 , C23F11/12 , C23F11/128 , C23F11/149 , C23F11/16 , C23F11/165 , C23F11/173 , H05K3/064 , H05K3/108 , H05K3/282 , H05K2203/12 , H05K2203/122 , H05K2203/124
Abstract: 매우얇은구리기재가손상되지않도록하면서, 상기구리기재에대한레지스트코팅물, 더욱특히감광성레지스트코팅물의양호한접착성을달성하기위해, i) 하나이상의티올부분을포함하는헤테로시클릭화합물및 ii) 하기화학식을갖는 4급암모늄중합체를포함하는군으로부터선택되는하나이상의접착제를포함하는, 구리기재처리용비에칭무레지스트조성물을제공한다:[식중, R, R,R, Y 및 X는청구항에정의된바와같음].
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公开(公告)号:KR101565203B1
公开(公告)日:2015-11-02
申请号:KR1020127000169
申请日:2010-07-05
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C22/17 , C23C22/83 , C23C2222/10
Abstract: 본발명은처리될표면이크롬(III) 이온, 적어도하나의인산염화합물및 오르가노졸을포함하는처리수용액과접촉되는내부식성코팅층형성방법에관한것이다. 금속표면특히, 전환층을갖는아연및 아연함유 (zinciferous) 표면을포함하는표면의내부식성이개선된다. 이들표면의미적및 기능적특징이유지되고개선된다. 게다가, 크롬(VI) 을포함하는화합물의사용및 멀티스테이지프로세스와관련된공지된문제가크롬이온을포함하는패시베이션층과실링이교대로적용되는것이회피된다.
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公开(公告)号:KR1020150118173A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:KR1020157023510
申请日:2014-01-15
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor: 나루스케비키우스레오나스 , 바라나우스카스미콜라스 , 타마사우스카이테타마시우나이테로레타 , 기리에네오나
CPC classification number: C23C18/24 , C09K13/04 , C23C18/166 , C23C18/168 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/32
Abstract: 본발명은비전도성폴리머의에칭, 활성화및 제 1 금속또는금속합금층의퇴적에관한것이다. 비전도성폴리머는 60 ~ 80 부피% 황산중에 0.75 ~ 3.6 g/ℓ과망간산염이온을포함하는수용액으로에칭되고, 귀금속을포함하는용액으로활성화되고, 침지식또는무전해 (자가촉매) 도금에의해제 1 금속또는금속합금이퇴적된다. 획득되는제 1 금속또는금속합금층은비전도성폴리머에높은접착력을갖고, 그위의다른금속및/또는금속합금층(들)의전기도금을위한도금베이스로서역할한다.
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